一种宽温SMD石英晶体谐振器制造技术

本实用新型专利技术属于电子技术类，具体是一种宽温ＳＭＤ石英晶体谐振器，包括上盖、基座、晶片，晶片上被覆银电极，其特征在于：晶片设计成厚度有梯度变化，电极上有两个引出电极胶点以及中间一个辅助胶点形成三胶点式。本实用新型专利技术晶片的厚度设计成有梯度变化，使晶片能在宽温度范围内避免干扰的产生；由于在温度变化或谐振器跌落时受到破坏，本产品采用三点式点胶，增加了辅助胶点，使ＳＭＤ石英晶体谐振器的抗震可靠性得到提高。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子技术类，具体是一种宽温SMD石英晶体谐振器。
技术介绍
现今发展的表面贴装(SMD)石英晶体谐振器，相比于原先的直插式DIP石 英晶体谐振器，虽然取得了片式化、小型化的效果，但是由于内部空间的减小， 其温度和抗震可靠性有所下降，要保持其在较宽的温度范围内的温度特性，保 持正常稳定工作，当前还需要一些技术改进。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术的不足，提供一种结构合理、制造简单、 体积较小、温度频率可靠性更高的宽温SMD石英晶体谐振器。本技术技术方案如下本技术一种宽温SMD石英晶体谐振器，包括上盖、基座、晶片，晶片上被覆银电极，其特征在于晶片设计成厚度有梯度变化，电极上有两个引出电极胶点以及中间一个辅助胶点形成三胶点式。本技术晶片的厚度设计成有梯度变化，使晶片能在宽温度范围内避免干扰的产生；由于在温度变化或谐振器跌落时受到破坏，本产品采用三点式 点胶，增加了辅助胶点，使SMD石英晶体谐振器的抗震可靠性得到提高。附图说明图l为本技术的结构示意图。 图2为图1的A-A剖面图。图3为图2的B-B剖面图。具体实施方式如图l、 2、 3所示， 一种宽温SMD石英晶体谐振器，包括上盖4、基座5、 晶片l，晶片l上被覆银电极，其特征在于晶片1设计成厚度有梯度变化， 电极上有两个引出电极胶点2以及中间一个辅助胶点3形成三胶点式。本技术上盖4为金属上盖，基座5为陶瓷基座，金属上盖与陶瓷基座 及其附带的合金环焊接成一个整体。权利要求1、一种宽温SMD石英晶体谐振器，包括上盖、基座、晶片，晶片上被覆银电极，其特征在于晶片设计成厚度有梯度变化。2、 根据权利要求1所述的宽温SMD石英晶体谐振器，其特征在于电极上有两个引出电极胶点以及中间一个辅助胶点形成三胶点式。3、 根据权利要求1或2所述的宽温SMD石英晶体谐振器，其特征在于上 盖为金属上盖，基座为陶瓷基座，金属上盖与陶瓷基座及其附带的合金环焊接 成一个整体。专利摘要本技术属于电子技术类，具体是一种宽温SMD石英晶体谐振器，包括上盖、基座、晶片，晶片上被覆银电极，其特征在于晶片设计成厚度有梯度变化，电极上有两个引出电极胶点以及中间一个辅助胶点形成三胶点式。本技术晶片的厚度设计成有梯度变化，使晶片能在宽温度范围内避免干扰的产生；由于在温度变化或谐振器跌落时受到破坏，本产品采用三点式点胶，增加了辅助胶点，使SMD石英晶体谐振器的抗震可靠性得到提高。文档编号H03H9/19GK201345640SQ200820168609公开日2009年11月11日 申请日期2008年11月20日 优先权日2008年11月20日专利技术者李庆跃, 池旭明, 颜晓升 申请人:浙江东晶电子股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽温ＳＭＤ石英晶体谐振器，包括上盖、基座、晶片，晶片上被覆银电极，其特征在于：晶片设计成厚度有梯度变化。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆跃，池旭明，颜晓升，
申请(专利权)人：浙江东晶电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]