本实用新型专利技术提供一种ＬＥＤ装置，包括多个ＬＥＤ，低温锡膏点以及外壳，所述的低温锡膏点与所述的ＬＥＤ对应设置，该ＬＥＤ的基座通过该低温锡膏点焊接在该外壳上。本实用新型专利技术的ＬＥＤ装置取消了现有技术中的铝基板以及导热片等结构，通过低温锡膏点直接将ＬＥＤ焊接在外壳的本体上，解决现有技术中的散热瓶颈，使ＬＥＤ的热量直接传递到外壳上，并通过外壳将热量传送到空气中，简化结构的同时还大大提高了散热能力，增加ＬＥＤ效率，大大延长ＬＥＤ寿命。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种光源装置，特别是关于一种LED装置。
技术介绍
LED (Light Emitting Diode，发光二极管)作为新一代固态光源，由于其具有寿命长、高效节能、绿色环保等众多优点，被广泛地应用到照明行业中，随着科技发展，很多先进技术应用于半导体照明中，LED的光效不断提升，成本继续下降，在不久的将来，以LED为光源的照明必然取代普通照明光源，成为人类照明史上的又一次革命。 LED的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在注入的电子与空穴复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能，但是在复合的时候存在部分非辐射复合，是以热的形式释放电能，还有复合后发出的光并不是全部能够发射到LED灯管外，它会在PN结和环氧树脂/硅胶内部被吸收并转化为热能。这种热能是致命的，因为不能充分散热，会是使LED内部温度升高，温度越高，LED的发光效率降低，且温度越高，LED寿命越短，严重情况会导致LED芯片立刻失效，所以，散热仍是大功率LED应用到光源领域的巨大障碍。 —种现有的LED装置的结构如图1所示，其包括LEDIO，铝基板20，导热片30以及外壳40。 所述的LED包括PN结11，电极12，金线13，基座14以及保护罩15。所述的PN结11设置在该基座14上，该PN结11通过金线13与该电极12连接，所述的保护罩15包围该PN结11。 所述的铝基板包括依次设置的阻焊层21，覆铜层22，绝缘层23以及铝板24。所述的电极12以及基座14设置在该覆铜层22上。所述的导热片30设置在该铝板24的底面。所述的外壳40包括本体41以及散热鳍片42，所述的导热片30设置在该铝板24的底面与所述的本体41之间，该散热鳍片42由该本体41延伸设置。 所述的导热片30为硅脂或硅胶片，用于填充金属接触的空隙，提高导热能力。 图1中箭头所指示的是热量传递的方向，PN结11所产生的热量通过铝基板20散热到外壳40上，外壳40将热量散发到空气中。 但是，上述的结构存在很大的缺陷，在PN结到铝基板底面的热传递过程中需要经过基座(材料为铜或铁)，覆铜层，绝缘层以及铝基板，其中铜的导热系数400W/mk，铁的导热系数80W/mk，铝的导热系数大于200W/mk，而绝缘层的导热系数一般小于1W/mk，可知，绝缘层大大阻碍了热量传递，绝缘层是热传递过程中的瓶颈。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足，本技术提供一种热传递能力强的LED装置。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种LED装置，包括多个LED，低温锡膏点以及外壳，所述的低温锡膏点与所述的LED对应设置，该LED的基座通过该低温锡膏点焊接在该外壳上。 本技术解决进一步技术问题的方案是其进一步包括导线，相邻的LED之间 通过导线依次连接。 本技术解决进一步技术问题的方案是其进一步包括控制线，所述的控制线 分别接在首尾的LED的电极上，并与控制电路连接。 本技术解决进一步技术问题的方案是其进一步包括保护罩，所述的保护罩 包围设置在该LED外。 本技术解决进一步技术问题的方案是所述的外壳包括本体以及散热鳍片， 该散热鳍片由该本体向外延伸设置。 本技术解决进一步技术问题的方案是所述LED的基座通过该低温锡膏点焊 接在LED本体上。本技术解决进一步技术问题的方案是所述的外壳为铝型材或者压铸材。 