咪唑衍生物制造技术

本发明专利技术提供一种CB2受体调节剂等，所述CB2受体调节剂含有 通式(I)表示的咪唑衍生物或其药学上允许的盐作为有效成分[式 中，R1表示可以具有取代基的低级烷基等，R2表示可以具有取代基的 环烷基等，R3表示可以具有取代基的芳基等，n表示0～3的整数]。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及以下(1)～(27)。 (1)一种大麻素2型(CB2)受体调节剂，含有通式(I)表示的咪唑衍生物或其药学上允许的盐作为有效成分。 [式中，R1表示可以具有取代基的低级烷基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的环烷基、可以具有取代基的低级链烯基、可以具有取代基的脂肪族杂环基或可以具有取代基的芳香族杂环基， R2表示可以具有取代基的环烷基、可以具有取代基的脂肪族杂环基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的芳香族杂环基， R3表示可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的稠合芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基或可以具有取代基的乙烯基， n表示0～3的整数] (2)(1)所述的调节剂，其中，调节剂是激动剂。 (3)通式(IA)表示的咪唑衍生物或其药学上允许的盐。 [式中， R1A表示可以具有选自卤素、羟基及低级烷氧基中的1～3个取代基的低级烷基、或可以具有选自卤素、羟基及低级烷氧基中的1～3个取代基的低级链烯基， R2A表示可以具有选自氰基、卤素、羟基、低级烷氧基、低级烷基、氧基、低级烷氧基羰基及芳烷基中的1～3个取代基的环烷基；或可以具有选自氰基、卤素、羟基、低级烷氧基、低级烷基、氧基、低级烷氧基羰基及芳烷基中的1～3个取代基的脂肪族杂环基， R3A表示可以具有选自下述取代基组A中的1～5个取代基的芳基、可以具有选自下述取代基组A中的1～4个取代基的芳香族杂环基、可以具有选自下述取代基组A及氧基中的1～3个取代基的稠合芳香族烃基、可以具有选自下述取代基组A及氧基中的1～3个取代基的脂肪族杂环基、或可以具有选自下述取代基组A中的1～3个取代基的乙烯基， nA表示1～3的整数， 取代基组A表示由下述基团构成的组 (i)卤素、(ii)硝基、(iii)氰基、(iv)-OR4(式中，R4表示氢原子、可以被下述取代基B取代的低级烷基、可以被下述取代基D取代的环烷基、可以被下述取代基C取代的芳烷基、可以被下述取代基C取代的芳基、可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基、可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基、可以被下述取代基B取代的低级烷酰基或可以被下述取代基C取代的芳酰基)、(v)-COR6[式中，R6表示氢原子、可以被下述取代基B取代的低级烷基、可以被下述取代基D取代的环烷基、可以被下述取代基C取代的芳烷基、可以被下述取代基C取代的芳基、可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基或可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基]、(vi)-NR7R8[式中，R7及R8分别相同或不同，表示氢原子、羟基、可以被下述取代基B取代的低级烷氧基、氨基、可以被下述取代基B取代的低级烷基氨基、可以被下述取代基B取代的低级烷基、可以被下述取代基B取代的低级链烯基、可以被下述取代基D取代的环烷基、可以被下述取代基C取代的芳烷基、可以被下述取代基C取代的芳基、可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基、可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基、可以被下述取代基B取代的低级烷氧基羰基、可以被下述取代基B取代的低级烷酰基、可以被下述取代基D取代的环烷基羰基、可以被下述取代基C取代的芳烷基羰基、可以被下述取代基C取代的芳酰基、可以被下述取代基B取代的低级烷基磺酰基、可以被下述取代基D取代的环烷基磺酰基、可以被下述取代基C取代的芳烷基磺酰基、可以被下述取代基C取代的芳基磺酰基、可以被下述取代基B取代的低级烷基氨磺酰基、可以被下述取代基B取代的二低级烷基氨磺酰基、氨基甲酰基、可以被下述取代基B取代的低级烷基氨基甲酰基或可以被下述取代基B取代的二低级烷基氨基甲酰基、或R7及R8与邻接的氮原子一起表示可以被下述取代基C取代的含氮杂环基]、(vii)-C(＝W)NR9R10[式中，W表示氧原子或硫原子，R9及R10分别相同或不同，表示氢原子、羟基、可以被下述取代基B取代的低级烷氧基、氨基、可以被下述取代基B取代的低级烷基氨基、可以被下述取代基B取代的低级烷基、可以被下述取代基B取代的低级链烯基、可以被下述取代基B取代的低级烷酰基、可以被下述取代基D取代的环烷基、可以被下述取代基C取代的芳烷基、可以被下述取代基C取代的芳基、可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基或可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基，或R9及R10与邻接的氮原子一起表示可以被下述取代基C取代的含氮杂环基]、(viii)可以被下述取代基B取代