一种瓷介质环形电容制造技术

本实用新型专利技术公开了一种瓷介质环形电容，包括介电陶瓷体，所述介电陶瓷体为中间穿孔的圆柱体构造，还包括设于所述介电陶瓷体内环面的内引线环和设于介电陶瓷体外侧面的外引线环，所述内引线环与外引线环相互隔离。本实用新型专利技术作为一种瓷介质环形电容，其一极设置在瓷介质内环面的内引线环上，另一极设置在瓷介质外侧面的外引线环上，可以根据具体需要调整两个端极间距，因此相对于普通电容而言，其爬电距离较大，安全系数更高；另一方面，本实用新型专利技术所述的瓷介质环形电容极板对中空的腔体部分可起到对外电场干扰的屏蔽作用；此外，本实用新型专利技术还具有体积小、结构紧凑，方便实用等特点，因此，适合推广应用。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种瓷介质环形电容
本技术涉及一种电容，尤其是涉及一种瓷介质环形电容。技术背景陶瓷高压电容是在高压交流电路中常使用的取电传感元件。由于通常高压电容是 圆柱体形状，且电容极板在两相对的圆平面上。使得在设计极板之间的距离大小时，在满足 较大的爬电距离和较大的电容量值上出现矛盾的选择为使极板间的爬电距离足够长，应 设计足够的圆柱高度，但越高的圆柱高度，又会使极板间距离越远，导致电容容量值越小。 同时，也使电容器与其他元件配合上，在空间体积的利用效率较低，以上缺陷便对电容的发 展及改进提出了新的要求。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的目的在于提供一种瓷介质环形电容。本技术为解决其技术问题所采用的技术方案是一种瓷介质环形电容，包括介电陶瓷体，所述介电陶瓷体为中间穿孔的圆柱体构 造，其特征在于还包括设于所述介电陶瓷体内环面的内引线环和设于介电陶瓷体外侧面 的外引线环，所述内引线环与外引线环相互隔离。进一步，所述内引线环与外引线环之间相互错开，两者之间形成一绝缘段。此外，所述介电陶瓷体内环面的底部设有卡位槽。本技术的有益效果是本技术作为一种瓷介质环形电容，由于其一极设 置在瓷介质内环面的内引线环上，另一极设置在瓷介质外侧面的外引线环上，可以根据具 体需要调整两个端极间距，因此相对于圆柱体电容而言，可以利用内外环面的长度增加爬 电距离和极板面积，同时可利用环柱的厚度缩短电容极板间的距离，在获得较大的极板间 爬电距离的同时，取得增大电容量的效果，有效解决极板距离设计的矛盾；另一方面，本实 用新型所述的瓷介质环形电容内外圆柱面极板正好可以为中央的圆柱体空腔部分提供对 外部的电场的屏蔽作用；瓷介质环形电容在提高传感器体积利用率的同时，还具有对中央 腔体的电场屏蔽功能；此外，本技术还具有体积小、结构紧凑，方便实用等特点，因此适 合推广应用。附图说明以下结合附图和具体实施例对本技术做进一步说明图1是本技术的整体结构示意图；图2是本技术的俯视示意图。具体实施方式参照图1和图2，一种瓷介质环形电容，包括介电陶瓷体1，所述介电陶瓷体1为中间穿孔的圆柱体构造，其特征在于还包括设于所述介电陶瓷体1内环面的内引线环2和设 于介电陶瓷体1外侧面的外引线环3，所述内引线环2与外引线环3相互隔离。作为本技术的优选实施方式，所述内引线环2与外引线环3之间相互错开，两 者之间形成一绝缘段。所述瓷介质环形电容的一极设置在瓷介质内环面的内引线环2上，另一极设置在 瓷介质外侧面的外引线环3上，从图1中可以看出，所述内引线环2与外引线环3之间有一 段绝缘间距区，可以根据实际需要来调整两个端极之间的距离，因此相对于普通电容而言， 其爬电距离较大，安全系数更高。本技术所述的瓷介质环形电容一般用在高压交流传感器中。可用于直接从高 压交流电中获取微弱的电能供电子式传感器的其他电路工作用，并且对于电子式传感器的 电压信号获取电路提供电场屏蔽作用。例如，通过与电阻串的配合使用，用作高压取电装置 的前级的限流降压部分，此时内环电极接高电压，外环电极接低电压，可屏蔽外部电场对中 央电阻串的影响，从而提高电压取样的精度和稳定性。此外，所述介电陶瓷体1内环面的底部设有卡位槽4。以上对本技术的较佳实施进行了具体说明，当然，本技术还可以采用与 上述实施方式不同的形式，熟悉本领域的技术人员在不违背本专利技术精神的前提下所作的等 同的变换或相应的改动，都应该属于本技术的保护范围内。权利要求1.一种瓷介质环形电容，其特征在于包括介电陶瓷体(1)，所述介电陶瓷体(1)为中 间穿孔的圆柱体构造，介电陶瓷体(1)内环面设有内引线环(2)，外环面设有外引线环(3)， 所述内引线环(2)与外引线环(3)相互隔离。2.根据权利要求1所述的一种瓷介质环形电容，其特征在于所述内引线环(2)与外引 线环(3)之间相互错开，两者之间形成一绝缘段。3.根据权利要求1所述的一种瓷介质环形电容，其特征在于所述介电陶瓷体(1)内环 面的底部设有卡位槽(4)。专利摘要本技术公开了一种瓷介质环形电容，包括介电陶瓷体，所述介电陶瓷体为中间穿孔的圆柱体构造，还包括设于所述介电陶瓷体内环面的内引线环和设于介电陶瓷体外侧面的外引线环，所述内引线环与外引线环相互隔离。本技术作为一种瓷介质环形电容，其一极设置在瓷介质内环面的内引线环上，另一极设置在瓷介质外侧面的外引线环上，可以根据具体需要调整两个端极间距，因此相对于普通电容而言，其爬电距离较大，安全系数更高；另一方面，本技术所述的瓷介质环形电容极板对中空的腔体部分可起到对外电场干扰的屏蔽作用；此外，本技术还具有体积小、结构紧凑，方便实用等特点，因此，适合推广应用。文档编号H01G4/12GK201820638SQ201020561398公开日2011年5月4日 申请日期2010年10月14日 优先权日2010年10月14日专利技术者邱嘉文 申请人:珠海威瀚科技发展有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瓷介质环形电容，其特征在于：包括介电陶瓷体（１），所述介电陶瓷体（１）为中间穿孔的圆柱体构造，介电陶瓷体（１）内环面设有内引线环（２），外环面设有外引线环（３），所述内引线环（２）与外引线环（３）相互隔离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱嘉文，
申请(专利权)人：珠海威瀚科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]