有源矩阵有机电光装置制造方法及图纸

技术编号:5422240 阅读:149 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术总的来说涉及有源矩阵有机电光装置且涉及有关的显示器驱动方法。在实施例中,本发明专利技术涉及包括可以用于显示驱动或者其他功能的附加电路的顶部发光OLED(有机发光二极管)显示器。一种有源矩阵有机电光装置,该装置具有多个像素且包括承载每个所述像素的像素接口电路和所述像素接口电路之上的有机材料的衬底,其中,配置所述装置以使得在所述装置的至少一部分区域之上所述像素接口电路关于所述像素交错,以使得至少一个所述像素下的区域不完全由所述像素接口电路占据,且其中在由所述像素接口电路不完全占据的所述区域中制造用于所述装置的附加电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵有机电光装置本专利技术总的来说涉及有源矩阵有机电光装置。在实施例中,本发 明涉及包括可以用于显示驱动或者其他功能的附加电路的顶部发光OLED (有机发光二极管)显示器,并涉及有关的显示驱动方法。 有机发光二极管显示器使用OLED制造的显示器提供了与LCD及其他平板技术相比的 多个优点。它们亮、色彩丰富、切换快速(相比LCD),提供宽的视 角且易于且低成本地在各种衬底上制造。在取决于采用的材料的颜色 范围中,可以使用包括聚合物,小分子和树枝状结晶(dendrimer)的 材料制造有机(这里包括有机金属)LED。在WO 90/13148, WO 95/06400和WO 99/48160中描述了基于聚合物的有机LED的实例; 在WO 99/21935和WO 02/067343中描述了基于树枝状结晶的材料的 例子;且在US 4,539,507中描述了所谓的基于小分子的装置的实例。典型的OLED装置包括两层有机材料,其中之一是例如发光聚 合物(LEP)、低聚物或者发光低分子量材料的发光材料,且另一层 是例如聚瘗吩衍生物或者聚苯胺衍生物的空穴传输材料的层。可以将有机LED以像素的矩阵的方式淀积在衬底上以形成单色 或者多色的像素化(pixellate)的显示器。可以使用发出红色、绿色 和蓝色像素的組构造多色显示器。所谓的有源矩阵(AM)显示器具 有与每个像素相关的存储元件,典型地是存储电容器和晶体管,而无 源矩阵显示器没有这种存储元件,且替代地,被反复地扫描以给出稳 定图像的效果。能够在WO 99/42983和EP 0,717,446A中分别找到聚 合物和小分子有源矩阵显示驱动器的实例。显示器可以是底部发光或者顶部发光的。在底部发光显示器中, 通过在其上制造有源矩阵电路的村底发射光;在顶部发光显示器中,向着显示器的正面发射光,且光不必通过其中制造有源矩阵电路的显 示器的层。图la和lb分别示出了底部发光和顶部发光OLED显示器的示 意图。在图la和lb中,衬底IO承载了用于每个像素的有源矩阵驱动 电路12,在该有源矩阵驱动电路12上设置OLED像素14。从图la 可以看到,概括地讲,在底部发光OLED显示器(或者在LCD显示 器)中,显示器像素位于没有被有源矩阵电子设备占据的区域中。但 是,在顶部发光显示器中,情况不是这样。顶部发光OLED显示器不如底部发光显示器普遍,这是由于典 型地,上电极包括阴极且必须是至少部分透明的,且具有足够的导电 率并优选地提供在下面的有机层的封装度。尽管如此,已经描述了大 量顶部发光结构,包括在申请人公布的PCT申请WO 2005/071771中 (在这里完全包括并整体作为参考),其描述了并入光学干涉结构中 以增强从OLED像素发出的光量的阴极。顶部发光OLED结构的实例图lc示出了穿过顶部发光有源矩阵OLED显示器100的一部分 的垂直截面图(为了说明的目的某种程度上进行了简化)。在该实例中,显示器具有支撑其中形成有驱动电路(如图所示, 包括通路)的多个多晶硅和/或金属化和绝缘层104的玻璃或塑料衬底 102。该组层的最上层包括其上淀积有阳极层106的绝缘和钝化氧化层 (Si02)。该阳极可以包括现有的金属层,例如铂层。由于显示器是 顶部发光的,因此也可以采用不透明衬底,例如钢。例如,通过旋涂和随后的图案化,或通过使用基于喷墨的淀积方 法的选择性淀积(参见,例如,EP 0880303或者WO 2005/076386), OLED材料108的一个或多个层被淀积在阳极106之上,。在基于聚 合物的OLED的情况下,层108包括空穴传输层108a和发光聚合物 (LEP)电致发光层108b。