共线型双激光晶体全固态和频激光器制造技术

技术编号:4993644 阅读:277 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种共线型双激光晶体全固态和频激光器,其中固定在激光器座上的半导体激光器发射与两个激光晶体吸收谱相对应波长的激光,通过固定在泵浦光学耦合镜组座中的泵浦光学耦合镜组注入两个激光晶体,两个激光晶体的通光表面互相平行且置于激光晶体座中,两个激光晶体靠近泵浦源一端所镀制的不同波长基频光高反膜和泵浦光增透膜分别作为谐振腔的一个腔镜,两个不同波长基频光分别在第一个激光晶体和两个激光晶体内进行增益,非线性和频晶体放置在激光晶体和输出耦合腔镜之间的两波长基频光交叠区内。其实现了两不同波长基频光的独立增益;为小型化,高效化,产品化的和频激光输出打下基础;实现了更广波段范围内的和频激光输出。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种共线型双激光晶体全固态和频激光器,是一种 获得和频激光输出的共线型双激光晶体结构的全固态和频激光器,属于 半导体激光泵浦全固态和频激光器

技术介绍
传统的半导体激光泵浦全固态和频激光器主要有四种第一种是LD 泵浦全固态激光器的基频光和LD直接发出的激光进行和频,但由于LD 所发出激光的空间分布特性与全固态激光器基频光的空间分布特性差异 较大,所以和频效率很难提高。第二种是LD泵浦全固态激光器的基频光 与谐波进行和频,通常采用由腔镜, 一个激光晶体,两个非线性晶体和 输出镜构成的谐振腔产生三倍频或四倍频波段的激光,目前这种结构只 能产生三倍频或四倍频激光,而不能产生基频光的非整数倍波段的激光, 限制了其使用范围。第三种是用两台LD泵浦全固态激光器分别产生的两 个不同波长的基频光进行腔外和频,在脉冲工作状态下,无法控制两不 同波长基频光运转的同步性,而在连续工作状态下,由于在腔外不能获 得很高的基频光功率密度,故采用外复合腔方式,但其稳定性较差,对 外界条件十分敏感,因而制约了和频效率的提高和腔外和频技术的发展。 第四种是LD泵浦全固态激光器产生的两个基频光进行腔内和频,这还可 以分为两种其一,谐振腔内只有一个可以产生两种以上激光跃迁的激光晶体,通过严格控制谐振腔腔镜的膜层结构来平衡该激光晶体内两条 不同跃迁谱线在腔内的净增益,从而实现腔内双波长振荡,之后再加入 非线性晶体进行和频,获得新的波长,这种方式在和频过程中,需要通 过控制谐振腔腔镜的膜层结构来平衡两条增益特性不同的谱线的增益, 这会损耗大量的基频光能量,且两增益特性不同的谱线之间存在竞争, 增益能力较强谱线的起振会严重抑制增益能力较弱谱线的振荡和放大, 从而导致了和频效率的降低;其二,利用两套泵浦系统分别作用于两个激光晶体,在丫型结构谐振腔的两个子谐振腔内获得两个波长的基频光 振荡,两个谐振腔通过合束镜结合起来共用谐振腔的一部分,在这个共 用部分放入非线性晶体进行和频以获得新波长,这种结构的两子谐振腔 在交叠时调整复杂,操作困难,很难保证两基频光的完全重合,这会使和频效率大大降低;采用两套泵浦源和泵浦耦合系统,增大了激光器整 体的体积,不利于产业化。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种共线型双激光晶体全固态和频激光 器,是一种新的包括半导体激光泵浦光源,泵浦光学耦合系统,两个激 光晶体,非线性和频晶体以及输出耦合腔镜在内的双激光晶体结构的激 光谐振腔模式,能够将基频光完全转化为和频光输出进而实现真正意义 上的高效和频。