镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法技术

本发明专利技术提供的是一种镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法。在三电极体系中，以含有缓蚀性阴离子插层水滑石的溶液为电解液，以镁合金为工作电极、铂片为对电极、室温下通入Ｎ↓［２］、电解液ｐＨ值为４．５～８．５、扫描速率为５～３０ｍＶ／ｓ、扫描次数为５～１５次，在镁合金表面通过电沉积法形成水滑石膜。本发明专利技术提出将缓蚀性阴离子插层水滑石，通过电沉积方法在镁合金表面形成薄膜，通过微量Ｃｌ↑［－］的刻蚀和缓蚀性离子优异的吸附成膜性，在镁合金表面形成了一种具有吸附腐蚀性离子、释放缓蚀剂功能的保护膜，此膜层具有防腐性，与镁合金基体有良好的结合性，同时可以与有机涂层较好地粘合。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种镁合金表面电沉积缓蚀剂阴离子插层水滑石膜的方法，其特征是：在三电极体系中，以含有缓蚀性阴离子插层水滑石的溶液为电解液，以镁合金为工作电极、铂片为对电极、室温下通入Ｎ２、电解液ｐＨ值为４．５～８．５、扫描速率为５～３０ｍＶ／ｓ、扫描次数为５～１５次，在镁合金表面通过电沉积法形成水滑石膜；所述的含有缓蚀性阴离子插层水滑石的电解液的制备方法为：称取１．０～５．０ｇ纳米尺度的缓蚀剂阴离子插层水滑石加入到１００ｍＬ的去离子水中，超声分散３０ｍｉｎ，制成水滑石悬浮液，在水滑石悬浮液中，再加入微量的ＭＣｌ↓［２］或ＭＣｌ↓［３］，Ｃｌ－的摩尔浓度为０．００２～０．０１ｍｏｌ／Ｌ、Ｍ为对应水滑石主体层板的＋２价或＋３价金属离子，加入缓蚀剂阴离子的钠盐，缓蚀剂阴离子的摩尔浓度为０．００５～０．０１ｍｏｌ／Ｌ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于湘，李俊青，王君，景晓燕，张密林，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]