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高穿透率发光二极管显示装置制造方法及图纸

技术编号:5136204 阅读:233 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供了一种高穿透率发光二极管(LED)显示装置,包含:多支横向水平及/或纵向垂直的平行间隔排列的长形显示条,各长形显示条主要由一长框架、一电路板及多个发光二极管(LED)构成;多条支撑件,用以支撑所述长形显示条;一电源线,连接于显示条以提供电源;及一信号线,连接于显示条上用来传送电子信号,通过电源线及信号线以驱动发光二极管(LED)发光而达成显示效果;其中,所述多个发光二极管(LED)采用侧发光发光二极管(side?LED),并沿显示条长度方向等距布设在所述电路板上,所述电路板再以平行方式嵌入所述长框架内部一长形室腔中,以缩小长框架的正向高度,进而相对减少显示条或长框架的正向面积,以增进显示装置的透光率。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术有关一种高穿透率发光二极管(LED)显示装置,尤指一种利用侧发光 LED (side LED)的长形显示条,以缩小其正向高度、面积,并通过多条支撑件连接于多支平 行间隔排列的长形显示条所构成的显示装置,以增进显示装置的透光率的高穿透率发光二 极管(LED)显示装置。
技术介绍
现有显示系统在其组装的布置上会完全挡住其安装位置,且无透光空间,为了改 善上述的缺点,目前已使用一种穿透式的显示系统,所述穿透式显示系统以纵向垂直方式 等距布设多个顶发光LED(top LED) 11,以使LED由其顶面发光且向外照射。以目前具较好设计的穿透式显示系统而言,将多个顶发光LED(top LED) 11等距设 置于电路板12上,并使顶发光LED 11的发光方向垂直于电路板12,且控制驱动LED的电子 零件同时设置于电路板12上而需较大使用面积的电路板12 ;所述电路板12设置于水平框 架13内,通过多个等距的水平框架13并利用多个垂直框架14作为上下电路间控制信号及 电源的连通通道,以形成一显示系统如图1所示;整个显示系统可区分为多个模组15(大小 为SOcmXSOcm),并利用多个连接件16连接多个模组15以形成一显示系统如图2所示。参考图1所示的面积A’,所述穿透式显示系统以相邻二顶发光LED 11的间距 50mm为例,计算其单点透光率如下单一显示点面积A’ = 50mmX 50mm = 2500mm2 ;水平框 架占用面积B,= IlmmX 50mm = 550mm2 ;垂直框架占用面积C,:6mmX 50mm = 300mm2 ;透光 率=(A,-B,-C,)/A,= (2500-550-300)/2500 = 66%。由上可知,一般穿透式显示系统的透光率只能达到60 70 %,再加上连接件16及 电源信电缆17的面积,会再降低其透光率。针对如何提供一高穿透率的显示装置以提高其透光率,确实是相当重要且有其必 要性的。
技术实现思路
本技术主要目的在于提供一种高穿透率发光二极管(LED)显示装置,包含 多支横向水平及/或纵向垂直的平行间隔排列的长形显示条,所述等显示条主要由一长框 架、一电路板及多个发光二极管(LED)构成;多条支撑件,用以连结并支撑所述显示条;一 电源线,连接于显示条以提供电源;及一信号线,连接于显示条上用来传送电子信号,通过 电源线及信号线以驱动发光二极管(LED)发光而达成显示效果;其中,所述长框架内部设 具一长形室腔用以承载电路板及多个发光二极管(LED),而所述多个发光二极管(LED)采 用侧发光发光二极管(side LED),并沿显示条长度方向等距布设在所述电路板上;所述电 路板以平行方式嵌入所述长框架内部的长形室腔中,以缩小长框架的正向高度,进而相对 减少显示条或长框架的正向面积,以增进显示装置的透光率。本技术再一目的在于提供一种高穿透率发光二极管(LED)显示装置,其中所述支撑件及电源线进一步可组合成一电缆支撑件,而连接于多支平行间隔排列的长形显示 条上,以减少原有支撑件及电源线的体积,藉此可再增进所述高穿透率电子讯息显示装置 的透光率。本技术提供了一种高穿透率发光二极管显示装置,包含多支横向水平及/或 纵向垂直的平行间隔排列的长形显示条、多条支撑件、一电源线及一信号线,其中所述显示条,主要由一长框架、一电路板及多个发光二极管构成,所述长框架内部 设具一长形室腔用以承载所述电路板及多个发光二极管,所述电路板以平行方式嵌入所述 长框架内部的长形室腔中,所述发光二极管是侧发光发光二极管,所述多个发光二极管沿 所述显示条长度方向等距布设在所述电路板上。 所述支撑件,用以支撑所述显示条。所述电源线,连接于所述显示条以提供电源。所述信号线,连接于所述显示条上用来传送电子信号,通过所述电源线及所述信 号线以驱动所述发光二极管发光而达成显示效果。实施时,所述长框架的厚度为3. 8mm。实施时,所述侧发光发光二极管的厚度为1mm。实施时,所述电路板的厚度为0.8mm。