将亚微米技术用于时分多址通讯中隐性方向控制的射频发送接收器前端制造技术

技术编号:5032344 阅读:260 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
将亚微米技术用于时分多址通讯中隐性方向控制的射频发送接收器前端。这个方案是射频发送和接收前端的一种新设计。发送接收器的输出级的为采用n沟道CMOS晶体管开漏设置的叠接式电路的功率放大器(PA)。所述叠接晶体管作为共栅晶体管,通过控制其栅极来阻断发送(TX)通道。所述低噪放大器(LNA)采用共栅设置的p沟道MOS晶体管,通过衬底端的电势控制。将PMOS晶体管的衬底电势提高到高于其源极电势来切断接收(RX)通道。这个设计是TDMA,特别是蓝牙的低成本实现方案。外置构件的数量减少了。无需TX/RX转换开关。用于与天线带宽相适应的同一个匹配构件和端口可同时用于TX通道和RX通道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种带隐性方向控制、适用于时分多址通讯尤其是四频ISM发送接收器的射频发送接收器前端(1),采用亚微米工艺,尤其是0.18umCMOS或BiCMOS,在单一的集成电路(2)中包括:a.一个输出级包括晶体管叠接式电路(110,120或120′)的功率放大器(PA)(100),其中开漏设置的叠接晶体管(110)作为共栅晶体管,其栅极(112)通过装置(130)控制,用于改变栅极电势来阻断和打开通向开漏端(111;1110,1111)的信号传送,以及b.一个输入级包括p沟道金属氧化物半导体效应晶体管(PMOST-FET)(210)(特别是增强型的)的低噪放大器(LNA),所述晶体管(210)具有共栅配置,并且其衬底(214)通过装置(230)控制,用于改变这个PMOST-FET(210)的衬底电势从等于源极电势到高于源极电势,以达到阻断通向开源端(211;2110,2111)的信号传送。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:拉希姆阿克巴里
申请(专利权)人:感应动力股份公司
类型:发明
国别省市:AT[奥地利]

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