在磁存储器件中进行记录的方法技术

一种在磁存储器件中进行记录的方法，所述磁存储器件包括可以改变磁化方向并保存作为磁性材料磁化方向的信息的存储层，以及在存储层上配备有插入在其之间的绝缘层且用作磁化方向的基准的磁化基准层。通过使用经由绝缘层在存储层和磁化基准层之间流动的电流来记录信息。即使当施加显著高于反转阈值的写脉冲时，也可以维持通过略高于反转阈值的写脉冲所实现的、范围为１０到２５的写误差率。在２ｎｓ或更多时间内，写脉冲下降处给出的写功率逐渐地减小。在减小期间，写脉冲电压的减小率最好保持为低，直到下降处的写脉冲电压变得低于磁存储器件的反转阈值电压为止。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁存储器件的记录方法，所述磁存储器件包括能够改变磁化方向并保 存作为磁体磁化方向的信息的记录层，以及相对于记录层提供的、且变为磁化方向的基准 的磁化基准层，其中记录层与磁化基准层之间插着绝缘层，磁存储器件通过经由绝缘层在 记录层与磁化基准层之间流动的电流而记录有信息。
技术介绍
在诸如计算机之类的信息设备中，可以进行高速工作和高密度记录的DRAM(动态 RAM)被广泛地用作RAM(随机存取存储器)。然而，由于DRAM是信息在电源关闭时被删除 的易失性存储器，因此强烈地要求即使在切断电源时仍能够保存信息并且对于降低设备的 功耗是必不可少的高速、高密度和大容量非易失性存储器。闪存等作为非易失性存储器投入实际使用，但是利用磁阻效应的磁存储器在近年 来正引起专注并正被开发为高速、大容量且低功耗的非易失性存储器，因而正在发展。例 如，已投入实际使用了如下的MRAM(磁RAM)其由利用FMR(隧穿磁阻)效应的磁存储器件 (即，MTJ器件)组成，并且其通过电流所感应的磁场反转记录层的磁化方向而被记录了信 息(如，飞思卡尔半导体公司提供的MR2A16(产品名))。图9(a)是示出了 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁存储器件的记录方法，所述磁存储器件至少包括由铁磁导体组成的、能够改变磁化方向且保存作为磁体磁化方向的信息的记录层，以及磁化方向固定且相对于所述记录层而提供的、由铁磁导体组成且成为磁化方向的基准的磁化基准层，其中所述记录层和所述磁化基准层之间插着绝缘层，所述磁存储器件通过经由绝缘层在记录层和磁化基准层之间流动的电流而记录有信息，所述记录方法包括　　在花费２ｎｓ或更多时间的同时，逐渐地减小在写脉冲下降时注入的写能量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大森广之，细见政功，山元哲也，肥后丰，山根一阳，大石雄纪，鹿野博司，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]