全差分放大器制造技术

一种全差分放大器，包括两个正半导体金属氧化物ＮＭＯＳ管、两个负半导体金属氧化物ＰＭＯＳ管、三个电流源和一个电压源；第一ＮＭＯＳ管的漏极与第二电流源的输出端连接，源极与第一电流源的输入端连接；第二ＮＭＯＳ管的漏极与第三电流源的输出端连接，源极与第一电流源的输入端相连；第一ＰＭＯＳ管的栅极与第一ＮＭＯＳ管的漏极连接，源极与所述电压源连接，漏极与第一电流源的输入端连接；第二ＰＭＯＳ管的栅极与第二ＮＭＯＳ管的漏极连接，源极与电压源连接，漏极与第一电流源的输入端连接；第一电流源的输出端接地；第二电流源的输入端及第三电流源的输入端均与电压源连接。本实用新型专利技术与现有技术相比，电路结构简单，节省了集成电路面积。？（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种全差分放大器，其特征在于，包括第一正半导体金属氧化物ＮＭＯＳ管、第二ＮＭＯＳ管、第一负半导体金属氧化物ＰＭＯＳ管、第二ＰＭＯＳ管、第一电流源、第二电流源、第三电流源、电压源，其中，所述第一ＮＭＯＳ管的漏极与所述第二电流源的输出端连接，源极与所述第一电流源的输入端连接；所述第二ＮＭＯＳ管的漏极与所述第三电流源的输出端连接，源极与所述第一电流源的输入端相连；所述第一ＰＭＯＳ管的栅极与所述第一ＮＭＯＳ管的漏极连接，源极与所述电压源连接，漏极与所述第一电流源的输入端连接；所述第二ＰＭＯＳ管的栅极与所述第二ＮＭＯＳ管的漏极连接，源极与所述电压源连接，漏极与所述第一电流源的输入端连接；所述第一电流源的输出端接地；所述第二电流源的输入端及所述第三电流源的输入端均与所述电压源连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周莉，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]