的低级烷基、(ix)可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基、(x)可以被下述取代基C取代的芳烷基、(xi)可以被下述取代基C取代的芳基、(xii)可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基、(xiii)可以被下述取代基D取代的环烷基、(xiv)可以被下述取代基B取代的低级烷基硫基、(xv)可以被下述取代基B取代的低级烷基亚磺酰基、(xvi)可以被下述取代基B取代的低级烷基磺酰基、(xvii)可以被下述取代基B取代的低级烷基氨磺酰基、(xviii)可以被下述取代基B取代的二低级烷基氨磺酰基、(xix)-C(＝C(CN)2)R13(式中，R13表示低级烷基)、及(xx)-C(＝NOR14)R15(式中，R14表示氢原子或低级烷基，R15表示低级烷基)， 取代基B表示选自下述组中的1～3个取代基氰基；低级烷基磺酰基；低级烷基亚磺酰基；低级烷基硫基；卤素；羟基；低级烷氧基；芳烷基氧基；-NR11R12(式中，R11及R12相同或不同，表示氢原子、低级烷基、芳烷基、芳基、低级烷酰基、低级烷氧基羰基、芳酰基、低级烷基磺酰基或芳基磺酰基)；可以具有选自卤素、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基的芳香族杂环基；可以具有选自卤素、氧基、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基的脂肪族杂环基；以及可以具有选自卤素、氧基、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基的环烷基， 取代基C表示选自下述组中的1～3个取代基氰基；低级烷基磺酰基；低级烷基亚磺酰基；低级烷基硫基；卤素；羟基；低级烷氧基；芳烷基氧基；-NR11R12(式中，R11及R12分别与上述相同)；可以具有选自卤素、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基的芳香族杂环基；可以具有选自卤素、氧基、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基的脂肪族杂环基；可以被选自卤素、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基取代的芳基；可以被选自卤素、羟基及低级烷氧基中的1～3个取代基取代的低级烷基；以及可以具有选自卤素、氧基、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基的环烷基， 取代基D表示选自下述组中的1～3个取代基氧基；氰基；低级烷基磺酰基；低级烷基亚磺酰基；低级烷基硫基；卤素；羟基；低级烷氧基；芳烷基氧基；-NR11R12(式中，R11及R12分别与上述含义相同)；可以具有选自卤素、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基的芳香族杂环基；可以具有选自卤素、氧基、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基的脂肪族杂环基；可以被选自卤素、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的1～3个取代基取代的芳基；可以被选自卤素、羟基及低级烷氧基中的1～3个取代基取代的低级烷基；以及可以具有选自卤素、氧基、羟基、低级烷氧基及低级烷基中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大麻素２型（ＣＢ２）受体调节剂，含有通式（Ⅰ）表示的咪唑衍生物或其药学上允许的盐作为有效成分，　＊＊＊　（Ⅰ）　式中，Ｒ↑［１］表示可以具有取代基的低级烷基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的环烷基、可以具有取代基的 低级链烯基、可以具有取代基的脂肪族杂环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，　Ｒ↑［２］表示可以具有取代基的环烷基、可以具有取代基的脂肪族杂环基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的芳香族杂环基，　Ｒ↑［３］表示可以具有取代基的芳 基、可以具有取代基的稠合芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基或可以具有取代基的乙烯基，　ｎ表示０～３的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.5 JP 239907/20061、一种大麻素2型(CB2)受体调节剂，含有通式(I)表示的咪唑衍生物或其药学上允许的盐作为有效成分，式中，R1表示可以具有取代基的低级烷基、可以具有取代基的芳烷基、可以具有取代基的环烷基、可以具有取代基的低级链烯基、可以具有取代基的脂肪族杂环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，R2表示可以具有取代基的环烷基、可以具有取代基的脂肪族杂环基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的芳香族杂环基，R3表示可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的稠合芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基或可以具有取代基的乙烯基，n表示0～3的整数。