本技术解决进一步技术问题的方案是所述的LED包括PN结，电极，金线以及基座，所述的PN结设置在所述基座上，PN结通过金线与所述电极连接。 相较于现有技术，本技术的LED装置取消了现有技术中的铝基板以及导热片等结构，通过低温锡膏点直接将LED焊接在外壳的本体上，解决现有技术中的散热瓶颈，使LED的热量直接传递到外壳上，并通过外壳将热量传送到空气中，简化结构的同时还大大提高了散热能力，增加LED效率，大大延长LED寿命。附图说明图1是现有技术中的LED装置的结构原理示意图。 图2是本技术的LED装置的结构示意图具体实施方式以下内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能 认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术 人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视 为属于本技术的保护范围。 如上所述，LED装置中的铝基板上绝缘层导热系数非常低(1W/mK)，硅脂或硅胶导 热片的导热系数也不高(< 5W/mK)，这些结构都成为现有的LED装置中热传递瓶颈。 请参阅图2，本技术提供了一种LED装置，其包括多个LED101，导线102，控制 线103，保护罩104，低温锡膏点105以及外壳106。所述的LED101与现有技术的LED的 结构相同，相邻的LED101之间通过导线102依次连接，所述的控制线103分别接在首尾的 LED101的电极上，并与控制电路连接。 所述的保护罩104包围设置在该LED101夕卜，其采用PC或者玻璃等透明材料制成， 具有防尘防水透光的作用。 所述的外壳106包括本体1061以及散热鳍片1062，其结构与现有技术中的外壳的 结构相似，该散热鳍片1062由该本体1061向外延伸设置。所述的外壳106为铝型材或者 压铸材。4 所述的低温锡膏点105与所述的LED101对应设置，该LED101的基座通过该低温 锡膏点105焊接在该本体1061上。 在生产时，将本体1061的表面刷上感光油，通过菲林文件曝光，与该LED101对 应的部分无法曝光，没有发生反应，经过洗净后就清洗掉未曝光的部分，露出裸露的本体 1061，其余部分被曝光的物质覆盖。清洗干净后就可以通过化学镀或者电镀的方法在本体 1061上镀银或者铜，洗净曝光的感光油，就可以加工焊接LED了。 所述的外壳106采用铝型材或者压铸材，导热系数非常大，热容也大。本案的 低温锡膏点的锡膏优选为锡铋无铅低温锡膏(Sn42Bi58)，熔点大约在138度，作业炉温 167-18(TC，这样避免巨大热容使焊接完毕后无法快速冷却导致LED长时间处于高温状态， 可以保证LED的安全，同时使用大功率的回流焊机器，保证足够加热能力使铝型材或者压 铸材的温度升到焊接温度，保证焊接良好。 本技术的LED装置取消了现有技术中的铝基板以及导热片等结构，通过低温 锡膏点直接将LED焊接在外壳的本体上，解决现有技术中的散热瓶颈，使LED的热量直接传 递到外壳上，并通过外壳将热量传送到空气中，简化结构的同时还大大提高了散热能力，增 加LED效率，大大延长LED寿命。权利要求一种LED装置，其特征在于包括多个LED，低温锡膏点以及外壳，所述的低温锡膏点与所述的LED对应设置，该LED的基座通过该低温锡膏点焊接在该外壳上。2. 根据权利要求1所述的LED装置，其特征在于其进一步包括导线，相邻的LED之间通过导线依次连接。3. 根据权利要求l所述的LED装置，其特征在于其进一步包括控制线，所述的控制线分别接在首尾的LED的电极上，并与控制电路连接。4. 根据权利要求l所述的LED装置，其特征在于其进一步包括保本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ＬＥＤ装置，其特征在于：包括多个ＬＥＤ，低温锡膏点以及外壳，所述的低温锡膏点与所述的ＬＥＤ对应设置，该ＬＥＤ的基座通过该低温锡膏点焊接在该外壳上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄硕，
申请(专利权)人：深圳市同洲电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。