使用光活性有机材料的强化晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了用于形成晶体管的方法和设备，该晶体管包括：半导体层（102），其包含从光活性有机材料（122）扩散到其中的分子、质子、和/或离子等；设置在半导体层上或者半导体中的通道；设置在半导体层上或者半导体层中的源极（106）；设置在半导体层上或者半导体层中的漏极（108）；以及与半导体层电连接的栅极（104）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉参考本申请要求2010年5月28日提交的美国申请系列第12/790，113号的优先权。
技术介绍
本专利技术涉及半导体器件，例如晶体管、半导体实现的电阻、二极管等的制备。所述晶体管包括薄膜晶体管(TFT)，其用于许多
，例如电子应用，包括0LED、液晶显示器(LCD )、光伏器件、集成电路等。可以根据所用基材技术的类型、制备方法的复杂性以及晶体管所需的功能和特性，使用各种构造来制备所述晶体管，例如场效应晶体管(FET)。在平板显示器工业中，TFT具有以下几种用途，包括用作对液晶显示器(IXD)的每一个像素进行开关分立式晶体管，·或者对有机发光二极管(OLED)显示器的各个像素进行驱动的分立式晶体管。当然，在显示器技术中TFT还有许多其他用途，包括涉及离散像素电路的电路，例如阵列控制电路，驱动电路以及测试电路，其中许多可以设置在像素显示区域的外围。可以用无机材料和/或有机材料来制备FET。传统的有机晶体管通常水平地形成在坚固或者挠性的基材上。晶体管结构包括，栅电极、漏电极和源电极，以及有机半导体层和电绝缘层(栅介电层)。有机半导体层起了空穴、电子或者双极电荷传输通道的作用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：方汉铿，M·何，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：
国别省市：