圆片形高密度记录介质制造技术

技术编号:5424058 阅读:192 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及包含基片和顺序布置在基片上的记录层和透光层的光记录介质;其中基片包含一个或多个选自注入成型部分、具有模制表面层和模制芯层的注入成型夹层结构或两个经UV-粘合的注入成型部分,及其组合的部分;且其中基片在25℃、2000Hz下,按照ASTME?756-05测定时,具有至少2.15GPa的杨氏模数E和低于160的品质因数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】圆片形高密度记录介质
技术介绍
用于记录和复制信息信号,例如用于记录声音或图像的已知的记录介质包括圆片 形光记录介质和圆片形磁记录介质。 在这些记录介质中,有光盘(例如通过刻凹纹和凹槽,在其上刻写有作为微小-不 规则纹路(irregularities)的信息信号)、相变光盘、永磁(magneto)-光盘、采用光磁效应 的记录胶片,和用于磁写信号的硬盘。为了在光记录介质上形成记录层,在这些具有与信息信号,例如数据信息或跟踪 伺服信号有关的微小-不规则纹路,例如相凹纹或预-凹槽(pre-grooves)的记录介质中, 通常使用塑料材料的基片的注入成型。特别是,使用注入成型装置,金属模型和母盘压模 (stamper)形成圆片形基片,而信息信号此时由母盘压模描述。为读出和记录信息至这样的光盘上,通常将具有波长λ的激光束通过给定的数 值孔径NA的单一物镜通过厚度d>> λ的透光层并以物镜和透光层的表面之间的工作距 离WD>> λ聚焦到记录层上。因此聚焦激光束的光点直径D被给定为D= λ/NA0市售可 获得的盘如激光压缩磁盘(⑶,λ . = 780nm, NA = 0. 45,d = 1. 2mm)、数字通用光盘(DVD, λ = 650nm, NA = 0. 60,d = 0. 6mm)、高清晰度数字通用光盘(HD-DVD,λ = 405nm, NA = 0. 65,d = 0. 6mm)或蓝光光盘(Blu-raydiscs) (BD, λ = 405nm, NA = 0. 85,d = 0. 1mm)正 采用这种远磁场光学原理。通过减少λ和增加ΝΑ,可减少光点直径D,由此可增加数据密 度。然而在这样的光学远磁场(d和WD >> λ)下,物镜的NA被限制于< 1.0 的值。为进一步增加数据密度,NA必须变得大于1.0,其可通过近场光学(NFR)实 现。一种NFR仪器可通过使用所谓的固体油浸物镜(SIL)(见,例如S. Μ. Mansfield, W. R. Studenmund, G. S. Kino,和K. Osato,“用于光存储磁头的高级数字快门透镜系统 (High-numerical-aperture lens system for an optical storage head), " Opt. Lett. 18,305ff(1993),这些文献的全部内容通过参考结合到本文中)进行。例如,在由NA < 1.0的远磁场透镜和用具有折射率11皿的材料制得的半球形透镜组成的透镜系统中,有 效的数值孔径NAeff由NA. nSIL给出,如果nSIL足够大,该值将超过1. 0。另一个仪器可通过直 径0#<< λ的小孔进行,其可或者通过具有非常窄的端孔的纤维光学(见,如H.BrUckl, Physik in unserer Zeit,28,Jahrgang 1997Nr. 2,ρ 67ff,这些文献的全部内容通过参 考结合到本文中)或者通过光学上的非线性响应薄屏蔽层(所谓的超分辨率强化近场结 构(Super ResolutionEnhanced Near Field Structure),见,如 J. Tominaga, et al., AppliedPhysics Letters, Vol 73 (15) 1998pp. 2078-2080,这些文献的全部内容通过参考 结合到本文中)实现。NFR利用透镜系统或孔的表面和盘或记录层的表面之间的WD << λ的电磁 场。例如,在 K. Saito et al.,Technical Digest ISOM 2001,p244ff,已显示工作距离 WD << 405nm, SIL的渐消失波的足够的光可结合到盘中,以便SIL的NAeff可增加至远磁场 限度1. 