本技术的技术方案是这样实现的 一种共线型双激光晶体全固 态和频激光器,包括半导体激光器,半导体激光器座,泵浦光学耦合镜 组,泵浦光学耦合镜组座,两个激光晶体,激光晶体座,非线性和频晶体,非线性和频晶体座,输出耦合腔镜,输出耦合腔镜座,基板和外壳; 其中半导体激光器固定于铜制的半导体激光器座上,泵浦光学耦合镜组 固定于铝制的泵浦光学耦合镜组座中,两个激光晶体分别固定在激光晶 体座内,并且要保证两个激光晶体的通光表面平行,非线性和频晶体固 定于铝制非线性和频晶体座内,输出耦合腔镜固定在铝制的输出耦合腔 镜座上;半导体激光器座、泵浦光学耦合镜组座、激光晶体座、激光晶 体座、非线性和频晶体座和输出耦合腔镜座均固定在基板上,罩在外壳 中;其特征在于设泵浦光与两不同波长基频光的波长分别为入p,入l和 X2,固定在铜制半导体激光器座上的半导体激光器发射与两个激光晶体 吸收谱相对应波长的激光,波长为Xp,通过固定在泵浦光学耦合镜组座 中的泵浦光学耦合镜组注入两个激光晶体,两个激光晶体分别置于激光 晶体座中且要保持两个激光晶体的通光表面互相平行,激光晶体的两个 通光面,靠近半导体激光器的一端镀膜为对Xp波长泵浦光的增透膜系和 对入1波长基频光的高反膜系,另一端为对波长泵浦光和入l波长基频 光的增透膜系;激光晶体的两个通光面即靠近半导体激光器的一端镀膜 为对Ap波长泵浦光以及XI波长基频光的增透膜系和对波长基频光的高反膜系,另一端为对Xp波长泵浦光,?a和"波长基频光的增透膜系;输出耦合腔镜靠近半导体激光器的一端镀膜为XI和人2波长基频光的高 反膜系以及和频光W的增透膜系,另一端为波长和频光的增透膜系, 其中1/^3=1/入1+1/入2;非线性和频晶体按照基频光波长人l和A2的和频相 位匹配方向切割,使得波长XI和在非线性和频晶体中共线传播时满 足相位匹配关系n3/X3=n2/ i2+nl/ a,其中nl, n2和n3分别为?d,人2和入3波长的光在非线性和频晶体中传播时的折射率;两个激光晶体靠近 泵浦源一端所镀制的不同波长基频光高反膜和泵浦光增透膜分别作为谐 振腔的一个腔镜,并分别与输出耦合腔镜形成两个不同波长基频光的谐 振腔,两个不同波长基频光分别在第一个激光晶体和两个激光晶体内进 行增益,非线性和频晶体放置在激光晶体和输出耦合腔镜之间的两波长 基频光交叠区内,从而获得和频激光高效输出。本技术积极效果是使参与和频过程的两不同波长的基频光独 立的在各自的激光晶体内进行增益,使增益性能较弱的谱线能够获得更 长的增益长度,且避免了不同波长的基频光在同一个激光晶体内增益时 带来的竞争现象,实现了两不同波长基频光的独立增益;将原有和频过 程中,为了平衡不同波长基频光增益而浪费的基频光转化为和频激光输 出,从本质上降低了基频光的损耗,真正实现了和频激光高效输出;采 用一套泵浦系统作用于两个激光晶体,减小了整个系统的体积,为实现 小型化,高效化,产品化的和频激光输出打下基础;只要适用于同一泵 浦源,两个激光晶体可以任意选择并组合,实现更广波段范围内的和频 激光输出。附图说明-图1为本技术的结构示意图;具体实施方式以下结合附图对本技术做进一步的描述如图1所示,双激光晶体全固态和频激光器,发射与增益介质的激光晶体5和7 Nd:YV04晶 体吸收相对应808nrn波长激光的半导体激光器1,固定在铜制的半导体激光器座2上,泵浦光学耦合镜组3固定在铝制的泵浦光学耦合镜组座4 上;激光晶体5和7均为Nd:YV04晶体,能吸收半导体激光器1发射的 808nm波长激光而发射基频光波长的荧光。激光晶体5两个通光表面镀 膜情况如下靠近半导体激光器1的一端为808nm增透膜系和914nm基 频光的高反膜系,另一端为808nm和914nm基频光的增透膜系,固定在 铝制的激光晶体座6上;激光晶体7两个通光表面镀膜情况如下靠近 半导体激光器1的一端为808nm以及914nm基频光的增透膜系和1064nm 基频光的高反膜系,另一端为808nm, 914nm和1064nm基频光的增透膜 系,固定在铝制的激光晶体座8上。