一种矩阵微电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种矩阵微电子装置，其包含：依照一矩阵来排列的多个基本单元（１００１１，１００１２，１００２１，１００２２），其中各个基本单元至少包含一由至少一个电流源晶体管（Ｔ１）所形成的电流源；晶体管（Ｔ１）的源极连接至多个电源偏压导线（１０５１，１０５２）中的一电源偏压导线，其中电源偏压导线分别连接矩阵的列单元的各个电流产生器晶体管的源极；晶体管（Ｔ１）的栅极连接至多个栅极偏压导线中的一栅极偏压导线（１０７１，１０７２），其中栅极偏压导线连接矩阵列单元的各个电流产生器晶体管的各栅极。本发明专利技术的一种矩阵微电子装置，特别是用于电磁辐射（例如，Ｘ射线）的检测，其中该装置的基本单元或元素分别设有一不具有缺失的电流源。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种矩阵微电子装置，其特征在于：其包含：依照一矩阵来排列的多个基本单元（１００↓［１１］，１００↓［１２］，１００↓［２１］，１００↓［２２］），其中所述各个基本单元至少包含一由至少一个电流源晶体管（Ｔ↓［１］）所形成的电流源；－所述晶体管（Ｔ↓［１］）的源极连接至多个电源偏压导线（１０５↓［１］，１０５↓［２］）中的一电源偏压导线，其中所述电源偏压导线分别连接所述矩阵的列单元的各个电流产生器晶体管的源极；－所述晶体管（Ｔ↓［１］）的栅极连接至多个栅极偏压导线中的一栅极偏压导线（１０７↓［１］，１０７↓［２］），其中所述栅极偏压导线连接所述矩阵列单元的各个电流产生器晶体管的各栅极；其中该装置还包含用以偏压所述栅极偏压导线的手段，其包含：－至少一第一连接线（１０８，２１８），其可连接至至少若干所述栅极偏压导线，－用以产生电流（２１０）或电压（１１０－１２０）的手段，其设在所述第一连接线的至少一端上，以及提供用以产生沿所述第一连接线的电位变化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔诺佩泽拉，马克阿尔克，珍吕克马丁，
申请(专利权)人：法国原子能与替代能委员会，
类型：发明
国别省市：FR[]