在低温衬底上制备ＦＴＯ透明导电薄膜的方法技术

本发明专利技术提供一种在低温衬底上制备ＦＴＯ透明导电薄膜的方法，包括：在高温下在耐高温衬底上制备ＦＴＯ薄膜；通过透明粘结剂将所述ＦＴＯ薄膜与低温衬底粘结在一起，得到包含有耐高温衬底、ＦＴＯ薄膜、透明粘结剂以及低温衬底的膜片；将所得到的膜片投入到化学处理液中，待所述耐高温衬底完全溶于所述化学处理液后，取出由ＦＴＯ薄膜、透明粘结剂以及低温衬底所组成的ＦＴＯ透明导电薄膜；其中，所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底，且不会与所述的ＦＴＯ薄膜、透明粘结剂以及低温衬底发生反应。本发明专利技术彻底解决了在低温衬底上不能制备ＦＴＯ透明导电薄膜的难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及FTO透明导电薄膜的制备方法，特别涉及在低温衬底上制备FTO透明 导电薄膜的方法。
技术介绍
透明导电氧化物(Transparent Conducting Oxides-TCO)薄膜因其同时具备高光 学透过率和低电阻的性能而在当今及未来的多种领域中有着极其广泛的应用，如太阳能电 池、平板显示器、传感器以及各种光电或电光器件。TCO薄膜的厚度一般在几十纳米至微米 量级之间，因此该类薄膜往往需要附着在透明基底上，玻璃是使用最为广泛的透明基底。制 备有透明导电氧化物薄膜的玻璃基底被称为透明导电玻璃。透明导电玻璃的应用非常广 泛，例如镀有低辐射(Low-E)膜的中空玻璃，隔离电磁辐射的屏蔽玻璃，雷达波衰减玻璃， 抗静电玻璃，可加热玻璃，触摸面板，透明电极等等。适合制备透明导电氧化物薄膜的半导 体材料目前只有氧化铟(In2O3)、氢化锡(SnO2)、氧化锌(SiO)三种，这三种半导体材料往往 还需要掺杂才能实现更高的导电性来提高性能以达到实用的地步，掺杂后所得到的半导体 材料分别有掺锡的氧化铟(In2O3 =Sn,简称ΙΤ0)，掺氟的氧化锡(SnO2 =F,简称FT0)，掺铝 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在低温衬底上制备ＦＴＯ透明导电薄膜的方法，包括：步骤１）、在高温下在耐高温衬底（１）上制备ＦＴＯ薄膜（２）；步骤２）、通过透明粘结剂（３）将所述ＦＴＯ薄膜（２）与低温衬底（４）粘结在一起，得到包含有耐高温衬底（１）、ＦＴＯ薄膜（２）、透明粘结剂（３）以及低温衬底（４）的膜片；步骤３）、将步骤２）所得到的膜片投入到化学处理液中，待所述耐高温衬底（１）完全溶于所述化学处理液后，取出由ＦＴＯ薄膜（２）、透明粘结剂（３）以及低温衬底（４）所组成的ＦＴＯ透明导电薄膜；其中，所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底（１），且不会与所述的ＦＴＯ薄膜（２）、透明粘结剂（３）以及低温衬底（４）发生反应。

【技术特征摘要】
1.一种在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，包括步骤1)、在高温下在耐高温衬底(1)上制备FTO薄膜O)；步骤幻、通过透明粘结剂( 将所述FTO薄膜( 与低温衬底(4)粘结在一起，得到包 含有耐高温衬底(1)、FTO薄膜O)、透明粘结剂(3)以及低温衬底⑷的膜片；步骤幻、将步骤幻所得到的膜片投入到化学处理液中，待所述耐高温衬底(1)完全 溶于所述化学处理液后，取出由FTO薄膜O)、透明粘结剂(3)以及低温衬底(4)所组成的 FTO透明导电薄膜；其中，所述化学处理液能够去除所述的耐高温衬底(1)，且不会与所述 的FTO薄膜O)、透明粘结剂(3)以及低温衬底⑷发生反应。2.根据权利要求1所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所 述耐高温衬底(1)由熔点在500°C以上的金属单质，或合金，或金属氧化物，或表面附着有 金属单质或合金或金属氧化物的耐高温基板组成。3.根据权利要求2所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所 述的金属单质为铜、银、铝、铁、镍、钴、锰、铬、锑、锗中的一种，所述的合金为带有铜、银、铝、 铁、镍、钴、锰、铬、锑、锗中的一种的合金。4.根据权利要求1所述的在低温衬底上制备FTO透明导电薄膜的方法，其特征在于，所 述耐高温衬底(1)为表面光滑，或表面具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小铭，孟庆波，罗艳红，李冬梅，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]