【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所公开的实施例一般地涉及用于光伏能量生产的结构。更具体地，所公开的实施 例涉及使用基于纳米棒的复合物来产生光伏能量的结构。
技术介绍
大量的努力已经被投入到了供作为太阳能电池之用的材料和结构的开发中，而成 效有限。因而，还有开发有效率的、低成本的、稳定的且无毒的用于产生光伏能量的新结构 的需要。
技术实现思路
本专利技术通过提供用于产生光伏能量的基于纳米棒的复合结构以及制作这些结构 的方法来解决以上所描述的问题。本专利技术的一个方面涉及包括具有顶表面和底表面的第一层的制品。第一层包括纳 米线阵列和电介质材料。在纳米线阵列中的纳米线包括具有第一掺杂类型及芯区长度的 芯半导电区；具有第二掺杂类型及壳区长度的壳半导电区；以及具有结区长度的在芯半导 电区和壳半导电区之间的结区。第一掺杂类型不同于第二掺杂类型。壳区长度小于芯区长 度。壳半导电区包围芯半导电区的在与结区长度对应的芯半导电区长度上的一部分。制品 还包括与第一层的顶表面接触的第二层。第二层包含导电材料。制品还包括与第一层的底 表面接触的第三层。第三层包含导电材料。本专利技术的另一方面涉及包括独立式多层复合物的制品。...
【技术保护点】
一种制品，包括：包含纳米线阵列和电介质材料的具有顶表面和底表面的第一层；其中所述纳米线阵列内的纳米线包括：具有第一掺杂类型及芯区长度的芯半导电区；具有第二掺杂类型及壳区长度的壳半导电区；以及具有结区长度的在所述芯半导电区和所述壳半导电区之间的结区；其中所述第一掺杂类型不同于所述第二掺杂类型；其中所述壳区长度小于所述芯区长度；其中所述壳半导电区包围所述芯半导电区的在与所述结区长度对应的所述芯半导电区的长度上的一部分；包含导电材料的接触所述第一层的所述顶表面的第二层；以及包含导电材料的接触所述第一层的所述底表面的第三层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐鹏飞，
申请(专利权)人：清洁电池国际股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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