【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如用于基于GaN的半导体基底和部件的外延生长的减压的氢化物 气相外延(HVPE)反应器。具体地,本专利技术涉及用于排空反应室的系统。
技术介绍
在设计成用于GaN生长的现有HVPE反应器中,一个典型和严重的问题是在反应器 的内表面上特别是在工艺气体的出口附近或之后,不同物质特别是NH4Cl和GaCl3的高速率 的寄生沉积。结果,一些反应器被堵塞,即使已经在操作的一些时间之后。堵塞的问题涉及 整个排气系统,但特别是排气泵。所述固体化合物使得很难使用用于减少反应器中的压力 的标准传统真空泵。这使又导致高成本的专业化系统成为必需的。试图避免泵的堵塞的一 个已知的解决方案是在泵前面安装大冷凝室。冷凝室作为对残留气体的收集器工作,大量 残留气体积聚在冷凝室的璧上。然而,自然地,这种解决方案仅仅延迟堵塞,而没有真正解 决主要问题。因此,存在对有效的优选低成本排空系统的需要,该系统实现HVPE反应器的连续 操作,而没有由于排气系统的堵塞而引起的中断。专利技术目的本专利技术的目的是提供用于HVPE反应器的有效的优选低成本排空系统,该排空系 统实现HVPE反应器的 ...
【技术保护点】
一种HVPE反应器装置,包括反应室(1)、用于将工艺气体引入所述反应室的气体进口(2)、残留气体出口(3)、以及用于通过所述残留气体出口从所述反应室排出残留气体的泵(4),所述泵能够在所述反应室中产生并维持小于或等于大约100mbr的压强,特征在于,所述反应器装置包括用于将溶解流体提供到所述泵以溶解在泵内表面上的所述残留气体的制剂的可能寄生沉积的设备(6,7,V2,V3)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:弗拉迪米尔尼古拉耶夫,弗拉德斯拉夫E鲍格诺夫,马克西姆A欧得诺莱多夫,亚瑟切伦科夫,
申请(专利权)人:奥普特冈有限公司,
类型:发明
国别省市:FI[芬兰]
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