片式低温共烧陶瓷式共模滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于消除电子设备型号干扰的低温共烧陶瓷共模滤波器。片式低温共烧陶瓷式共模滤波器，它由流延成的生瓷带叠层在一起而制成低温共烧陶瓷体，低温共烧陶瓷体内印制有ｎ层左线圈和右线圈，ｎ≥５，第ｎ层、第１层分别为引脚层；其特征在于：下一层的左线圈的一端和上一层的右线圈的一端连接的接头与上一层的左线圈的一端与再上一层的右线圈的一端连接的接头由接头拐角部相互交错开，下一层的右线圈的另一端和上一层的左线圈的另一端连接的接头与上一层的右线圈的另一端和再上一层的左线圈的另一端连接的接头由接头拐角部相互交错开。本实用新型专利技术具有高频性能更为理想、差模阻抗小、生产成本低的特点。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于消除电子设备型号干扰的低温共烧陶瓷共模滤波器。二.
技术介绍
目前的片式共模滤波器有两大主要类别，分别为多层片式及绕线式，绕线式滤波器的电 性能较好，但成本较高，不适合于大规模为电子产品使用。而多层片式之一为釆用双层耦合 式的铁氧体結构，由于铁氧体材料本身的特性，造成了其高频率的损耗过大，当器件的在高 频段使用时，对有用的差模信号造成极大地衰减，影响电路性能，从而只适用于较低频段； 另一方面，铁氧体材料介电常数较高，为了满足共模滤波器的特性阻抗需求，其螺旋线式的 电感需要采用极小的线宽以及线间距，因此无法用普通的厚膜印制工艺制作， 一般采用薄膜 工艺或者精细厚膜工艺进行制作，生产成本大幅度上升。另一种多层片式结构采用低温共烧陶瓷结构(如图l所示)，其材料本身高频性能好，生 产成本低，可大量生产。但是由于受到自身结构的限制，以及工艺线加工精度的影响，其阻 抗特性比前两者差，差模阻抗无法有效降低至特殊规格的要求。这就使得信号通过共模滤波 器吋，信号接收端无法有效的接受到信号。没有达到滤除噪声，通过信号的要求。低温共烧陶瓷(LTCC)技术是一种将未烧结的流延陶瓷材料叠层在一起而制成的多层电 路，内有印制连导体、元件和电路，并将该结构烧成一个集成式陶瓷多层材料。三.
技术实现思路
.本技术的目的在于提供一种差模阻抗小、生产成本低的片式低温共烧陶瓷式共模滤 波器。为了实现上述目的，本技术的技术方案是片式低温共烧陶瓷式共模滤波器，它由 流延成的生瓷带叠层在一起而制成低温共烧陶瓷体，低温共烧陶瓷体内印制有n层左线圈和 右线圈，n》5，第n层、第l层分别为引脚层(注图2中所示最上的一层为低n层，即最 下层；是因图4-6为第n层图)；下一层的左线圈的一端与上一层的右线圈的一端由接头相连 (说明图2中，图外接头处为一端，图里接头处为另一端)，上一层的右线圈的另一端与再 上一次的左线圈的另一端由接头相连；其特征在于下一层的左线圈的一端和上一层的右线 圈的一端连接的接头与上一层的左线圈的一端与再上一层的右线圈的一端连接的接头由接头 拐角部相互交错开，下一层的右线圈的另一端和上一层的左线圈的另一端连接的接头与上一 层的右线圈的另一端和再上一层的左线圈的另一端连接的接头由接头拐角部相互交错开。所述的n层左线圈和右线圈，相邻层的左线圈和右线圈除接头拐角部相互交错开外相互 重叠。所述的n层左线圈和右线圈， 一层的左线圈和右线圈的两端部为直角部，则与之相邻的 另一层的左线圈和右线圈的两端部分别为接头拐角部，另一层的左线圈两端的两接头拐角部 与右线圈两端的两接头拐角部的拐角方向相反并留有间距，另一层的左线圈两端的两接头拐 角部的拐角方向相同。本技术的有益效果是-1) 、由于采用了高Q值、低损耗的低温共烧陶瓷材料，所得到的共模滤波器的S^参数在 lGHz的范围之内基本不受到频率的影响，其值极小；与铁氧体相比，其性能如图5所示，本 技术的高频性能更为理想。2) 、传统的低温共烧陶瓷式共模滤波器的结构上下相邻的耦合层必须偏离一定的距离(接 头处采用平行结构)，以避免连接上下层的接头(过孔)短路，这种结构的性能很大程度上依靠于工艺线的线间距加工水平，非重叠区域Z的面积越大，则线圈形成的耦合区域的面积越 小，电磁泄漏越多，器件的差模阻抗也就越大，性能降低。本技术接头处采用了拐角部相互交错开，上下层的线圈绝大部分相重叠，上下相邻 两层重复的交错堆叠，非重叠区域Z的面积小； 一方面可以满足单个电感的电感量要求，保 证了两个耦合电感间足够的耦合强度，得到了不受工艺加工水平限制的耦合强度；另一方面， 减少了电磁泄漏，得到了较好的差模阻抗性能(差模阻抗较小)，不会对信号造成损耗。3) 、本技术接头处采用了拐角部相互交错开，非重叠区域Z的面积小，从而巧妙地 避免了最小线间距问题，耦合区域的面积不受工艺线间距水平的限制而减小，对线间距要求 降低，工艺加工难度低，普通的厚膜印刷工艺水平即可达到加工要求。