电致发光层可以包括例如PPV (聚(p-苯乙炔)),以及空穴传输层可以包括,例如,PEDOT:PSS (聚苯乙7烯國磺酸盐掺杂聚乙烯隱二氧嚷汾,polystyrene-sulphonate-doped polyethylene-dioxythiophene ),空穴传输层帮助匹配阳极层和电致发 光层的空穴能级。多层阴极110位于OLED材料108之上,且在顶部发光装置中, 该多层阴极110在该装置被设计发光的波长处至少是部分透明的。对 于聚合物LED,阴极优选地具有小于3.5eV的功函数,且可以包括具 有低功函数的第一层,例如诸如钙,镁或者钡的金属,以及可以包括 与LEP层108b相邻的第二层,提供有效率的电子注入,例如,其是 氟化钡或者另一金属氟化物或者氧化物。阴极110的顶层(也就是离 LEP 108b最远的层)可以包括诸如金或银的高导电金属的薄膜。具有 小于50nm,更优选地小于20nm的厚度的金属层已经被认为是足够光 学透明的,尽管优选地将该薄层的电阻保持为低,优选地小于100 ohms/square,更优选地小于30 ohms/square。该阴极层可以用于形成 阴极线,该阴极线能够在装置的侧面被引出以进行接触。在一些配置 中,阳极,OLED材料,和阴极层可以由隔挡物(或者壁)分开,例 如隔挡物112,例如,其是由正性或者负性光致抗蚀剂材料以与衬底 的平面大约15°的角度形成的(在图1中为便于说明问题起见示出其 更陡峭)。本专利技术人认识到顶部发光OLED结构促进附加功能性的集成。
技术实现思路
因此,根据本专利技术的第一方面,提供了一种有源矩阵有机电光装 置,该装置具有多个像素且包括衬底,所述衬底承载用于每个所述像 素的像素接口电路和所述像素接口电路之上的有机材料,其中,配置 所述装置以使得在所述装置的至少一部分区域之上,所述像素接口电 路相对于所述像素交错,以使得至少其中 一个所述像素下的区域不完 全由所述像素接口电路占据,且其中在由所述像素接口电路不完全占 据的所述区域中制造用于所述装置的附加电路。本专利技术人认识到,在用于顶部发光显示器的一般类型的结构中, 有源矩阵驱动电路能够被空间地偏移以为附加电路腾出空间。利用顶8部发光显示器的像素和它的驱动电路的确切的共同定位的减少的要求,该附加的、非像素对准的电路可用于添加功能性和/或改进OLED 显示器的性能。由此该附加功能性可以包括,例如,减少编程时间的 信号升压或者再生,性能采样电路,诸如校准电路或者老化检测补偿 电路,光检测电路,或者用于实现触觉传感器以提供触敏式显示器的 电路。由此在一些优选实施例中,该附加电路包括包含至少一个半导 体装置的有源电路。在一些优选实施例中,该有机电光装置包括顶部发光有源矩阵 OLED显示器,像素接口电路之上的有机材料包括OLED材料。在这 种实施例中,接口电路优选地包括像素驱动电路。然而,概念的应用 不局限于顶部发光有源矩阵OLED结构,而可以由其他类型的顶部发 光电子荧光结构来应用,以及在其他类似结构的环境中采用,例如包 括(但不限于)光伏电压(PV)装置结构,和传感器结构。优选地,该接口驱动电路关于像素交错以使得相邻像素对下的区 域不完全被该电路占据。在实施例中,在整个显示器的区域每隔规则 间隔设置由接口或者驱动电路不完全占据的区域,例如,其每一个与 一組像素相关。附加电路可能包括共享接口驱动电路,例如,其提供 驱动信号给上述像素组。例如,可以沿着显示器的行和/或列的数据线 间隔地设置这种共享驱动电路本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种有源矩阵有机电光装置,该装置具有多个像素且包括衬底,所述衬底承载用于每个所述像素的像素接口电路和所述像素接口电路之上的有机材料,其中,配置所述装置以使得在所述装置的至少一部分区域之上,所述像素接口电路相对于所述像素交错,以使得至少其中一个所述像素下的区域不完全由所述像素接口电路占据,且其中在由所述像素接口电路不完全占据的所述区域中制造用于所述装置的附加电路。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:俄恩史密斯
申请(专利权)人:剑桥显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:GB[英国]

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