用于将间距倍增大于2的因数的单个间隔物工艺及相关中间IC结构制造技术

本发明专利技术提供用于将间距倍增大于２的因数的单个间隔物工艺。在一个实施例中，在衬底上方形成ｎ（其中ｎ≥２）层堆叠心轴（１５０ｂ）、（１４０ａ），所述ｎ层中的每一者包含彼此大致平行的多个心轴（１５０ｂ）、（１４０ａ）。层ｎ处的心轴（１５０ｂ）在层ｎ－１处的心轴（１４０ａ）上方且平行于心轴（１４０ａ），且层ｎ处的邻接心轴之间的距离大于层ｎ－１处的邻接心轴之间的距离。同时在心轴（１５０ｂ）、（１４０ａ）的侧壁上形成间隔物（１８５）。蚀刻掉心轴（１５０ｂ）、（１４０ａ）的暴露部分且将由间隔物（１８５）界定的线图案转移到衬底（１１０）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术在若干实施例中一般来说涉及用于半导体制作的掩蔽技术，且更特定来说 涉及包括间距倍增的掩蔽技术。
技术介绍
由于许多因素(其中包括对增加的便携性、计算能力、存储器容量及能量效率的 需求)，集成电路的大小正不断减小。形成集成电路的组成特征(例如，电装置及互 连线)的大小也持续降低以促进此大小减小。降低特征大小的趋势在集成电路(IC)工业中较明显，举例来说，在例如动态随 机存取存储器(DRAM)、快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)及铁电(FE) 存储器等存储器电路或装置中。集成电路存储器的其它实例包括MRAM (包括磁阻 元件)、可编程熔丝存储器、可编程导体存储器(包括金属掺杂硫属化物玻璃元件)、 SRAM、SDRAM、EEPROM及其它易失性及非易失性存储器方案。举一个实例，DRAM 常规上包含数百万个相同的电路元件，称作存储器单元。DRAM存储器单元常规上 包括两个电装置存储电容器及存取场效晶体管。每一存储器单元是可存储一个数据 位(二进制数字)的可寻址位置。可通过晶体管将位写入到单元且可通过感测电容器 中的电荷读取所述位。通过降低包含存储器单元的电装置的大小及存取本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制作集成电路的方法，其包含：　在衬底上方提供第一心轴，所述第一心轴具有第一宽度；　大致在所述第一心轴上方提供第二心轴，所述第二心轴具有比所述第一宽度小的第二宽度；　同时在所述第一及第二心轴的侧壁上形成间隔物；　 　选择性地移除所述心轴的相对于所述间隔物的至少若干部分以形成由所述间隔物界定的间隔物图案；及　通过由所述间隔物图案界定的掩模处理所述衬底。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维H韦尔斯，米尔扎菲尔K阿巴切夫，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]