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本专利公开了一种ＡＩＮ晶体上的欧姆接触电极结构，ＡＩＮ材料结构包括：一衬底；一ＡＩＮ缓冲层；一本征型ＡＩＮ层。通过先在本征型ＡＩＮ上生长欧姆接触电极结构：钒金属层／铝金属层／钒金属层／金金属层，厚度依次为１５～２５μｍ／５０～１００μｍ／１...该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。
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本专利公开了一种ＡＩＮ晶体上的欧姆接触电极结构，ＡＩＮ材料结构包括：一衬底；一ＡＩＮ缓冲层；一本征型ＡＩＮ层。通过先在本征型ＡＩＮ上生长欧姆接触电极结构：钒金属层／铝金属层／钒金属层／金金属层，厚度依次为１５～２５μｍ／５０～１００μｍ／１...