高隔离度ＤＣ－ＤＣ电源装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种高隔离度ＤＣ－ＤＣ电源装置，由开关单元、高隔离度变压单元、整流单元顺次连接组成，开关单元包括比较器、三极管ＢＧ１、ＢＧ２，高隔离度变压单元包括高隔离度变压器，整流单元包括至少一个整流电路，整流电路包括整流二极管、电容Ｃ２、Ｃ３，比较器通过分压电阻与直流电源相连，通过电容接地，还与三极管ＢＧ１基极相连，ＢＧ１发射极与ＢＧ２基极相连，ＢＧ２发射极接地；高隔离度变压器初级线圈一端通过二极管接地，二极管正极接地，中间端连直流电源，另一端连三极管ＢＧ１、ＢＧ２集电极，高隔离度变压器次级线圈与整流二极管、电容Ｃ２组成回路，电容Ｃ２、Ｃ３并联。结构简单、使用方便、能提高隔离电压。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及DC-DC电源装置，特别是涉及一种高隔离度DC-DC电源装置。
技术介绍
随着社会的进步和科技的快速发展，越来越多的设备需要使用高隔离度的开关电 源装置，虽然市场上有多种DC-DC开关电源模块产品，但目前市场上的DC-DC开关电源初级 和次级之间的隔离电压一般为1 2KV，隔离度较低，无法满足给众多设备提供高隔离度的 开关电源装置的要求。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服上述
技术介绍
的不足，提供一种高隔离度DC-DC电 源装置，使其初级和次级之间的隔离电压可达到4. 5KV，满足给众多设备提供高隔离度的开 关电源装置的要求。 本技术提供的高隔离度DC-DC电源装置，由开关单元、高隔离度变压单元、整 流单元顺次连接组成，所述开关单元包括比较器U2A、三极管BG1、 BG2，所述高隔离度变压 单元包括高隔离度变压器T，所述整流单元包括至少一个整流电路，每一整流电路包括整流 二极管D1、高频滤波电容C2、低频滤波电容C3，比较器U2A的同相输入端通过分压电阻R1、 R2与直流电源相连，比较器U2A的反相输入端通过电容Cl接地，比较器U2A的输出端与三 极管BG1的基极相连，三极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
高隔离度ＤＣ－ＤＣ电源装置，由开关单元、高隔离度变压单元、整流单元顺次连接组成，所述开关单元包括比较器Ｕ２Ａ、三极管ＢＧ１、ＢＧ２，所述高隔离度变压单元包括高隔离度变压器Ｔ，所述整流单元包括至少一个整流电路，每一整流电路包括整流二极管Ｄ１、高频滤波电容Ｃ２、低频滤波电容Ｃ３，其特征在于：比较器Ｕ２Ａ的同相输入端通过分压电阻Ｒ１、Ｒ２与直流电源相连，比较器Ｕ２Ａ的反相输入端通过电容Ｃ１接地，比较器Ｕ２Ａ的输出端与三极管ＢＧ１的基极相连，三极管ＢＧ１的发射极与三极管ＢＧ２的基极相连，三极管ＢＧ２的发射极接地；高隔离度变压器Ｔ的初级线圈的一端（１）通过二极管Ｄ２与地线相连，二极管Ｄ２的正极接地，所述...

【技术特征摘要】
高隔离度DC-DC电源装置，由开关单元、高隔离度变压单元、整流单元顺次连接组成，所述开关单元包括比较器U2A、三极管BG1、BG2，所述高隔离度变压单元包括高隔离度变压器T，所述整流单元包括至少一个整流电路，每一整流电路包括整流二极管D1、高频滤波电容C2、低频滤波电容C3，其特征在于比较器U2A的同相输入端通过分压电阻R1、R2与直流电源相连，比较器U2A的反相输入端通过电容C1接地，比较器U2A的输出端与三极管BG1的基极相连，三极管BG1的发射极与三极管BG2的基极相连，三极管BG2的发射极接地；高隔离度变压器T的初级线圈的一端(1)通过二极管D2与地线相连，二极管D2的正极接地，所述高隔离度变压器T的初级线圈的中间端(2)与直流电源相连，高隔离度变压器T的初级线圈的另一端(3)分别与三极管BG1、BG2的集电极相连，高隔离度变压器T的次级线圈与整流二极管D1、高频滤波电容C2组成回路，高频滤波电容C2与低频滤波电容C3并联。2. 如权利要求1所述的高隔离度DC-DC电源装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李中泽，
申请(专利权)人：武汉盛帆电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：83[中国|武汉]