【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及功率场效应管及其中栅极的制造方法。
技术介绍
功率场效应管的器件结构与一般的场效应管较相似，但导电沟道存在着明显的不 同。一般的场效应管，其栅极、源极、漏极基本位于同一水平面，通过源极、漏极间的水平沟 道传输电流。而功率场效应管的导电沟道则是垂直的，以能够承载大电流的传输。参照图1所示，现有技术的一种功率场效应管，包括N型重掺杂的衬底10 ；衬底 10上的N型轻掺杂外延层20 ；N型轻掺杂外延层20上的P阱30 ；深入P阱30的接触孔81， 所述接触孔81的底部具有接触孔离子注入区70 ；接触孔81两侧的P阱30中的N型重掺 杂区，其中一个N型重掺杂区作为功率场效应管的源极欧姆接触41 ；接触孔81 —侧、深入 P阱30及N型轻掺杂外延层20的栅电极51，其由栅氧化层52与功率场效应管的其他部分 隔离；接触孔82，与栅电极51相连；分别与接触孔81、82相连的金属引线61、62，金属引线 61接地；从衬底10背面引出的漏极42。在实际应用时发现，上述图1所示的功率场效应管的栅极电容较大，相应地，也增 加了所述功率场效应管...
【技术保护点】
一种栅极的制造方法，包括：在衬底中的有源区位置形成沟槽，以及在沟槽中依次形成底部氧化层、侧壁氧化层及栅电极，其特征在于，在衬底中的有源区位置形成沟槽时采用沟槽蚀刻的方法，并以硬掩模作为蚀刻掩模层；在沟槽中形成底部氧化层时在沟槽侧壁先形成硬掩模以限定底部氧化层的位置，并且以局部氧化工艺形成底部氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张国民，邢进，陈建利，罗怡弦，林竞尧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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