使用两个被接合的层的可编程ＲＯＭ及操作方法技术

一种实现为３Ｄ集成装置（１０）的只读存储器，其具有第一层（１０′），第二层（１０″），以及用于将该第一层连接到该第二层的被接合的层间连接（２８、３０、３２、３４、３６、３８）。两层之间的物理接合实现对只读存储器的编程。层可以是晶圆的形式或管芯的形式。第一层包括功能性有源装置（２６、２７、４６、４８、４９）和至少一个未编程的有源装置（４０、４１、４２、４３）。第二层至少包括与至少一个未编程的有源装置关联的导电线路（１６、１７）。该被接合的层间连接包括至少一个被接合的可编程层间连接（３２、３４、３６、３８），以用于对该至少一个未编程的有源装置进行编程，并且用于为被编程的有源装置提供导电线路。因此，这两层形成了被编程的ＲＯＭ。通过接合这两层可以实现其他类型的可编程存储装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及半导体，具体地讲，涉及半导体只读存储器(ROM)及其编程。
技术介绍
已知为3D (三维)集成技术的集成技术在单个集成电路中使用各种类型电路的分 层的堆叠，以减少整个电路的引脚。3D集成技术的一个应用是用于半导体存储器或用于存 储器加上逻辑电路。然而，这种3D技术涉及复杂的半导体制造技术。通常在集成电路中实现可编程的只读存储器(ROM)。对这种存储器进行的编程可 以在存储器制造之后，并且该情况被已知为现场可编程；或在存储器制造期间，该情况被已 知为掩模只读存储器。制造之后被编程的一种存储器是现场可编程存储器，并且典型地，其 使用熔丝或反熔丝。现场可编程存储器需要在掩模ROM中不需要的额外的电路，并且另外 的电路占用电路面积并增加成本。例如，执行现场编程涉及高编程电压。另外，现场编程慢， 并消耗大量的测试设备时间。通过使用编程掩模来在制造期间进行编程的存储器避免现场 可编程ROM的慢速编程的开销。但是，其缺点在于，该集成电路和客户定制集成电路相似， 并且需要特有的工艺和处理。因此对这种类型的产品，必须更加仔细地对其库存控制进行 监测。另外，如果在制造过程中编程发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可编程只读存储器，包括：第一层，所述第一层包括功能性有源装置和至少一个未编程的有源装置；第二层，所述第二层至少包括与所述至少一个未编程的有源装置关联的导电线路；以及被接合的层间连接，所述被接合的层间连接用于将所述第一层连接到所述第二层，所述被接合的层间连接包括至少一个被接合的可编程层间连接，以用于对所述至少一个未编程的有源装置进行编程，并且用于将所述导电线路与所述至少一个未编程的有源装置关联。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：赛义德M阿拉姆，罗伯特E琼斯，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]