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一种漏电断路装置制造方法及图纸

技术编号:5194101 阅读:181 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种漏电断路装置,包括:桥式整流电路、机械脱扣开关、单向可控硅电路和并联谐振回路;并联谐振回路的谐振频率与市交流电源的频率相同;单向可控硅电路包括:相串联的第一单向可控硅和第二单向可控硅;第一单向可控硅的K极接桥式整流电路的负极端,第二单向可控硅的A极接桥式整流电路的正极端,第二单向可控硅的G极串接第四电阻、第三电容后接桥式整流电路的负极端,第二单向可控硅的K极和G极之间设有第七电阻,第一单向可控硅的K极和A极之间设有第六电阻,第二单向可控硅的K极和A极之间设有第五电阻,第一单向可控硅的G极与并联谐振回路相连。单向可控硅电路还包括与所述并联谐振回路相并联的雪崩稳压管。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种漏电断路装置
技术介绍
中国专利文献CN2276678Y公开了一种单相漏电保护器,机械脱扣开关电磁铁线 圈、单向可控硅元件和二极管顺序电连接结构的漏电保护器中增加一或门电路,使或门电 路中串联的二个二极管按导通方向一致与单向可控硅元件、机械脱扣开关的电磁铁线圈顺 序电连接,另一个二极管的阴极与二个串联二极管之间的导线电连接,阳极与地线接线端 子电连接。 上述现有技术的不足之处在于上述漏电断路装置的为AC型漏电断路装置,功能 单一,抗干扰性能较弱,易发生误动作且耐用性较差。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种抗干扰性能较强、不易发生误动作且 耐压性较好的漏电断路装置。 为解决上述技术问题,本技术提供了一种漏电断路装置,包括用于与市交流 电源相连的桥式整流电路、机械脱扣开关K1、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容C1、第 二谐振电容C2和电流互感器Hl构成的并联谐振回路;机械脱扣开关Kl的电磁铁线圈KM 设于所述桥式整流电路的交流端的回路中;其特点是所述并联谐振回路的谐振频率与所 述市交流电源的频率相同;单向可控硅电路包括相串联的第一单向可控硅BG1和第二单 向可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种漏电断路装置,包括:桥式整流电路、机械脱扣开关(K1)、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容(C1)、第二谐振电容(C2)和电流互感器(H1)构成的并联谐振回路;机械脱扣开关(K1)的电磁铁线圈(KM)设于所述桥式整流电路的交流端的回路中;  其特征在于:单向可控硅电路包括:相串联的第一单向可控硅(BG1)和第二单向可控硅(BG2);第一单向可控硅(BG1)的K极接所述桥式整流电路的负极端,第二单向可控硅(BG2)的A极接所述桥式整流电路的正极端,第二单向可控硅(BG2)的G极串接第四电阻(R4)、第三电容(C3)后接所述桥式整流电路的负极端,第二单向可控硅(BG2)的K极和G极之间设有第七...

【技术特征摘要】
一种漏电断路装置,包括桥式整流电路、机械脱扣开关(K1)、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容(C1)、第二谐振电容(C2)和电流互感器(H1)构成的并联谐振回路;机械脱扣开关(K1)的电磁铁线圈(KM)设于所述桥式整流电路的交流端的回路中;其特征在于单向可控硅电路包括相串联的第一单向可控硅(BG1)和第二单向可控硅(BG2);第一单向可控硅(BG1)的K极接所述桥式整流电路的负极端,第二单向可控硅(BG2)的A极接所述桥式整流电路的正极端,第二单向可控硅(BG2...

【专利技术属性】
技术研发人员:王笑丽
申请(专利权)人:王笑丽
类型:实用新型
国别省市:33[中国|浙江]

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