电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学制备方法。它的步骤如下：（1）用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片，再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或硅片放在10%的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；（2）将0.002-2mol/L的硝酸银溶于蒸馏水，加入0.1-2mol/L的氨水溶液，加入0.002-2mol/L的磷酸钠，充分搅拌；用2mol/L的硝酸溶液和1mol/L的氨水溶液调节溶液pH至7-13，最后得到澄清稳定的电解液；（3）ITO导电玻璃或硅片作为工作电极，铂片电极作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极一起放入电解液中进行电沉积，得到磷酸银光催化半导体薄膜。本发明专利技术具有工艺简单、成本低廉、反应条件温和以及制备效率高等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学制备方法，其特征在于：它的步骤如下：（１）用丙酮冲洗ＩＴＯ导电玻璃或硅片，再用去离子水将ＩＴＯ导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗，接着将ＩＴＯ导电玻璃或硅片放在１０％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水反复冲洗；（２）将０．００２－２ｍｏｌ／Ｌ的硝酸银溶于蒸馏水，加入０．１－２ｍｏｌ／Ｌ的氨水溶液，加入０．００２－２ｍｏｌ／Ｌ的磷酸钠，充分搅拌；用２ｍｏｌ／Ｌ的硝酸溶液和１ｍｏｌ／Ｌ的氨水溶液调节溶液ｐＨ至７－１３，最后得到澄清稳定的电解液；（３）ＩＴＯ导电玻璃或硅片作为工作电极，铂片电极作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极一起放入电解液中进行电沉积，相对于饱和甘汞电极的电沉积电位为１．０－２．５Ｖ，沉积时间为５分钟－１２０分钟，沉积温度２５－９０℃，得到磷酸银光催化半导体薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘润，陈科立，徐铸德，王辉，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86