在同等水平的加工条 件下，性能要比传统的低温共烧陶瓷式共模滤波器性能优异，如图6所示。4) 、由于陶瓷式滤波器在实际工艺制作中，是在陶瓷基片上印刷导体浆料，成本低廉； 同时由于本技术所使用的各层结构交替重复，仅需要少量的丝网即可，减少了掩膜费用， 生产成本大大降低。附图说明图1是传统的低温共烧陶瓷式共模滤波器结构的俯视图。 图2是本技术的结构示意图。 图3是本技术的俯视图。图4-1是本技术的制备过程第1层图4-2是本技术的制备过程第2层图4-3是本技术的制备过程第2至n-l的奇数层图(n》5的自然数)； 图4-4是本技术的制备过程第2至n-l的偶数层图4-5是本技术的制备过程第n-l层图(说明当n-l为偶数时，图4-5为图4-4); 图4-6是本技术的制备过程第n层图。图5是本技术的片式低温共烧陶瓷式共模滤波器与铁氧体器件相比的差共模S参数 比较图。图6是本技术的片式低温共烧陶瓷式共模滤波器与传统低温共烧陶瓷式共模滤波器 .在同等工艺条件下的阻抗性能比较图。 图7 (a)为差模信号等效电路图。 图7 (b)为共模信号等效电路图图中1-低温共烧陶瓷体，2-第l层的左线圈，3-第l层的右线圈，4-第n层的左线圈， 5-第n-l层的左线圈，6-接头拐角部，7-第n层的右线圈，8-接头，9-第『l层的右线圈。具体实施方式如图2、图3所示，片式低温共烧陶瓷式共模滤波器(本实例中n为7，每层的印制如图 4-1、图4-2、图4-3、图4-4、图4-5、图4-6所示)，它由流延成的生瓷带叠层在一起而制 成低温共烧陶瓷体l，低温共烧陶瓷体内印制有7层左线圈和右线圈，第7层、第l层分别 为引脚层；第7层的左线圈4的一端与第6层的右线圈9的一端由接头8相连(说明图2 中，图外接头处为一端，图里接头处为另一端，引脚为外端)，第6层的右线圈9的另一端与 第5层的左线圈的另一端由接头相连；第7层的右线圈7的另一端与第6层的左线圈5的另 一端由接头相连，第6层的左线圈5的一端与第5层的右线圈的一端由接头相连；第7层的 右线圈7的外端为引脚，第7层的左线圈4的外端为引脚；第5层的左线圈的一端与第4层的右线圈的一端由接头相连，第4层的右线圈的另一端 与第3层的左线圈的另一端由接头相连；第5层的右线圈的另一端与第4层的左线圈的另一端由接头相连，第4层的左线圈的一端与第3层的右线圈的一端由接头相连；第4层的左线圈的一端与第3层的右线圈的一端由接头相连，第3层的右线圈的另一端 与第2层的左线圈的另一端由接头相连；第4层的右线圈的另一端与第3层的左线圈的另一 端由接头相连，第3层的左线圈的一端与第2层的右线圈的一端由接头相连；第3层的左线圈的一端与第2层的右线圈的一端由接头相连，第2层的右线圈的另一端 与第1层的左线圈的另一端由接头相连；第3层的右线圈的另一端与第2层的左线圈的另一 端由接头相连，第2层的左线圈的一端与第1层的右线圈的一端由接头相连；第l层的左线 圈的外端为引脚，第l层的右线圈的外端为引脚。本技术实施例的特点是第7层的左线圈4的一端部为接头拐角部6，第7层的右 线圈7的另一端部为接头本文档来自技高网...

【技术保护点】
片式低温共烧陶瓷式共模滤波器，它是由流延成的生瓷带叠层在一起而制成低温共烧陶瓷体，低温共烧陶瓷体内印制有ｎ层左线圈和右线圈，ｎ≥５，第ｎ层、第１层分别为引脚层；下一层的左线圈的一端与上一层的右线圈的一端由接头相连，上一层的右线圈的另一端与再上一层的左线圈的另一端由接头相连；其特征在于：下一层的左线圈的一端和上一层的右线圈的一端连接的接头与上一层的左线圈的一端与再上一层的右线圈的一端连接的接头由接头拐角部相互交错开，下一层的右线圈的另一端和上一层的左线圈的另一端连接的接头与上一层的右线圈的另一端和再上一层的左线圈的另一端连接的接头由接头拐角部相互交错开。

【技术特征摘要】
1.片式低温共烧陶瓷式共模滤波器，它是由流延成的生瓷带叠层在一起而制成低温共烧陶瓷体，低温共烧陶瓷体内印制有n层左线圈和右线圈，n≥5，第n层、第1层分别为引脚层；下一层的左线圈的一端与上一层的右线圈的一端由接头相连，上一层的右线圈的另一端与再上一层的左线圈的另一端由接头相连；其特征在于下一层的左线圈的一端和上一层的右线圈的一端连接的接头与上一层的左线圈的一端与再上一层的右线圈的一端连接的接头由接头拐角部相互交错开，下一层的右线圈的另一端和上一层的左线圈的另一端连接的接头与上一层的右线圈的另一端和再上一层的左线圈的...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪春，齐锐，
申请(专利权)人：倪春，齐锐，
类型：实用新型
国别省市：34[中国|安徽]