氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构制造技术

本专利公开了一种ＡＩＮ晶体上的欧姆接触电极结构，ＡＩＮ材料结构包括：一衬底；一ＡＩＮ缓冲层；一本征型ＡＩＮ层。通过先在本征型ＡＩＮ上生长欧姆接触电极结构：钒金属层／铝金属层／钒金属层／金金属层，厚度依次为１５～２５μｍ／５０～１００μｍ／１５～２５μｍ／５０～１００μｍ；然后进行Ｉｎ离子注入，注入剂量大于１×１０１４ｃｍ－２，能量大于１５０ｋｅＶ；并进行高温退火激活工艺，制备出ＡＩＮ材料上的欧姆接触。ＡＩＮ欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。真空紫外器件的研制，将能为我国的太空探测提供技术支撑。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利涉及光电探测器制造工艺技术，具体指一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电 极结构。
技术介绍
GaN基材料，或称GaN及其相关氮化物材料，是指元素周期表中III族元素铝、镓和 V族元素氮形成的化合物AlN、GaN，以及由他们组成的多元合金材料AlxGai_xN等。GaN基三 元合金AlxGai_xN，随A1组分的变化带隙在3. 4 6. 2eV之间连续变化。GaN基材料由于其 直接带隙、截止波长可调、抗辐射能力强、对可见光不响应等特性，使之成为制备高性能半 导体紫外探测器的首选材料。一般而言，氮化镓基探测器，可分为可见盲波段工作和日盲波 段工作，分别对应于300 365nm和240 280nm ；另外，A1N是GaN基材料中带隙最宽的 半导体材料，由A1N制备的器件响应在200nm以内，只适于在真空环境中的应用研究，故常 被称为真空紫外波段。日盲型探测器和真空紫外探测器在军事和航天领域有广泛的应用前 景，也是国外对我国实行严格禁运的高科技项目。自上世纪90年代以来，随着宽禁带半导体材料和紫外探测器的迅猛发展，有关 III-V族宽禁带半导体材料及器件的研究掀起了一个高潮。在GaN基探测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构，其特征在于：在依次生长有厚度为０．１～２微米未掺杂的低温ＡｌＮ层和厚度为０．４微米的本征型ＡｌＮ的衬底（１）上通过电子束蒸发依次制作厚度为１５～２５μｍ的钒金属层（３），厚度为５０～１００μｍ的铝金属层（４），厚度为１５～２５μｍ的钒金属层（５），厚度为５０～１００μｍ的金金属层（６），采用高能离子注入机注入Ｉｎ离子退火后形成欧姆接触电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：储开慧，许金通，包西昌，李向阳，戴江，陈长清，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]