下载用于将间距倍增大于2的因数的单个间隔物工艺及相关中间IC结构的技术资料

文档序号:5456437

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本发明提供用于将间距倍增大于2的因数的单个间隔物工艺。在一个实施例中,在衬底上方形成n(其中n≥2)层堆叠心轴(150b)、(140a),所述n层中的每一者包含彼此大致平行的多个心轴(150b)、(140a)。层n处的心轴(150b)在层n...
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