高负电动势多面体倍半硅氧烷组合物及无损坏半导体湿式清洁方法技术

一种用以自集成电路基板移除微粒物质的组合物，包括（ａ）一或多种不含金属离子的碱；（ｂ）多面体倍半硅氧烷的水溶性不含金属离子的鎓盐；（ｃ）氧化剂；和（ｄ）不含金属离子的水，及由合并包括（ａ）、（ｂ）、（ｃ）和（ｄ）的成份而得的组合物。一种用以自集成电路装置表面移除微粒物质的方法，包括在表面施用包括（ａ）、（ｂ）、（ｃ）和（ｄ）的组合物或在表面施用由合并包括（ａ）、（ｂ）、（ｃ）和（ｄ）的成份而得的组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术揭示关于包括多面体倍半硅氧烷鐺盐的组合物及该组合物用于半导体基 板湿式清洁的方法，更特定而言，是关于在高PH溶液中的水溶性不含金属离子的多面体倍 半硅氧烷鐺盐于清洁半导体基板的用途，其特别可用以自该基板移除纳米大小的粒子。
技术介绍
半导体制造期间内，施以的许多方法会形成非常细的纳米大小粒子(“纳米粒 子”)。因为小尺寸和相当高的表面黏着力存在，所以非常难有效地移除这些非常小的纳 米粒子。已知的半导体清洁组合物，如氨-过氧化物-水，其被称为SC-1，，，标准清洁剂 1 (standard clean 1) ”，通常无法移除纳米粒子或无法以无损于半导体表面和邻近粒子的 结构的方式移除这些粒子。随着装置尺寸持续减小，自半导体表面有效移除纳米粒子的需 求变得更为迫切。随着装置尺寸持续减小，由于粒子的小尺寸和半导体表面和结构损害的 无法接受度的提高，移除纳米粒子的难度更为提高。达到此二目标，移除纳米粒子的目标和 避免损及半导体表面和区域中的结构的目标，有其重要性存在。因此，对于提供自半导体装 置无损害、有效移除纳米粒子的改良的组合物和方法有持续需求存在。专利技术内容本专利技术提出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，包含：（ａ）一或多种不含金属离子的碱；（ｂ）多面体倍半硅氧烷的水溶性不含金属离子的盐；（ｃ）氧化剂；和（ｄ）不含金属离子的水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-11-13 60/987,706一种组合物，包含(a)一或多种不含金属离子的碱；(b)多面体倍半硅氧烷的水溶性不含金属离子的盐；(c)氧化剂；和(d)不含金属离子的水。2.根据权利要求1所述的组合物，其中，水溶性不含金属离子的多面体倍半硅氧烷(b) 以多面体倍半硅氧烷的不含水溶性金属离子的鐺盐存在，其中鐺盐具有通式其中R1、R2、R3和R4中的每一者独立地为H、烷基、烷氧基或烷醇CfC18基，且A = N或3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，多面体倍半硅氧烷(b)具有通式 其中n在约6至约20的范围内。4.根据权利要求1-3所述任一所述的组合物，其中，多面体倍半硅氧烷(b)具有式 Si802(18-，和结构(I)5.根据上述权利要求任一所述的组合物，其中，组合物具有pH在约8至约14的范围内。6.根据上述权利要求任一所述的组合物，其中，组合物包含约0.001重量％至约40重 量％的(b)。7.根据上述权利要求任一所述的组合物，其中，组合物包含约0.01重量％至约10重量％的氧化剂。8.根据上述权利要求任一所述的组合物，其中，不含金属离子的碱包含氨、鐺氢氧化物 或其二或更多的任何组合。9.根据权利要求8所述的组合物，其中，鐺氢氧化物具有通式(III) 其中在式(III)中，HR3和R4中的每一者独立地为H、烷基、烷氧基或烷醇(^-(18 基，且A = N或P。10.根据权利要求2或9所述的组合物，其中，A= N且Ri、R2、R3和R4中的每一者为烧基。11.根据权利要求10所述的组合物，其中，烷基为甲基或乙基。12.根据权利要求2或9所述的组合物，其中，A= P且Ri、R2、R3和R4中的每一者系烧基。13.根据权利要求12所述的组合物，其中，烷基为甲基或乙基。14.根据上述权利要求任一所述的组合物，其中，该组合物进一步包含金属钳合剂。15.根据上述权利要求任一所述的组合物，其中，多面体倍半硅氧烷具有通式其中n在约6至约20的范围内。16.根据上述权利要求任一所述的组合物，其中，氧化剂包含过氧化氢、臭氧、次氯酸非 金属盐，或其任二或更多者的组合。17.根据上述权利要求任一所述的组合物，其中，多面体倍半硅氧烷具有式Si802(l8—，和 结构⑴18.根据上述权利要求任一所述的组合物，其中，水溶性不含金属离子的多面体倍半娃 氧烷是得自四级鐺氢氧化物与二氧化硅的实质上11的化学计量比的反应。19.一种用以自集成电路装置表面移除微粒物质的方法，其包含在表面施以上述权利 要求任一所述的组合物。20.一种用以在集成电路装置制造期间内，自集成电路装置表面移除微粒物质的方法， 其包含在表面施用包含下列者的组合物(a)一或多种不含金属离子的碱；(b)多面体倍半硅氧烷的水溶性不含金属离子的盐；(c)氧化剂；和(d)不含金属离子的水；及 以不含金属离子的水清洗该表面。21.根据权利要求20所述的方法，其中，水溶性不含金属离子的多面体倍半硅氧烷(b) 是以多面体倍半硅氧烷的不含水溶性金属离子的鐺盐形式存在，其中鐺盐具有通式其中R1、R2、R3和R4中的每一者独立地为H、烷基、烷氧基或烷醇Ci-Q基，且A = N或P。22.根据权利要求20或21所述的方法，其中，多面体倍半硅氧烷的水溶性不含金属离 子的鐺盐(b)具有通式 其中n在约6至约20的范围内。23.根据权利要求20-22所述任一所述的方法，其中，多面体倍半硅氧烷(b)具有式 Si802(18-，和结构(I)24.根据权利要求20-23所述任一所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝建军，
申请(专利权)人：沙琛公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]