漏电断路器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种漏电断路器，包括：桥式整流电路、机械脱扣开关Ｋ１、单向可控硅电路以及并联谐振回路；机械脱扣开关Ｋ１的电磁铁线圈ＫＭ设于桥式整流电路的交流端的回路中；电流互感器置于金属屏蔽罩内；单向可控硅电路包括：第一单向可控硅和第二单向可控硅；第一单向可控硅的Ｋ极接桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅的Ａ极接桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅的Ｇ极串接第四电阻、第三电容后接桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅的Ｋ极和Ｇ极之间设有第七电阻，第一单向可控硅的Ｋ极和Ａ极之间设有第六电阻，第二单向可控硅的Ｋ极和Ａ极之间设有第五电阻，第一单向可控硅的Ｇ极与并联谐振回路相连。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种漏电断路器。
技术介绍
中国专利文献CN2276678Y公开了一种单相漏电保护器，机械脱扣开关电磁铁线圈、单向可控硅元件和二极管顺序电连接结构的漏电保护器中增加一或门电路，使或门电路中串联的二个二极管按导通方向一致与单向可控硅元件、机械脱扣开关的电磁铁线圈顺序电连接，另一个二极管的阴极与二个串联二极管之间的导线电连接，阳极与地线接线端子电连接。 上述现有技术的不足之处在于上述漏电断路器的为AC型漏电断路器，功能单一，抗干扰性能较弱，易发生误动作且耐用性较差。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种抗干扰性能较强、不易发生误动作且耐压性较好的漏电断路器。 为解决上述技术问题，本技术提供了一种漏电断路器，包括用于与市交流电源相连的桥式整流电路、机械脱扣开关Kl、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容Cl、第二谐振电容C2和电流互感器Hl构成的并联谐振回路；机械脱扣开关Kl的电磁铁线圈KM设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；其特点是电流互感器置于金属屏蔽罩内；单向可控硅电路包括相串联的第一单向可控硅和第二单向可控硅；触发电压不低于0. 56V的第一单向可控硅的K极接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅的A极接所述桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅的G极串接第四电阻、第三电容后接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅的K极和G极之间设有第七电阻，第一单向可控硅的K极和A极之间设有第六电阻，第二单向可控硅的K极和A极之间设有第五电阻，第一单向可控硅的G极与所述并联谐振回路相连；单向可控硅电路还包括与所述并联谐振回路相并联的正向导通电压不高于0. 55V的雪崩稳压管，且雪崩稳压管的阴极串接第二电阻后与第一单向可控硅的G极相连。 本技术具有积极的效果(l)本技术的漏电断路器中，并联谐振回路的谐振频率与市交流电源的频率相同。当交流电源发生漏电时，电流互感器获取的漏电信号也为市交流电源的频率(在我国为50Hz)。根据并联谐振回路的特性，在我国当并联谐振回路处于谐振时，可使50Hz的漏电信号的触发可控硅的效能处于最佳，以最有效地触发可控硅，同时使50Hz以外的干扰信号的触发可控硅的效能较低，从而可有效抑制50Hz以外的干扰信号，从而实现国家标准对漏电断路器的技术指标。因此，本技术的漏电断路器抗干扰性能较强且不易发生误动作。(2)在本技术中，采用两个可控硅串联，使该漏电断路器的耐压性能达千伏以上，故而耐压性较好，克服了传统的采用压敏电阻和R-C吸收回路带来的不稳定因素。(3)本技术中，并联谐振回路并联有雪崩稳压管，且雪崩稳压管的阳极与单向可控硅的G极相连。雪崩稳压管的正向导通电压不高于0.55V，且单向可控硅的触发电压不低于0. 56V。当外界干扰信号入侵时，雪崩稳压管首先导通，迅速排除了干扰信号，以防止其触发可控硅，而发生误动作。(4)本技术中，第一单向可控硅的G极相连有低通滤波电路，用于滤掉高频干扰信号，进一步保证漏电断路器的可靠性。(5)现有技术中，当漏电断路器所在的220V市交流电的检测回路中存在一个强脉冲干扰信号(例如，250A，前沿为8微秒，后沿为20微秒的尖脉冲)往往使电流互感器发生磁饱和，从而破坏了并联谐振回路的谐振频率，因电流互感器磁饱和非线性产生的次谐波能触发可控硅，从而使现有技术的漏电断路器误动作。而在本技术中，并联谐振回路中采用的电流互感器的电感量不小于20H ;以保证强脉冲干扰信号(250A，前沿为8微秒，后沿为20微秒的尖脉冲)不会使电流互感器发生磁饱和，防止了次谐波触发可控硅的情况。附图说明图1为本技术的漏电断路器的电原理图； 图2为本技术的另一种漏电断路器的电原理图。具体实施方式见图l，本实施例的漏电断路器包括用于与市交流电源相连的桥式整流电路(包括二极管D1、 D2、D3和D4)、用于设置在交流电源线路(即图1中的标号l和2)中的机械脱扣开关K1、单向可控硅电路、雪崩稳压管DW、以及由第一谐振电容C1、第二谐振电容C2和用于检测交流电源的漏电信号的电流互感器H1构成的并联谐振回路。 