【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。本专利技术更具体地但不专门涉及使用表面安装技术制造的凹腔(re-entrant)谐振腔和多谐振器滤波 器装置。
技术介绍
谐振腔是一种具有由导电表面界定的封闭体积的器件,且其中所述封 闭体积可承受振荡电磁场。谐振腔例如可以被用于滤波器,并且具有极好 的功率操作能力和低能耗。几个谐振腔可以耦合在一起,以获得复杂的频 率选择性能。谐振腔通常由金属铣成或由金属铸造而成。工作频率决定所需腔的尺 寸,而且在微波范围内,尺寸和重量是重要的。在凹腔谐振腔内,在腔体 积内的电磁场的电部分和磁部分在几何结构方面基本分离,从而相对于具 有相同谐振频率的圆柱形腔的尺寸相比能够使腔的尺寸减小。因为谐振腔的几何结构形状决定谐振频率,所以要求高机械精确度, 并且此外,或者可选地,施加制造前调谐(post-production tuning)。例如, 可以提供调谐机构,如凸出到腔体积内可变量并被手动调节的调谐螺钉。 图l示意性地图示了包括手动调节的调谐机构的凹腔谐振腔l。腔l具有封 闭体积2,所述封闭体积由圆柱形外壁3、端壁4和5、和从端壁中的一个端 壁4延伸的凹腔短柱(st ...
【技术保护点】
一种谐振腔,包括: 第一腔部分和第二腔部分,所述第一腔部分和所述第二腔部分具有至少部分地限定谐振体积的导电表面; 介电材料,所述介电材料位于所述第一腔部分和所述第二腔部分之间;以及 通过所述介电材料的导电路径,所述导电路径 用于电连接所述第一腔部分和所述第二腔部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.20 US 11/523,9981.一种谐振腔,包括第一腔部分和第二腔部分,所述第一腔部分和所述第二腔部分具有至少部分地限定谐振体积的导电表面;介电材料,所述介电材料位于所述第一腔部分和所述第二腔部分之间;以及通过所述介电材料的导电路径,所述导电路径用于电连接所述第一腔部分和所述第二腔部分。2. 根据权利要求l所述的谐振腔,其中,所述谐振腔是凹腔谐振腔,并且包括延伸到所述谐振体积内的凹腔短柱。3. 根据权利要求2所述的谐振腔,其中,所述第一腔部分至少包括所 述凹腔短柱的一部分和第一腔壁,所述短柱从所述第一腔壁延伸。4. 根据权利要求3所述的谐振腔,其中,所述短柱分为两部分,且介 电材料位于所述两部分之间,并且通过所述介电材料的导电路径电连接所 述两部分。5. 根据权利要求4所述的谐振腔,包括至少部分地包围所述短柱的 第二腔壁,并且包括在所述第二腔壁与所述第一腔部分之间的介电材料, 以及通过所述第二腔壁与所述第一腔部分之间的所述介电材料用于电连 接所述第二腔壁和所述第一腔部分的导电路径。6. 根据权利要求5所述的谐振腔,其中,所述介电材料由平坦构件提 供,所述平坦构件在所述第一腔部分与所述第二腔壁之间以及在所述短柱 的所述两部分之间延伸,并且所述谐振腔包括通过所述平坦构件以提供所 述导电路径的导电通路孔。7. —种包括多个凹腔谐振腔的滤波器装置,所述多个凹腔谐振腔中 的至少一个包括第一腔部分和第二腔...
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