0以上。还显示出WD的准确度必须被控制至数nm的水平,以得到稳定的再现信号(reproducing signal) 0这可理解为渐消失波的强度与离开透镜表面的距离呈指数衰减。 为建立这样的控制机理,有效的反馈伺服循环由T. Ishimoto et al. , Technical Digest ISOM/ODS 2002,WC3,ρ 287ff提出并引入,这些文献的全部内容通过参考结合到本文中。这 种伺服循环也能够补偿来自转盘的模态振荡(modal oscillations)的WD的波动(J. I.Lee et al.,Technical Digest ODS 2006MC4, ρ 43ff,该文献的全部内容通过参考结合到本 文中)。然而由于伺服循环的带宽限制,这样的补偿仅在较低的光盘转速时和在具有众数 频率< 800Hz的低频模态振荡下起作用。因此,由于例如直径120mm、厚度1. Imm的整块 (massive)聚碳酸酯盘的高频模态振荡的振幅,存在数据传送速率的限制。其中公开的基片 不能满足本专利技术的基片的要求,为改善盘在高速旋转时的间歇(gap)伺服控制操作,尤其 必须改进盘的高频模态振荡行为。模态振荡的特征在于其众数频率fn,根据4与(E/p)°_5的比例(也见方程式1),fn与盘的几何形状和杨氏模数E (Young' s modulus Ε)和质量密度ρ的定量(ration)有 关。品质因数Q(见方程式2)通过Q = 3/tan δ (损耗角正切值)而与tan δ有关。在该 意义上,Q可被用作阻尼如tan δ的量度。低Q意指高阻尼,因为tan δ是高的。一般来说, E和Q显示出对频率f的明显的依赖性。US 6,908,655B2,该文献的全部内容通过参考结合到本文中,集中讨论了约140Hz 的低频(最初)模态振荡(其典型地发生在直径120mm,厚度1. Imm的整块聚碳酸酯盘)的 影响并且还与远场光拾音头有关。WO 00/48172,该文献的全部内容通过参考结合到本文中,集中讨论了盘的最初众 数频率(< 300Hz)行为,据说最初众数频率应优选处于该盘的旋转工作范围之外。就高频 模态振荡(>=2000Hz)的行为而言,没有公开其解决方案。比较实施例3(其在本申请的 实验部分提出,以WO 00/48172的实施例2为基础)显示实施关于阻尼的低频要求的解决 方案不能满足本专利技术的高频要求。WO 2003/005354A1,该文献的全部内容通过参考结合到本文中,描述了特殊的共 聚碳酸酯(copolycarbonates)以获得该盘的改进的阻尼,该公开在关于聚合物的化学结 构上不同于本专利技术,或者描述了涉及阻尼的低(最初)众数频率的要求,但未描述本专利技术的 高频要求。其它解决方案获得低频(1Ηζ-16Ηζ)的改进的阻尼,然而其对在US 6,391,418B1、 EP 1158024A1和US 2004/0265605A1中公布的本专利技术的高频模态振荡要求是不充分的,这 些文献的全部内容通过参考各自结合到本文中。US 6,391,418B1描述了由聚碳酸酯组合物 制得的用于信息记录介质的基片,所述组合物包含粘均分子量10. 000-40. 000的聚碳酸酯 和联苯、三苯化合物或其混合物。EP 1158024A1描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光记录介质,其包含基片和顺序布置在基片上的记录层和透光层;其中基片包含一个或多个选自注入成型部分、具有模制表面层和模制芯层的注入成型夹层结构或两个经UV-粘合的注入成型部分,及其组合的部分;且其中基片在25℃、2000Hz下,按照ASTME756-05测定时,具有至少2.15GPa的杨氏模数E和低于160的品质因数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:F布鲁德W黑斯R奥泽J韦卡德W费希尔R普罗特J韦尔K希尔登布兰德
申请(专利权)人:拜尔材料科学股份公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

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