35/66kV磁屏蔽并联电抗器制造技术

技术编号:5779956 阅读:250 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种35/66kV磁屏蔽并联电抗器,它包括A、B、C三相电抗器,所述的每相电抗器均由上下两段组成,每相电抗器的上下两段之间通过星形架连接;且每段电抗器的线包内外均设有高导磁铁芯。采用上述技术方案的本实用新型专利技术,由于采用磁屏蔽式并联电抗器,并且每相电抗器采用两段设计,所以可以更好地节省占地面积。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种35/66kV磁屏蔽并联电抗器。
技术介绍
我国500kV变电站采用500kV/220kV/35 (66) kV三级电压,低压侧接入无功补偿装置,是变电站的重要组成部分。目前在变电站设计中,普遍侧重高电压等级的设计优化,通过优化接线型式、采用 紧凑型设备、压缩配电装置尺寸等措施,来提高变电站的可靠性、降低占地面积、降低工程 造价。但对主变低压侧仍延续最初的思路和模式,均采用常规设备和常规配电装置,多年来 并无明显的发展变化,占地面积大,如在高中压侧采用紧凑型设备的500kV变电站中,主变 低压侧占地达全站总面积的沈 31%。随着电网建设的高速发展,变电站规模和容量越来越大,主变低压侧设备增多、占 地面积大的问题也越来越突出。由于土地是不可再生资源,为进一步落实合理利用土地、切 实保护耕地的基本国策,迫切需要进行主变低压侧的优化设计,这些问题的解决必将提升 变电站的整体设计水平,提高运行可靠性。低压并联电抗器是500kV变电站中重要的无功补偿装置之一,主要作用是阶梯的 吸收电网剩余充电功率,保证电压稳定在允许的范围。因其装设于主变压器低压侧,因而称 为低抗,以区别于装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种35/66kV磁屏蔽并联电抗器,它包括A、B、C三相电抗器(1),其特征在于:所述的每相电抗器均由上下两段组成,每相电抗器的上下两段之间通过星形架(2)连接;且每段电抗器的线包(3)内外均设有高导磁铁芯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王伟王健田俊强赵跃顾尔重耿建风张伟徐荥
申请(专利权)人:河南省电力勘测设计院赵跃顾尔重耿建风张伟徐荥
类型:实用新型
国别省市:41[中国|河南]

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