非线性和频晶体9为I类角度相位匹 配的LBO晶体,两个表面镀1064nm, 914nm和491nm的增透膜系,固 定在铝制非线性和频晶体座10上。输出耦合腔镜11的镀膜情况如下 靠近半导体激光器1的一端为1064nm和914nm基频光的高反膜系以及 和频光491nm的增透膜系,另一端为491nm和频光的增透膜系,固定在 铝制的输出耦合腔镜座12内。半导体激光器座2,泵浦光学耦合镜组座 4,激光晶体座6,激光晶体座本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种共线型双激光晶体全固态和频激光器,包括半导体激光器(1),半导体激光器座(2),泵浦光学耦合镜组(3),泵浦光学耦合镜组座(4),两个激光晶体(5)和(7),激光晶体座(6)和(8),非线性和频晶体(9),非线性和频晶体座(10),输出耦合腔镜(11),输出耦合腔镜座(12),基板(13)和外壳(14);其中半导体激光器(1)固定于铜制的半导体激光器座(2)上,泵浦光学耦合镜组(3)固定于铝制的泵浦光学耦合镜组座(4)中,两个激光晶体(5)和(7)分别固定在激光晶体座(6)和(8)内,并且要保证两个激光晶体的通光表面平行,非线性和频晶体(9)固定于铝制非线性和频晶体座(10)内,输出耦合腔镜(11)固定在铝制的输出耦合腔镜座(12)上;半导体激光器座(2)、泵浦光学耦合镜组座(4)、激光晶体座(6)、激光晶体座(8)、非线性和频晶体座(10)和输出耦合腔镜座(12)均固定在基板(13)上,罩在外壳(14)中;其特征在于:设泵浦光与两不同波长基频光的波长分别为λp,λ1和λ2,固定在铜制半导体激光器座(2)上的半导体激光器(1)发射与两个激光晶体(5)和(7)吸收谱相对应波长的激光,波长为λp,通过固定在泵浦光学耦合镜组座(4)中的泵浦光学耦合镜组(3)注入两个激光晶体(5)和(7),两个激光晶体(5)和(7)分别置于激光晶体座(6)和(8)中且要保持两个激光晶体的通光表面互相平行,激光晶体(5)的两个通光面即靠近半导体激光器(1)的一端镀膜为对λp波长泵浦光的增透膜系和对λ1波长基频光的高反膜系,另一端为对λp波长泵浦光和λ1波长基频光的增透膜系;激光晶体(7)的两个通光面即靠近半导体激光器(1)的一端镀膜为对λp波长泵浦光以及λ1波长基频光的增透膜系和对λ2波长基频光的高反膜系,另一端为对λp波长泵浦光,λ1和λ2波长基频光的增透膜系;输出耦合腔镜(11)靠近半导体激光器(1)的一端镀膜为λ1和λ2波长基频光的高反膜系以及和频光λ3的增透膜系,另一端为λ3波长和频光的增透膜系,其中1/λ3=1/λ1+1/λ2;非线性和频晶体(9)按照基频光波长λ1和λ2的和频相位匹配方向切割,使得波长λ1和λ2在非线性和频晶体(9)中共线传播时满足相位匹配关系:n3/λ3=n2/λ2+n1/λ1,其中n1,n2和n3分别为λ1,λ2和λ3波长的光在非线性和频晶体(9)中传播时的折射率;两个激光晶体靠近泵浦源一端所镀制的不...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李斌姚矣郑权
申请(专利权)人:长春新产业光电技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:82[中国|长春]

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