一种选择性发射极晶体硅太阳电池制造技术

技术编号:4998234 阅读:254 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种选择性发射极晶体硅太阳电池,基体为多晶硅片,正面是银电极引线,向下依次为氮化硅薄膜,绒面结构和选择性n++和n+扩散层,n++和n+扩散层的结深在同一水平位置,而n++的表面略高于n+扩散层,电池背面有银铝电极。本实用新型专利技术可提高光生载流子的收集率、提高太阳电池的输出电压、降低太阳电池的串联电阻、减小光生少数载流子的表面复合、减小扩散死层的影响而改善扩散层的整体性能,从而提升太阳电池的转换效率。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶体硅太阳电池,特别是选择性发射极晶体硅太阳电池
技术介绍
太阳电池可以将太阳能转化为电能,在提供电力的同时不产生任何有害物质,是 解决能源与环境问题、实现可持续发展的有效途径。在各类太阳电池中,硅太阳电池占有极 其重要的地位,近几年硅太阳电池一直占据光伏市场90%以上的份额。光伏行业的发展趋 势是提高太阳电池转换效率、降低单位输出功率的生产成本。在实验室中,单晶硅太阳电池 的最高转换效率已达到24. 7%,多晶硅太阳电池达到20. 4%,但由于其结构和工艺过于复 杂,成本太高,无法进入实际应用。需要开发新的器件结构,
技术实现思路
本技术提供一种选择性发射极晶体硅太阳电池,制作工艺简单、耗能低,生产 成本低,转换效率高。 —种选择性发射极晶体硅太阳电池,基体为多晶硅片,正面是电极引线,向下依次 为氮化硅薄膜,绒面结构和选择性n++和n+扩散层,n++和n+扩散层的结深在同一水平位置, 而n++的表面略高于n+扩散层,电池背面有电极。 所述正面电极引线为银电极引线。 所述电池背面电极为银铝电极。 所述电池背面表层为铝。 本技术可提高光生载流子的收集率、提高太阳电池的输出电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射极晶体硅太阳电池,其特征在于:基体为多晶硅片,正面是电极引线(2),向下依次为氮化硅薄膜(3),绒面结构和选择性n↑[++](4)和n↑[+](5)扩散层,n↑[++](4)和n↑[+](5)扩散层的结深在同一水平位置,而n↑[++](4)的表面略高于n↑[+](5)扩散层,电池背面有电极(7)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈坤郭爱华郑战军许佳平陈亮
申请(专利权)人:天威新能源成都电池有限公司
类型:实用新型
国别省市:90[中国|成都]

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