【技术实现步骤摘要】
IGBT过电流保护装置
本技术涉及一种IGBT过电流保护装置。技术背景IGBT作为功率器件，价格相对昂贵。当IGBT出现过流时，容易把器件烧坏， 而现在还未有比较有效的检测及保护措施。
技术实现思路
本技术目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种IGBT过电流保护装置。本技术为实现上述目的，采用如下技术方案本技术IGBT过电流保护装置，包括三个电阻和光耦，其中第一和第二电阻 的一端分别接IGBT的输入端，第二电阻的另一端接光耦的一个输入端，第一电阻的另一 端分别接IGBT的输出端和接光耦的另一个输入端，光耦的电源端接直流电源VCC，光 耦的输出端串接第三电阻后接地。本技术经济实用，简单可靠，响应速度快。附图说明图1 本技术的电路原理图。具体实施方式如图1所示，本技术IGBT过电流保护装置，其特征在于包括三个电阻和光 耦U1，其中第一和第二电阻Rl、R2的一端分别接IGBT的输入端，第二电阻R2的另一 端接光耦Ul的一个输入端，第一电阻Rl的另一端分别接IGBT的输出端和接光耦Ul的 另一个输入端，光耦Ul的电源端接直流电源VCC，光耦Ul的输出端串接第三电阻R3后 接地。权利要求1. 一种IGBT过电流保护装置，其特征在于包括三个电阻和光耦(Ul)，其中第一和 第二电阻(Rl、R2)的一端分别接IGBT的输入端，第二电阻(R2)的另一端接光耦(Ul) 的一个输入端，第一电阻(Rl)的另一端分别接IGBT的输出端和接光耦(Ul)的另一个输 入端，光耦(Ul)的电源端接直流电源VCC，光耦(Ul)的输出端串接第三电阻(R3)后 接地。专利摘要本技术公布了一种I...
【技术保护点】
一种ＩＧＢＴ过电流保护装置，其特征在于包括三个电阻和光耦（Ｕ１），其中第一和第二电阻（Ｒ１、Ｒ２）的一端分别接ＩＧＢＴ的输入端，第二电阻（Ｒ２）的另一端接光耦（Ｕ１）的一个输入端，第一电阻（Ｒ１）的另一端分别接ＩＧＢＴ的输出端和接光耦（Ｕ１）的另一个输入端，光耦（Ｕ１）的电源端接直流电源ＶＣＣ，光耦（Ｕ１）的输出端串接第三电阻（Ｒ３）后接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵建南，
申请(专利权)人：无锡物华电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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