一种自激式半桥谐振开关电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种自激式半桥谐振开关电源，包括功率变压器Ｂ２，其特征在于：所述的开关电源中设有与功率变压器Ｂ２初级绕组Ｎ１、Ｎ２、Ｎｆ相连接的半桥自激谐振变换器电路，由于采用上述结构，与现有技术相比具有以下优点；（１）半桥自激谐振变换器电路中采用绝缘栅双极晶体管，可以加速开关速度，降低开关损耗，改善了电路的动态特性；（２）主功率变压器工作在不饱和状态，为降低其分布参数的影响，通过合理设计串联谐振电感和谐振电容，使绝缘栅双极晶体管工作在零电流状态，具有开关应力小，效率高，纹波中尖刺少，以及不怕负载短路的优点，克服了主功率变压器在休止期低频振荡的不利影响；（３）自激变压器工作在饱和状态，保证了两只绝缘栅双极晶体管轮流导通，从而阻止了半桥直通现象的产生。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及开关电源，具体地说是涉及一种自激式半桥谐振开关电源。技术背景 传统的半桥开关电源大多选择他激的工作方式，其组成半桥的两只三极管由分开 的需要附加辅助低压直流电源供电的两组脉冲驱动电路驱动，由于延时的存在，时常发生 半桥直通使开关电源损坏；在中、大功率输出时还需要外加预推动级和隔离驱动变压器，造 成整机体积增大，效率和可靠性降低。而常见的自激式半桥开关电源虽可避免以上问题，但 是又难以解决主功率变压器在休止期由于低频振荡导致的不利影响
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种自激式半桥 谐振开关电源，避免功率变压器在休止期产生的低频振荡，消除了功率变压器由分布参数 可能产生的偏磁现象和半桥直通而损坏开关管。 为解决上述技术问题，本技术的技术方案是一种自激式半桥谐振开关电源， 包括功率变压器B2，其特征在于所述的开关电源中设有与功率变压器B2初级绕组N1、N2、 Nf相连接的半桥自激谐振变换器电路，所述变换器电路包括绝缘栅双极晶体管Tl、 T2、自 激变压器B1，以及与谐振电感L1串接的谐振电容C6所组成。绝缘栅双极晶体管T1的源极 和绝缘栅双极晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自激式半桥谐振开关电源，包括功率变压器Ｂ２，其特征在于：所述的开关电源中设有与功率变压器Ｂ２初级绕组Ｎ１、Ｎ２、Ｎｆ相连接半桥自激谐振变换器电路，所述变换器电路包括绝缘栅双极晶体管Ｔ１、Ｔ２、自激变压器Ｂ１，以及与谐振电感Ｌ１串接的谐振电容Ｃ６所组成，绝缘栅双极晶体管Ｔ１的源极和绝缘栅双极晶体管Ｔ２的漏极相接，绝缘栅双极晶体管Ｔ１的漏极接整流电源Ｄ１正极，绝缘栅双极晶体管Ｔ２的源极接整流电源Ｄ１负极，绝缘栅双极晶体管Ｔ１、Ｔ２的栅极分别通过限流电阻Ｒ３、Ｒ４和加速电容Ｃ１２、Ｃ１３与自激变压器Ｂ１的次级绕组Ｎ７、Ｎ８相连；起振偏置电阻Ｒ２与电容Ｃ４串接点通过双向二极管Ｄ３与绝缘栅双极晶体管...

【技术特征摘要】
一种自激式半桥谐振开关电源，包括功率变压器B2，其特征在于所述的开关电源中设有与功率变压器B2初级绕组N1、N2、Nf相连接半桥自激谐振变换器电路，所述变换器电路包括绝缘栅双极晶体管T1、T2、自激变压器B1，以及与谐振电感L1串接的谐振电容C6所组成，绝缘栅双极晶体管T1的源极和绝缘栅双极晶体管T2的漏极相接，绝缘栅双极晶体管T1的漏极接整流电源D1正极，绝缘栅双极晶体管T2的源极接整流电源D1负极，绝缘栅双极晶体管T1、T2的栅极分别通过限流电阻R3、R4和加速电容C12、C13与自激变压器B1的次级绕组N7、N8相连；起振偏置电阻R2与电容C4串接点通过双向二极管D3与绝缘栅双极晶体管T2栅极相连，构成启动电路，电阻R6、电容C15并接在绝缘栅双极晶体管T1、T2、的串接公共点与谐振电容C6与功率变压器B2初级绕组...

【专利技术属性】
技术研发人员：许仕海，金兴隆，蒲善生，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所，
类型：实用新型
国别省市：34[中国|安徽]