实施时,所述多条支撑件由钢丝线构成。实施时,所述长框架由透明材质构成。实施时,所述支撑件及所述电源线组合成一电缆支撑件。实施时,所述电缆支撑件构造的中心为钢丝线,该钢丝线外侧设有一电源线而在 该电源线外侧包设一包覆层。 实施时,所述包覆层由PVC构成。实施时,本技术所述的高穿透率发光二极管显示装置,进一步设置一框架,所 述框架上设有一容槽以容置所述高穿透率发光二极管显示装置。与现有技术相比,本技术所述的高穿透率发光二极管(LED)显示装置,利用 侧发光LED(side LED)的长形显示条,以缩小其正向高度、面积,并通过多条支撑件连接于 多支平行间隔排列的长形显示条所构成的显示装置,以增进显示装置的透光率。附图说明图1是现有顶发光LED的构造示意图;图2是现有顶发光LED模组的构造示意图;图3是本技术的一实施例示意图;图4是本技术的显示条的局部放大示意图;图5是本技术的支撑件截面示意图;图6是本技术的另一实施例示意图;图7是本技术的又一实施例与框架分离时的立体图。附图标记说明顶发光LED-Il ;电路板-12 ;水平框架_13 ;垂直框架-14 ;模 组-15 ;连接件-16电源信电缆-17 ;显示条-20 ;长框架-21 ;室腔-211 ;电路板-22 ;发光 二极管(LED)-23 ;支撑件-30,30a ;电源线-40,40a ;信号线-50 ;包覆层-60 ;框架-70 ;容槽-71。具体实施方式为使本技术更加明确详实,列举较佳实施例并配合下列图示,将本技术 的结构及其技术特征详述如后请参考图3及图4所示,本技术的高穿透率发光二极管(LED)显示装置,包含 多支平行间隔排列的长形显示条20、多条支撑件30、一电源线40及一信号线50 ;其中,多 支平行间隔排列的长形显示条20横向水平及/或纵向垂直方式排列,所述等长形显示条20 主要由一长框架21、一电路板22及多个发光二极管(LED) 23构成,所述长框架21 (约3. 8mm 厚度/高度)内部设具一长形室腔211用以承载电路板22及多个发光二极管(LED)23,所述 长框架21材质不限制可由透明材质构成;所述电路板22 (约0. 8mm厚度/高度)为配合所 述长框架21内部的长形室腔211的长条状电路板,能以平行方式嵌入所述长框架21内部 的长条形室腔211中,所述电路板22上等距布设多个侧发光发光二极管(side LED) 23 (约 Imm厚度/高度);所述发光二极管(LED) 23采用侧发光发光二极管(side LED) 23 (约Imm 厚度/高度),并沿长度方向等距布设在长条状电路板22上。所述多条支撑件30,连结并支撑多支平行间隔排列的长形显示条20,所述多条支 撑件30可为强度、韧性较佳且耐候的材料所构成如钢丝线,用以支撑、悬吊整体高穿透率 发光二极管(LED)显示装置,并配合建筑物摆置。所述电源线40,连接电源于显示条20上以提供电源。所述信号线50,连接于显示条20上,用来传送电子信号,通过电源线40及信号线 50以驱动发光二极管(LED) 23发光而达成显示效果。本技术的高穿本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种高穿透率发光二极管显示装置,其特征在于,包含多支横向水平及/或纵向垂直的平行间隔排列的长形显示条、多条支撑件、一电源线及一信号线,其中:所述显示条,主要由一长框架、一电路板及多个发光二极管构成,所述长框架内部设具一长形室腔用以承载所述电路板及多个发光二极管,所述电路板以平行方式嵌入所述长框架内部的长形室腔中,所述发光二极管是侧发光发光二极管,所述多个发光二极管沿所述显示条长度方向等距布设在所述电路板上;所述支撑件,用以支撑所述显示条;所述电源线,连接于所述显示条以提供电源;所述信号线,连接于所述显示条上用来传送电子信号,通过所述电源线及所述信号线以驱动所述发光二极管发。

【技术特征摘要】
US 2009-1-26 12/359,840一种高穿透率发光二极管显示装置,其特征在于,包含多支横向水平及/或纵向垂直的平行间隔排列的长形显示条、多条支撑件、一电源线及一信号线,其中所述显示条,主要由一长框架、一电路板及多个发光二极管构成,所述长框架内部设具一长形室腔用以承载所述电路板及多个发光二极管,所述电路板以平行方式嵌入所述长框架内部的长形室腔中,所述发光二极管是侧发光发光二极管,所述多个发光二极管沿所述显示条长度方向等距布设在所述电路板上;所述支撑件,用以支撑所述显示条;所述电源线,连接于所述显示条以提供电源;所述信号线,连接于所述显示条上用来传送电子信号,通过所述电源线及所述信号线以驱动所述发光二极管发。2.如权利要求1所述的高穿透率发光二极管显示装置,其特征在于,所述长框架的厚 度为3. 8mmo3.如权利要求1所述的高穿透率发光二极管显示装置,...

【专利技术属性】
技术研发人员:颜志坚
申请(专利权)人:颜志坚
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]

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