具有多端正极引出脚的堆栈电容制造技术

具有多端正极引出脚的堆栈电容，其包括复数个电容单元、一基板单元和一封装单元；每一个所述电容单元的正极具有一向外引出的正极引脚，并且所述正极引脚被区分成复数组正极引脚单元，所述正极引脚单元彼此分开，每一组正极引脚单元的正极引脚电性地堆栈在一起；每一个电容单元的负极电性地堆栈在一起；所述基板单元包括一电性连接于所述正极引脚的正极引出导电基板及一电性连接于所述电容单元的负极的负极引出导电基板；所述封装单元包覆所述电容单元及该基板单元的一部分。利用多端同方向导出，并使用同极同边多区焊接，可降低焊接困难度，并大幅降低相同容量电容器的等效串联电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种固态电解电容器，尤指一种具有多端正极引出脚的堆栈电容。
技术介绍
电容器已广泛地被使用于消费性家电用品、计算机主机板及其周边、电源供应器、 通讯产品、及汽车等之的基本组件，其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相 等，是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质及用途，有不同的型态，包 括铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、薄膜电容等。现有技术中，用于铝电解电容器的铝箔通常区分为正箔与负箔，必须经过腐蚀、化 成的步骤才可以用于电解电容。腐蚀是指将高纯度的铝于电蚀液中利用电蚀、酸洗、除氯、 水洗等一连串的制程，以增加铝箔的表面积，才得以大大地提高比电容。比电容的提高是电 解电容实现小型化的重要技术。经过腐蚀后的铝箔(正箔)必须再经过化成的处理，以在 铝箔上形成氧化铝，作为电解电容的电介质。电介质的厚度与铝箔的耐压通常成一正比的 线性关系，这也是电解电容工作电压的主要依据。至于负箔，通常于其表面形成一 1 3V 的耐电压层，也有不做化成处理的负箔，不过若是将不做耐压处理的腐蚀箔置于空气中，也 会自然形成氧化铝。经过腐蚀、化成的铝箔，根据设计的规格尺寸裁切成一定的宽度，再将 导针钉接于铝箔上，再以电解纸隔开；经过钉接、卷绕制程形成一个圆柱体的结构，其称为 芯子或素子。此时，芯子并不具备有电解电容的电气特性，必须经由将电解液完全浸润于芯 子，藉由电解纸的吸水能力，将电解液吸附其中并渗透入铝箔的腐蚀结构中。将此完全浸润 的芯子装入于底部有防爆设计的柱状容器中，于柱状容器的开口端装置橡胶的封口物，藉 由机械封口及封腰，形成一密闭的柱状结构，再经由套管、充电老化等制作而成。实际上，在电解电容器的负极是藉由电解液中离子的移动而形成一电子回路，因 此电解液的电导度就直接影响电解电容器的电气特性。因此如何提高电解液的电导度，以 使电解电容器在高温中，仍能保持电解液与铝箔、电解纸的化学稳定性，特别是电解液与铝 箔的稳定性，是电解液发展的趋势。一般文献中提到的铝电解电容器使用的电解液，特别是 使用于工作电压100V以下，主要是由水、有机溶剂、有机酸、无机酸及一些特殊添加剂依不 同比例调配而成。再者，固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点，而可使用于 中央处理器的电源电路的解耦合作用上。一般而言，可利用多个电容单元的堆栈，而形成高 电容量的固态电解电容器，已知堆栈式固态电解电容器包括多个电容单元与导线架，其中 每一电容单元包括阳极部、阴极部与绝缘部，此绝缘部使阳极部与阴极部彼此电性绝缘。特 别是，电容单元的阴极部彼此堆栈，且藉由在相邻的电容单元之间设置导电体层，以使多个 电容单元之间彼此电性连接。另外，卷绕型固态电解电容器包含有电容器组件、收容构件及封口构件。该电容 器组件隔着分离器卷绕有连接阳极端子的阳极箔与连接阴极端子的阴极箔，且于阳极箔与 阴极箔之间形成电解质层；该收容构件具有开口部且可收容电容器组件；该封口构件具有3可供阳极端子及阴极端子贯穿的贯穿孔，且可密封收容构件的开口部。而且，前述封口构件 与前述电容器组件之间存有预定间隔，且阳极端子及阴极端子中至少任一者设有用以确保 间隙的阻挡构件。然而，本专利技术人有感已知技术仍有改善的空间，且依据多年来从事此方面的相关 经验，悉心观察且研究，并配合理论知识，从而提出一种设计合理且有效改善已知技术缺陷 的技术方案。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种具有多端正极引出脚的堆栈电容，其主 要目的在于1、可达成大面积、大容量、低背化、低成本的具有多端正极引出脚的堆栈电容。2、可大幅减低漏电流及短路问题。3、可降低焊接困难度，并大幅降低相同容量电容器的等效串联电阻。为了克服现有技术的缺陷并达到上述技术效果，本专利技术提供的技术方案是具有多端正极引出脚的堆栈电容，包括复数个电容单元、一基板单元和一封装单 元；每一个所述电容单元的正极具有一向外引出的正极引脚，并且所述正极引脚被区分成 复数组正极引脚单元，所述正极引脚单元彼此分开，每一组正极引脚单元的正极引脚电性 地堆栈在一起；每一个电容单元的负极电性地堆栈在一起；所述基板单元包括一电性连接 于所述正极引脚的正极引出导电基板及一电性连接于所述电容单元的负极的负极引出导 电基板；所述封装单元包覆所述电容单元及该基板单元的一部分。