振荡器和使用了它的信息设备、压控振荡器和使用了它的信息设备制造技术

本发明专利技术提供一种用于频率转换增益的变动少的振荡器的ＬＣ谐振电路、使用了该ＬＣ谐振电路的振荡器、以及信息设备。本发明专利技术的压控振荡器，包括增益生成电路，生成进行振荡所需要的增益；谐振电路，能够根据第１频率控制信号组，使谐振频率发生变化，上述增益生成电路，包括负电导生成电路，生成作为对交流电压的负电流增益的负电导；Ｋ个端子，用于根据负电导控制信号组来控制上述生成的负电导，其中Ｋ为正整数。

【技术实现步骤摘要】
振荡器和使用了它的信息设备、压控振荡器和使用了它的信息设备本申请是申请号为“200610144470.0”，申请日为“2006年11月8日”，专利技术名称为“振荡器和使用了它的信息设备、压控振荡器和使用了它的信息设备”的专利技术专利申请的分 案申请。
<第1技术的
>本专利技术涉及谐振电路、使用了该谐振电路的振荡器、以及使用了该振荡器的信息 设备，尤其涉及使用基于电感器(inductor)和电容的谐振动作的LC谐振电路，作为使用了 该LC谐振电路的振荡器的、由电压控制振荡频率的压控振荡器，以及包括使用了该压控振 荡器的无线通信装置、信息通信装置、和存储装置等在内的信息设备。<第2技术的
>本专利技术涉及适用于用来在低电流下宽频带中获得低相位噪声特性的压控振荡器 的结构，和使用了这种结构的信息设备的有效技术。
技术介绍
<第1技术的
技术介绍
>在无线通信装置、存储装置等信息设备中，振荡频率可变的振荡器是不可或缺的 电路。随着信息设备的进步，最近已经在使用振荡频率达到GHz左右的振荡器。在使用包 括电感器L和电容C的LC谐振器来构成振荡器的情本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压控振荡器，其特征在于：包括增益生成电路，生成进行振荡所需要的增益；谐振电路，能够根据第１频率控制信号组，使谐振频率发生变化，上述增益生成电路，包括负电导生成电路，生成作为对交流电压的负电流增益的负电导；Ｋ个端子，用于根据负电导控制信号组来控制上述生成的负电导，其中Ｋ为正整数。

【技术特征摘要】
JP 2005-11-9 324515/2005;JP 2006-3-3 057500/2006;J1.一种压控振荡器，其特征在于 包括增益生成电路，生成进行振荡所需要的增益； 谐振电路，能够根据第1频率控制信号组，使谐振频率发生变化， 上述增益生成电路，包括负电导生成电路，生成作为对交流电压的负电流增益的负电导； K个端子，用于根据负电导控制信号组来控制上述生成的负电导，其中K为正整数。2.根据权利要求21所述的压控振荡器，其特征在于 上述第1频率控制信号组，包括第2频率控制信号组，用于使上述谐振电路的谐振频率连续地发生变化； 第3频率控制信号组，用于使上述谐振电路的谐振频率梯段地发生变化。3.根据权利要求2所述的压控振荡器，其特征在于 上述谐振电路，为由电感器和电容构成的LC谐振电路，根据上述第2频率控制信号组，使上述电感器的电感、上述电容的电容值、或者上述两 者连续地发生变化；根据上述第3频率控制信号组，使上述电感器的电感、上述电容的电容值、或者上述两 者梯段地发生变化。4.根据权利要求3所述的压控振荡器，其特征在于输入到上述负电导控制信号组的控制信号，为通过了被输入上述第3频率控制信号组 的一部分或者全部的信号处理电路的控制信号；上述控制信号，依照频率的阶段性的变化来控制上述负电导生成电路生成的负电导。5.根据权利要求4所述的压控振荡器，其特征在于 上述负电导生成电路，包括第1负电导生成部，具有第1PM0S晶体管和第2PM0S晶体管； 第2负电导生成部，具有第INPN晶体管和第2NPN晶体管；以及 电流源电路，上述第1PM0S晶体管和上述第2PM0S晶体管，其源极电极被共用并与第1电压端子连接，上述第1PM0S晶体管的漏极电极与上述第2PM0S晶体管的栅极电极连接， 上述第2PM0S晶体管的漏极电极与上述第1PM0S晶体管的栅极电极连接， 上述第INPN晶体管和上述第2NPN晶体管的射极电极被共用，且该射极电极经由上述 电流源电路与第2电压端子连接，上述第INPN晶体管的集电极电极，经由第1电容耦合用电容与上述第2NPN晶体管的 基极电极连接，上述第2NPN晶体管的集电极电极，经由第2电容耦合用电容与上述第INPN晶体管的 基极电极连接，上述第1PM0S晶体管的漏极电极，与上述第INPN晶体管的集电极电极连接，并且与上 述谐振电路的第1电极连接，上述第2PM0S晶体管的漏极电极，与上述第2NPN晶体管的集电极电极连接，并且与上述谐振电路的第2电极连接，通过输入到上述负电导控制信号组的控制信号，控制上述第1负电导生成部生成的负 电导。6.根据权利要求5所述的压控振荡器，其特征在于 上述第1负电导生成部，K个第1负电导控制用PMOS晶体管连接在上述第1PM0S晶体管的漏极电极与源极电极 之间，其中K为正整数，第1开关连接在上述K个第1负电导控制用PMOS晶体管的栅极电极与漏极电极之间， 第2开关连接在上述K个第1负电导控制用PMOS晶体管的栅极电极与源极电极之间，K个第2负电导控制用PMOS晶体管连接在上述第2PM0S晶体管的漏极电极与源极电极 之间，其中K为正整数，第3开关连接在上述K个第2负电导控制用PMOS晶体管的栅极电极与漏极电极之间， 第4开关连接在上述K个第2负电导控制用PMOS晶体管的栅极电极与源极电极之间， 上述第1至第4开关根据上述负电导控制信号组进行开和关。7.根据权利要求6所述的压控振荡器，其特征在于 上述第1至第4开关根据PMOS晶体管构成。8.根据权利要求5所述的压控振荡器，其特征在于 上述第1负电导生成部，K个由第1负电导控制用二极管和第5开关构成的串联电路并联连接在上述第1PM0S 晶体管的漏极电极与源极电极之间，其中K为正整数，K个由第2负电导控制用二极管和第6开关构成的串联电路并联连接在上述第2PM0S 晶体管的漏极电极与源极电极之间，其中K为正整数，上述第5开关和上述第6开关根据上述负电导控制信号组进行开和关。9.根据权利要求5所述的压控振荡器，其特征在于 上述第1负电导生成部，K个由第1负电导控制用电阻和第7开关构成的串联电路并联连接在上述第1PM0S晶 体管的漏极电极与源极电极之间，其中K为正整数，K个由第2负电导控制用电阻和第8开关构成的串联电路并联连接在上述第2PM0S晶 体管的漏极电极与源极电极之间，其中K为正整数，上述第7开关和上述第8开关根据上述负电导控制信号组进行开和关。10.一种压控振荡器，其特征在于 包括增益生成电路，生成进行振荡所需要的增益； 谐振电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村宝弘，增田彻，北村智满，林范雄，森博志，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]