单向可控硅电路包括第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、相串联的第一单向可控硅BG1和第二单向可控硅BG2 ;第一单向可控硅BG1的K极接桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅BG2的A极接桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅BG2的G极串接第四电阻R4、第三电容C3后接桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅BG2的K极和G极之间设有第七电阻R7，第一单向可控硅BG1的K极和A极之间设有第六电阻R6，第二单向可控硅BG2的K极和A极之间设有第五电阻R5，第一单向可控硅BG1的G极与并联谐振回路相连。 第五电阻R5和第六电阻R6的阻值相同，以将桥式整流电路输出的电压均分给两个单向可控硅，当各单向可控硅的耐压为500V时，整个漏电断路器的耐压性能即达到IOOOV。机械脱扣开关K1的电磁铁线圈KM设于桥式整流电路的交流端的回路中；低通滤波电路与第一单向可控硅BG1的G极相连；低通滤波电路，用于滤掉高频干扰信号，进一步保证漏电断路器的可靠性。 电流互感器Hl的电感量为30H，谐振电容Cl和第二谐振电容C2的电容量之和为0. 25uF，因此并联谐振回路的谐振频率为50Hz。根据并联谐振回路的特性，当并联谐振回路发生谐振时，可使50Hz的干扰信号的触发可控硅的效能处于最佳，以最有效地触发可控硅，同时使50Hz以外的干扰信号的触发可控硅的效能较低，从而可有效抑制50Hz以外的干扰信号。因此，本技术的漏电断路器抗干扰性能较强且不易发生误动作。雪崩稳压管DW与并联谐振回路相并联，且雪崩稳压管DW的阳极串接第二电阻R2后与第一单向可控硅BG1的G极相连。雪崩稳压管DW的正向导通电压不高于0.55V，且第一单向可控硅BG1的4触发电压不低于0. 56V。还包括与雪崩稳压管DW相并联的第一电阻Rl，与电流互感器HI相串联的第二电阻R2 ;AN1为实验按钮，使用时起模拟漏电的作用。实验按钮AN1串联降压电阻R8后与交流电源相连。电流互感器H1置于金属屏蔽罩内，防止外磁场使漏电断路器误动作。 工作时，当来自并联谐振回路的漏电信号有效触发第一单向可控硅BG1时，第一单向可控硅BG1导通，第一单向可控硅BG1的K极和A极之间的压差迅速降至2V以下，第三电容C3上的电压通过第四电阻R4、第七电阻R7和第一单向可控硅BG1放电，此时第七电阻R7上的电压使第二单向可控硅BG2导通，电磁铁线圈KM得电并使机械脱扣开关K1执行脱扣动作，即漏电断路器处于断开状态。 见图2，作为另一种实施方式，雪崩稳压管DW的阴极串接第二电阻R2后接第一单向可控硅BG1的G极，起到过压保护的作用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种漏电断路器，包括：用于与市交流电源相连的桥式整流电路、机械脱扣开关（Ｋ１）、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容（Ｃ１）、第二谐振电容（Ｃ２）和电流互感器（Ｈ１）构成的振频率与所述市交流电源的频率相同的并联谐振回路；机械脱扣开关（Ｋ１）的电磁铁线圈（ＫＭ）设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；　　其特征在于：电流互感器（Ｈ１）置于金属屏蔽罩内；　　单向可控硅电路包括：相串联的第一单向可控硅（ＢＧ１）和第二单向可控硅（ＢＧ２）；触发电压不低于０．５６Ｖ的第一单向可控硅（ＢＧ１）的Ｋ极接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅（ＢＧ２）的Ａ极接所述桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅（ＢＧ２）的Ｇ极串接第四电阻（Ｒ４）、第三电容（Ｃ３）后接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅（ＢＧ２）的Ｋ极和Ｇ极之间设有第七电阻（Ｒ７），第一单向可控硅（ＢＧ１）的Ｋ极和Ａ极之间设有第六电阻（Ｒ６），第二单向可控硅（ＢＧ２）的Ｋ极和Ａ极之间设有第五电阻（Ｒ５），第一单向可控硅（ＢＧ１）的Ｇ极与所述并联谐振回路相连；　　单向可控硅电路还包括与所述并联谐振回路相并联的正向导通电压不高于０．５５Ｖ的雪崩稳压管（ＤＷ），且雪崩稳压管（ＤＷ）的阴极串接第二电阻（Ｒ２）后与第一单向可控硅（ＢＧ１）的Ｇ极相连。...

【技术特征摘要】
一种漏电断路器，包括用于与市交流电源相连的桥式整流电路、机械脱扣开关(K1)、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容(C1)、第二谐振电容(C2)和电流互感器(H1)构成的振频率与所述市交流电源的频率相同的并联谐振回路；机械脱扣开关(K1)的电磁铁线圈(KM)设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；其特征在于电流互感器(H1)置于金属屏蔽罩内；单向可控硅电路包括相串联的第一单向可控硅(BG1)和第二单向可控硅(BG2)；触发电压不低于0.56V的第一单向可控硅(BG1)的K极接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅(BG2)的A极接所述桥...

【专利技术属性】
技术研发人员：王笑丽，
申请(专利权)人：王笑丽，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]