一种低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片及其制备方法技术

技术编号:5121543 阅读:231 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片及其制备方法。属于由低软化点、低损耗玻璃和陶瓷复合的新材料及其制备技术领域。具体是:将熔制的玻璃,在高温状态淬冷到水中,粗碎,球磨成玻璃粉,按照一定配比与陶瓷粉混合成复合粉料。本发明专利技术的低软化点低损耗玻璃和陶瓷料,与有机体系配成浆料,流延成生瓷料带,印刷微电路图形的金属浆料,低温共烧获得多层微电路封装基片。该玻璃和陶瓷料具有相对介电常数6.0到9.0连续可调、介质损耗低、微电路立体集成、耐温高、频率温度稳定性好等特点。在高速电路、滤波器、功率开关、微带天线阵、大功率波导等电路中,是一种具有广泛应用前景的新型微电子封装材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及,属于有机和 无机和金属复合材料领域。
技术介绍
随着混合集成电路(HIC)、微波多芯片组件(MCM)等微电子技术的快速发展。对制 造高速互联电路的电子封装材料与多层印刷微电路的基片要求越来越迫切。美国休斯公司 于上世纪八十年代提出的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC)新 构思与新技术,使得微电子平面二维封装技术,快速发展到了高可靠的立体三微系统封装 阶段。在国防、民用高科技微电子的高端领域,有着广泛而迫切的应用需求。LTCC技术以新材料为基础,以精密高效的流延工艺制备生瓷料带为特征,这种材 料具有布线间距宽(布线宽度和间距可小至0. 003inch)、设计灵活、埋置多种无源元件、可 靠性高、低阻抗金属化及优良的高频特性等优点。因此日本、美国等发达国家对LTCC材料 体系的研究高度关注。目前国内对LTCC材料的研究处于起步阶段,拥有自主知识产权的、 与玻璃和陶瓷相关复合材料体系专利技术专利尚未报导,LTCC商品化材料尚为空白。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适用于微电子电路封装的低温共烧玻璃和陶瓷多层 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片,其特征是由多层的玻璃和陶瓷生料带及其相应的金属浆料印刷的微电路所组成;其中玻璃和陶瓷生料带的原料组分及各组分占生料带浆料的重量百分含量分别为:钙钡镁硼硅酸盐系玻璃料22~43%;陶瓷粉 17~43%;有机流延体系 28~60%; 其中,所述的钙钡镁硼硅酸盐系玻璃,其组分和各组分占钙钡镁硼硅酸盐系玻璃总量的重量百分含量分别为:CaO 5~20wt%;BaO 8~30wt%;MgO 2~10wt%;SiO2 30~60wt%;B2O3 10~30wt%;Na2O 0.5~4wt%;K2O 0.5~4wt%;Al2O3 0.5~5wt%。

【技术特征摘要】
1.一种低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片,其特征是由多层的玻璃和陶瓷生料带及 其相应的金属浆料印刷的微电路所组成;其中玻璃和陶瓷生料带的原料组分及各组分占生料带浆料的重量百分含量分别为钙 钡镁硼硅酸盐系玻璃料22、3%;陶瓷粉17、3%;有机流延体系观 60%;其中,所述的钙钡镁硼硅酸盐系玻璃,其组分和各组分占钙钡镁硼硅酸盐系玻璃总量 的重量百分含量分别为=CaO 5 20wt% ;BaO 8 30wt% ;MgO 2 10wt% ;Si02 30 60wt% ;B203 10 30wt% ;Na20 0. 5 4wt% ;K20 0. 5 4wt% ;A1203 0.5 5wt%。2.根据权利要求1所述的低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片,其特征在于陶瓷料为 氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷中的任意一种或两种。3.根据权利要求1所述的低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片,其特征在于金属浆料 为Au或Ag电子浆料(市售),其烧成温度为80(T90(TC。4.根据权利要求1所述的低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片,其特征在于所述的有 机流延体系由溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂四种成分组成,各成分占有机流延体系总重的 重量百分含量分别为溶剂6(T80wt% ;分散剂2 20wt%;粘结剂4 15wt%;增塑剂广10wt%。5.根据权利要求5所述低温共烧玻璃和陶瓷多层微电路基片,其特征在于所述的溶剂 为丙酮或丁酮中的任意一种或两种...

【专利技术属性】
技术研发人员:周洪庆韦鹏飞戴斌王杰邵辉刘明
申请(专利权)人:南京工业大学
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利