使用低等硅原料制成半导体晶锭的方法和系统技术方案

本发明专利技术公开了硅晶锭生成技术使用低级硅原料在一坩埚设备内由低级硅原料形成熔融硅并对坩埚设备内的熔融硅进行定向凝固。所述定向凝固形成一定量的固化硅和一定量的熔融硅。本发明专利技术的方法和系统包括将坩埚设备内的所述一定量的熔融硅的至少一部分去除，同时保留所述一定量的固化硅。对所述一定量的固化硅的定向凝固进行控制，同时去除受污染的熔融硅，能够形成一具有比低等硅原料更高级的硅的硅晶锭。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体材料(例如硅)的制造中使用的方法和系统，更具体地，本专利技术 涉及一种使用低纯度半导体原料制成高纯度半导体晶锭的方法和系统。
技术介绍
由于光伏(PV)行业的迅速发展，硅的消耗量越来越大，已经超过了传统应用如集 成电路(IC)中的消耗量。目前，太阳能电池行业与集成电路行业对硅的需求开始形成竞 争。无论在集成电路行业还是太阳能电池行业中，现有的制造技术都需要一种精练的、高纯 度的硅原料作为原始材料。太阳能电池的原材料范围包括从单晶的、电子级(electronic-grade) (EG)硅，到 纯度相对低一些的冶金级硅(MG)。电子级(EG)硅制成的太阳能电池效率接近理论极限(但 是价格高昂)，而冶金级(MG)硅通常不能用于生产工作的太阳能电池。早期的使用多晶硅 制成的太阳能电池效率相对较低，在6%左右。效率是衡量入射到电池上、由此收集并转换 成电流的能量的标准。但是，也有可能存在对太阳能电池制造业有用的其它半导体材料。目前，商业用电池是使用更高纯度的原料和改进的处理技术制成的，其效率为 对％。这些工程方面的进步使得该行业的效率达到了单晶硅太阳能电池效率的理论极限值本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用低级硅原料形成硅晶锭的方法，所述硅晶锭包含比所述低级硅原料更高级的硅，其特征在于：所述方法包括以下步骤：　　在一坩埚设备内由低级硅原料形成熔融硅；在坩埚设备内对所述熔融硅进行定向凝固以形成一硅晶锭，所述定向凝固形成一定量的固化硅以及一定量的熔融硅；将坩埚设备内至少一部分一定量的熔融硅去除，保留所述一定量的熔融硅；以及控制所述一定量的固化硅的定向凝固过程以形成一具有比低级硅原料更高级的硅的硅晶锭。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：F基尔希特，M豪雅，V阿布罗斯莫娃，D林克，JP拉克特里拉，K安拉杰拉，
申请(专利权)人：卡利太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]