2、如权利要求1所述的调节剂，其中，调节剂是激动剂。3、通式(IA)表示的咪唑衍生物或其药学上允许的盐，式中，R1A表示可以具有选自卤素、羟基及低级烷氧基中的1～3个取代基的低级烷基、或可以具有选自卤素、羟基及低级烷氧基中的1～3个取代基的低级链烯基，R2A表示可以具有选自氰基、卤素、羟基、低级烷氧基、低级烷基、氧基、低级烷氧基羰基及芳烷基中的1～3个取代基的环烷基；或可以具有选自氰基、卤素、羟基、低级烷氧基、低级烷基、氧基、低级烷氧基羰基及芳烷基中的1～3个取代基的脂肪族杂环基，R3A表示可以具有选自下述取代基组A中的1～5个取代基的芳基、可以具有选自下述取代基组A中的1～4个取代基的芳香族杂环基、可以具有选自下述取代基组A及氧基中的1～3个取代基的稠合芳香族烃基、可以具有选自下述取代基组A及氧基中的1～3个取代基的脂肪族杂环基、或可以具有选自下述取代基组A中的1～3个取代基的乙烯基，nA表示1～3的整数，取代基组A表示由下述基团构成的组(i)卤素；(ii)硝基；(iii)氰基；(iv)-OR4，式中，R4表示氢原子、可以被下述取代基B取代的低级烷基、可以被下述取代基D取代的环烷基、可以被下述取代基C取代的芳烷基、可以被下述取代基C取代的芳基、可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基、可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基、可以被下述取代基B取代的低级烷酰基或可以被下述取代基C取代的芳酰基；(v)-COR6，式中，R6表示氢原子、可以被下述取代基B取代的低级烷基、可以被下述取代基D取代的环烷基、可以被下述取代基C取代的芳烷基、可以被下述取代基C取代的芳基、可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基或可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基；(vi)-NR7R8，式中，R7及R8分别相同或不同，表示氢原子、羟基、可以被下述取代基B取代的低级烷氧基、氨基、可以被下述取代基B取代的低级烷基氨基、可以被下述取代基B取代的低级烷基、可以被下述取代基B取代的低级链烯基、可以被下述取代基D取代的环烷基、可以被下述取代基C取代的芳烷基、可以被下述取代基C取代的芳基、可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基、可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基、可以被下述取代基B取代的低级烷氧基羰基、可以被下述取代基B取代的低级烷酰基、可以被下述取代基D取代的环烷基羰基、可以被下述取代基C取代的芳烷基羰基、可以被下述取代基C取代的芳酰基、可以被下述取代基B取代的低级烷基磺酰基、可以被下述取代基D取代的环烷基磺酰基、可以被下述取代基C取代的芳烷基磺酰基、可以被下述取代基C取代的芳基磺酰基、可以被下述取代基B取代的低级烷基氨磺酰基、可以被下述取代基B取代的二低级烷基氨磺酰基、氨基甲酰基、可以被下述取代基B取代的低级烷基氨基甲酰基或可以被下述取代基B取代的二低级烷基氨基甲酰基、或R7及R8与邻接的氮原子一起表示可以被下述取代基C取代的含氮杂环基；(vii)-C(＝W)NR9R10，式中，W表示氧原子或硫原子，R9及R10分别相同或不同，表示氢原子、羟基、可以被下述取代基B取代的低级烷氧基、氨基、可以被下述取代基B取代的低级烷基氨基、可以被下述取代基B取代的低级烷基、可以被下述取代基B取代的低级链烯基、可以被下述取代基B取代的低级烷酰基、可以被下述取代基D取代的环烷基、可以被下述取代基C取代的芳烷基、可以被下述取代基C取代的芳基、可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基或可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基，或R9及R10与邻接的氮原子一起表示可以被下述取代基C取代的含氮杂环基；(viii)可以被下述取代基B取代的低级烷基；(ix)可以被下述取代基D取代的脂肪族杂环基；(x)可以被下述取代基C取代的芳烷基；(xi)可以被下述取代基C取代的芳基；(xii)可以被下述取代基C取代的芳香族杂环基；(xiii)可以被下述取代基D取代的环烷基；(xiv)可以被下述取代基B取代的低级烷基硫基；(xv)可以被下述取代基B取代的低级烷基亚磺酰基；(xvi)可以被下述取代基B取代的低级烷基磺酰基；(xvii)可以被下述取代基B取代的低级烷基氨磺酰基；(xviii)可以被下述取代基B取代的二低级烷基氨磺酰基；(xix)-C(＝C(CN)2)R13，式中，R13表示低级烷基；及(xx)-C(＝NOR14)R15，式中，R14表示氢原子或低级烷基，R15表示低级烷基，取代基B表示选自下述组中的1～3个取代基氰基；低级烷基磺酰基；低级烷基亚磺酰基；低级烷基硫基；卤素；羟基；低级烷氧基；芳烷基氧基；-NR11R12，式中，R11及R12相同或不同，表示氢原子、低级烷基、芳烷基、芳基、低级烷酰基、低级烷氧基羰基、芳酰...

【专利技术属性】
技术研发人员：小坂田直人，小坂田真理子，泽田贵史，金子聪，水谷敦子，上坂范明，中里宜资，片山圭士，菅原正森，北村雄志，
申请(专利权)人：协和发酵麒麟株式会社，
类型：发明
国别省市：JP