共阴极双二极管的内部封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种共阴极双二极管的内部封装结构，包括管芯和引线框架；所述引线框架包含有３个相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射极；所述管芯由２个相互连接成一体的二极管芯片所构成；这２个二极管芯片的阴极均处于管芯的背面，并同时覆贴在引线框架的集电极上；而２个二极管芯片的阳极则处于管芯的正面，其中１个二极管芯片的阳极通过内部导线与引线框架的基极相连，另１个二极管芯片的阳极则通过内部导线与引线框架的发射极相连。这既能提高贴片的生产效率，同时也能够在一定程度上避免二极管芯片的损坏。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体封装领域，具体涉及一种共阴极双二极管的内部封装 结构。
技术介绍
二极管芯片有两个电极，阴极和阳极。如果将二极管芯片封装在具有三个电极的 三极管外形中，有四种组合方式1、单二极管，集电极C为阴极，基极B为阳极，空一个电极； 2、共阳极双二极管，两个二极管的阳极公用集电极C，两个二极管的阴极分别为基极B和发 射极E ;3、串联双二极管，一个二极管的阳极为基极B，阴极为集电极C，集电极C同时又是 另一个二极管的阳极，另一个二极管的阴极为发射极E ;4、共阴极双二极管，两个二极管的 阴极公用集电极C，两个二极管的阳极分别为基极B和发射极E。第4种组合方式，即共阴 极双二极管相对于其他组合方式而言比较特殊，即两颗二极管芯片都贴在中间的集电极焊 区。传统的共阴极双二极管在进行封装时，一般都是使用两颗独立的二极管芯片，分两次贴 片在公用的集电极后封装成型的。这种结构的共阴极双二极管在封装成三极管外形时，必 需经历以下2个步骤首先在晶园片切割划片时，需要额外在其中一个方向上多划一刀，以 保证晶园片上的每个二极管芯片均能形成一个独立的个体；其次需要分两次贴片才能够将 2个相对独本文档来自技高网...

【技术保护点】
共阴极双二极管的内部封装结构，包括管芯（１）和引线框架（２）；所述引线框架（２）包含有３个相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射极；其特征在于：所述管芯（１）由２个相互连接成一体的二极管芯片（１－１）所构成；这２个二极管芯片（１－１）的阴极均处于管芯（１）的背面，并同时覆贴在引线框架（２）的集电极上；而２个二极管芯片（１－１）的阳极则处于管芯（１）的正面，其中１个二极管芯片（１－１）的阳极通过内部导线（３）与引线框架（２）的基极相连，另１个二极管芯片（１－１）的阳极则通过内部导线（３）与引线框架（２）的发射极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇昌，周潘衡，彭顺刚，蒋振荣，邹锋，彭志容，
申请(专利权)人：桂林斯壮微电子有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：45[中国|广西]