一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法技术

提供了一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂及其清洗方法。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂包含二甲基亚砜、季铵氢氧化物，通式为Ｒ↓［１］Ｏ－［－（－ＣＨ↓［ｍ］Ｈ↓［２ｍ］－）－Ｏ－］↓［ｎ］－Ｒ↓［２］的烷基二醇芳基醚或其衍生物，其中Ｒ↓［１］为芳基，Ｒ↓［２］为Ｈ或芳基，ｍ＝２－６，ｎ＝１－６。该清洗剂可用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于二氧化硅、Ｃｕ等金属以及低ｋ材料等具有较低的蚀刻速率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭洪修，史永涛，刘兵，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31