作为对本专利技术技术方案的进一步改进，每一个所述电容单元包括一阀金属箔片、 一包覆该阀金属箔片的氧化物绝缘层、一包覆该氧化物绝缘层的一侧端的导电高分子、及 一包覆该导电高分子的碳胶，其中所述碳胶是透过银胶或银膏而电性地迭堆在一起，并且 所述正极引脚是通过复数个焊接点而电性连接在一起。再者，每一个所述阀金属箔片的边缘可选择性的加装胶体。所述具有多端正极引出脚的堆栈电容还包括复数个分别设置于所述阀金属箔片 的部分外表面上，且围绕成一圈的绝缘层。所述正极引脚分别从所述正极的同一方向向外引出。作为对本专利技术技术方案的另一种改进，每一个所述电容单元包括一阀金属箔片、 一包覆该阀金属箔片的氧化物绝缘层、一包覆该氧化物绝缘层的一侧端的导电高分子、及 一包覆该导电高分子的碳胶，其中所述碳胶直接电性地迭堆在一起，并且所述正极引脚是 通过复数个焊接点而电性连接在一起。每一个所述阀金属箔片的边缘可选择性的加装胶体。所述具有多端正极引出脚的堆栈电容还包括复数个分别设置于所述阀金属箔片 的部分外表面上，且围绕成一圈的绝缘层。所述正极引脚分别从所述正极的同一方向向外引出。本专利技术的有益效果在于利用多端同方向导出，并使用同极同边多区焊接，可降低 焊接困难度，并大幅降低相同容量电容器的等效串联电阻。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实 施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中图IA是本专利技术的电容单元的侧视剖面示意图；图IB是本专利技术的阀金属箔片的边缘加装胶体的俯视示意图；图IC是图IB的1C-1C线的剖面示意图；图ID是本专利技术具有多端正极引出脚的堆栈电容的实施例1的正极堆栈方式的示 意图；图IE是本专利技术实施例1的堆栈方式的侧视剖面示意图；图2是本专利技术具有多端正极引出脚的堆栈电容的实施例2的正极堆栈方式的示意 图；图3是本专利技术实施例2的堆栈方式的侧视剖面示意图；图中标记示意为，电容单元1，阀金属箔片10，正极引脚100，正极引脚单元100'， 氧化物绝缘层11，导电高分子12，碳胶13，绝缘层14，基板单元2，正极引出导电基板21，负 极引出导电基板22，封装单元3，胶体C，焊接点P，导电层Sl、S2、S3。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实 施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例1 如图IA-图IE所示，一种具有多端正极引出脚的堆栈电容，其包括复数个电容单 元1、一基板单元2及一封装单元3。其中，如图IA-图IC所示，每一个电容单元1包括一阀金属箔片10、一包覆该阀金 属箔片10的氧化物绝缘层11、一包覆该氧化物绝缘层11的一侧端的导电高分子12、及一 包覆该导电高分子12的碳胶13。另外，每一个电容单元1的阀金属箔片10的部分外表面 上具有围绕成一圈的绝缘层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有多端正极引出脚的堆栈电容，其特征在于：所述具有多端正极引出脚的堆栈电容包括复数个电容单元、一基板单元和一封装单元；每一个所述电容单元的正极具有一向外引出的正极引脚，并且所述正极引脚被区分成复数组正极引脚单元，所述正极引脚单元彼此分开，每一组正极引脚单元的正极引脚电性地堆栈在一起；每一个电容单元的负极电性地堆栈在一起；所述基板单元包括一电性连接于所述正极引脚的正极引出导电基板及一电性连接于所述电容单元的负极的负极引出导电基板；所述封装单元包覆所述电容单元及该基板单元的一部分。

【技术特征摘要】
1.具有多端正极引出脚的堆栈电容，其特征在于所述具有多端正极引出脚的堆栈电 容包括复数个电容单元、一基板单元和一封装单元；每一个所述电容单元的正极具有一向外引出的正极引脚，并且所述正极引脚被区分成 复数组正极引脚单元，所述正极引脚单元彼此分开，每一组正极引脚单元的正极引脚电性 地堆栈在一起；每一个电容单元的负极电性地堆栈在一起；所述基板单元包括一电性连接于所述正极引脚的正极引出导电基板及一电性连接于 所述电容单元的负极的负极引出导电基板；所述封装单元包覆所述电容单元及该基板单元的一部分。2.根据权利要求1所述的具有多端正极引出脚的堆栈电容，其特征在于每一个所述 电容单元包括一阀金属箔片、一包覆该阀金属箔片的氧化物绝缘层、一包覆该氧化物绝缘 层的一侧端的导电高分子、及一包覆该导电高分子的碳胶，其中所述碳胶是透过银胶或银 膏而电性地迭堆在一起，并且所述正极引脚是通过复数个焊接点而电性连接在一起。3.根据权利要求2所述的具有多端正极引出脚的堆栈电容，其特征在于每一个所述 阀金属箔片的边缘可选择性的加装胶体。4.根据权利要求2所述的具有多端...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱继皓，樊雨心，林清封，黄俊嘉，
申请(专利权)人：钰邦电子无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：32