【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于消除电子设备型号干扰的低温共烧陶瓷共模滤波器。二.
技术介绍
目前的片式共模滤波器有两大主要类别，分别为多层片式及绕线式，绕线式滤波器的电 性能较好，但成本较高，不适合于大规模为电子产品使用。而多层片式之一为釆用双层耦合 式的铁氧体結构，由于铁氧体材料本身的特性，造成了其高频率的损耗过大，当器件的在高 频段使用时，对有用的差模信号造成极大地衰减，影响电路性能，从而只适用于较低频段； 另一方面，铁氧体材料介电常数较高，为了满足共模滤波器的特性阻抗需求，其螺旋线式的 电感需要采用极小的线宽以及线间距，因此无法用普通的厚膜印制工艺制作， 一般采用薄膜 工艺或者精细厚膜工艺进行制作，生产成本大幅度上升。另一种多层片式结构采用低温共烧陶瓷结构(如图l所示)，其材料本身高频性能好，生 产成本低，可大量生产。但是由于受到自身结构的限制，以及工艺线加工精度的影响，其阻 抗特性比前两者差，差模阻抗无法有效降低至特殊规格的要求。这就使得信号通过共模滤波 器吋，信号接收端无法有效的接受到信号。没有达到滤除噪声，通过信号的要求。低温共烧陶瓷(LTCC)技术是一种将未...
【技术保护点】
片式低温共烧陶瓷式共模滤波器，它是由流延成的生瓷带叠层在一起而制成低温共烧陶瓷体，低温共烧陶瓷体内印制有ｎ层左线圈和右线圈，ｎ≥５，第ｎ层、第１层分别为引脚层；下一层的左线圈的一端与上一层的右线圈的一端由接头相连，上一层的右线圈的另一端与再上一层的左线圈的另一端由接头相连；其特征在于：下一层的左线圈的一端和上一层的右线圈的一端连接的接头与上一层的左线圈的一端与再上一层的右线圈的一端连接的接头由接头拐角部相互交错开，下一层的右线圈的另一端和上一层的左线圈的另一端连接的接头与上一层的右线圈的另一端和再上一层的左线圈的另一端连接的接头由接头拐角部相互交错开。
【技术特征摘要】
1.片式低温共烧陶瓷式共模滤波器，它是由流延成的生瓷带叠层在一起而制成低温共烧陶瓷体，低温共烧陶瓷体内印制有n层左线圈和右线圈，n≥5，第n层、第1层分别为引脚层；下一层的左线圈的一端与上一层的右线圈的一端由接头相连，上一层的右线圈的另一端与再上一层的左线圈的另一端由接头相连；其特征在于下一层的左线圈的一端和上一层的右线圈的一端连接的接头与上一层的左线圈的一端与再上一层的右线圈的一端连接的接头由接头拐角部相互交错开，下一层的右线圈的另一端和上一层的左线圈的另一端连接的接头与上一层的右线圈的另一端和再上一层的左线圈的...
【专利技术属性】
技术研发人员：倪春，齐锐，
申请(专利权)人：倪春，齐锐，
类型：实用新型
国别省市：34[中国|安徽]
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