【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式涉及光电子器件，且具体地涉及经由表面等离子体激元偏振 (surface ρlasmon polariton)增强的发光二极管。
技术介绍
微电子产业已经由对小型、高性能、低功耗的微电子器件的不断增加的需求所驱 动。例如，微电子器件制造商可以制造具有大约50nm的尺寸的微处理器晶体管。然而，跨 越这些微处理器传输数字信息，且一般地，在位于相同电路板上的计算装置和存储装置之 间传输数字信息时，存在相对大的延时。尽管铜和铝线互连按惯例已经被用于携带数字信 息，但增加电子互连的数目来满足指数型增长的纳米尺度的电子器件的数目所需要的连接 数目已经不能胜任。不像性能随着尺度增加而改善的晶体管，由电子互连的数目的相应增 加所引起的延时已经增加，且已经成为数字电路的速度的实质瓶颈。已经建议将使用光纤和聚合物波导的光学互连作为电子互连的替代物。例如，单 纤维光缆可以携带被编码在光的信道或不同波长中的万亿比特每秒的数字信息，具有比使 用电缆传输相同信息高出约1000倍的能力。术语“光”不限于具有位于电磁谱的可见部分 中的波长的电磁辐射，而且还被用来指代具有在可见...
【技术保护点】
一种发光二极管，其包括：至少一个量子阱，所述至少一个量子阱夹在第一半导体层和第二半导体层之间；第一异质结构，所述第一异质结构设置在所述第一半导体层的表面上；第二异质结构，所述第二异质结构设置在所述第二半导体层的表面上，其中所述第二异质结构被定位在所述第一异质结构的对面；以及金属结构，所述金属结构设置在所述发光二极管的表面上，其中沿着所述金属结构和所述发光二极管的表面之间的界面形成的表面等离子体激元偏振的电子－等离子体振荡扩展到所述至少一个量子阱，这经由珀塞尔效应增加从所述至少一个量子阱发射的电磁辐射的横向磁场分量的自发发射率。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：DA法塔勒，MRT谭，
申请(专利权)人：惠普发展公司，有限责任合伙企业，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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