疏水性无机细颗粒和调色剂制造技术

提供一种疏水性无机细颗粒，该疏水性无机细颗粒防止调色剂熔融至感光器或污染接触充电构件，并且即使在高温高湿气氛中长期贮存之后仍能够使调色剂的流动性、带电特性和耐久性优异。该细颗粒防止调色剂滴落或污染打印机内部。疏水性无机细颗粒通过以下获得：用硅油然后用硅烷化合物和／或硅氮烷化合物处理无机细颗粒表面，或在硅油存在下用硅烷化合物和／或硅氮烷化合物处理无机细颗粒表面；和用硅油进一步处理该处理的无机细颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于图像形成方法如电子照相法、静电印刷法或调色剂喷射法的疏 水性无机细颗粒，和包含所述疏水性无机细颗粒的调色剂。
技术介绍
为了调节调色剂的带电性能和流动性等从而能够获得良好的显影性的目的，通 常已知将无机细颗粒外部添加至调色剂颗粒中。常规将湿法二氧化硅、干法二氧化硅、 氧化钛或氧化铝等用作疏水性无机细颗粒，并且为了可以改善调色剂带电的环境稳定性 提出将无机细颗粒进行疏水化处理。进行用例如硅烷化合物、硅氮烷化合物或硅油的表面处理作为用于这些无机细 颗粒的疏水化处理。例如，已采用使反应处理剂如二甲基二氯硅烷或六甲基二硅氮烷与亲水性无机 细颗粒彼此接触，并且使亲水性无机细颗粒表面上存在的羟基与处理剂彼此反应，从而 能够使亲水性无机细颗粒进行疏水化的方法。然而，通过此类处理剂引入至无机细颗粒表面的疏水基具有大的分子尺寸，并 且疏水基由于立体位阻不能到达相邻的羟基。结果，羟基未反应而留下来，由此没有进 行疏水化，所以在一些情况下不能赋予无机细颗粒足够的疏水性。另外，因为硅油具有比较高的分子量和高粘度，因此难以均勻地用硅油进行无 机细颗粒表面的表面处理。特别地，当调色剂在使用前在高温、高湿环境中长期贮存时，未进行充分疏水 化处理的无机细颗粒外添加至调色剂可能涉及这样的问题由于无机细颗粒吸收水分， 调色剂的流动性和带电性能降低，并由此由调色剂形成的图像质量劣化。此外，当此类 贮存的调色剂长期使用时，调色剂劣化从而它的流动性和带电性能显著地降低。结果， 在一些情况下残留于感光构件上而未转印至转印材料如纸上的调色剂(转印残余调色剂) 没有收集在清洁容器中并滴落，从而引起图像缺陷或图像形成设备中的污染。日本专利公布NO.H07-113783公开了负带电性电子照相显影剂，其特征在于含 有用六甲基二硅氮烷或硅烷偶联剂处理，然后进一步用硅油处理的负带电性硅酸盐细 粉；和调色剂。根据该方法，因为未用六甲基二硅氮烷或硅烷偶联剂处理的羟基通过硅油使其 疏水化，所以二氧化硅疏水度(degree of hydrophobicity)增加。然而，处理中大部分硅 油未固定于二氧化硅表面上，所以在一些情况下引起如下问题当二氧化硅在外添加至 调色剂的状态下在高温、高湿环境下长期贮存时，调色剂易于吸收水分，以致抑制其带 H1^ ο日本专利申请特开No.2002-256170公开了通过将原料二氧化硅粉末用聚硅氧烷 和三甲基甲硅烷基化剂进行表面处理获得的疏水性二氧化硅粉末，该疏水性二氧化硅粉 末的特征在于每Inm2原料二氧化硅粉末的表面积存在0.3至1.5个三甲基甲硅烷基；并且聚硅氧烷以相对于100质量份原料二氧化硅粉末A/20至A/5质量份(其中A表示原料 二氧化硅粉末的比表面积(m2/g))的量粘附。另外，公开了生产疏水性二氧化硅粉末的 方法，该方法包括用聚硅氧烷然后用三甲基甲硅烷基化剂处理二氧化硅粉末。日本专利申请特开NO.2004-168559公开了高度分散的、高度疏水性二氧化硅粉 末，其特征在于二氧化硅粉末具有疏水率(hydrophobicity rate)为95%以上和疏水度为 76%以上；和二氧化硅粉末具有其粒径集中于10至70 μ m范围内的分布密度。另外， 公开了生产高度分散的、高度疏水性二氧化硅粉末的方法，该方法包括以下步骤将二 氧化硅用硅油处理剂进行一次表面处理；在一次表面处理后，破碎处理的产物；和在破 碎后，将破碎的产物用烷基硅氮烷处理剂进行二次表面处理。这些方法中，将二氧化硅用硅油进行表面处理，然后用处理剂如六甲基二硅氮 烷进行疏水化处理，所以硅油能够容易地固定于二氧化硅表面上，并且二氧化硅的疏水 度能够在游离的(liberated)硅油量降低的状态下增加。然而，未固定于二氧化硅颗粒表 面上的游离的硅油量变得极少，所以易于发生如下问题由于二氧化硅粉末粘附至构件 引起的接触充电构件的污染或含二氧化硅粉末的调色剂熔融粘附至感光构件。日本专利申请特开No.2007-176747公开了通过将二氧化硅用两类以上不同种类 的硅油进行涂布处理获得的表面涂布的二氧化硅，该表面涂布的二氧化硅的特征在于 用氯仿萃取的硅油量占所有涂布的硅油量的5至95质量％ ；并且至少一种硅油未包含于 萃取的硅油中。该方法中，能够控制在二氧化硅表面上的游离硅油的丰度，但因为其分子量大 于反应处理剂如二甲基二氯硅烷或六甲基二硅氮烷的分子量，硅油难以渗透二氧化硅表 面上的微细凹凸。因此，未进行疏水化处理的羟基易于残留于二氧化硅表面，从而当调 色剂在使用之前在高温、高湿环境中长期贮存时，在一些情况下无机细颗粒吸收水分以 抑制带电和引起图像质量劣化。因而，期望开发不论是在调色剂贮存的环境下还是在调色剂使用的环境中都能 够赋予调色剂稳定的带电性能和流动性的无机细颗粒。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供已解决了上述这些问题的疏水性无机细颗粒，和含有该疏 水性无机细颗粒的调色剂。S卩，本专利技术的目的是提供疏水性无机细颗粒，该疏水性无机细颗粒不引起调色 剂熔融粘附至感光构件和接触充电构件的污染，并且即使在高温、高湿环境中长期贮存 后仍然能够赋予调色剂优异的流动性、优异的带电性能和优异的耐久性。为实现上述目的，根据本申请的第一专利技术提供至少含有硅油的疏水性无机细颗 粒，该疏水性无机细颗粒的特征在于疏水性无机细颗粒通过以下获得将无机细颗粒用 硅油然后用选自硅烷化合物和硅氮烷化合物中的一种或两种以上处理剂进行表面处理， 或在硅油存在下，将无机细颗粒用选自硅烷化合物和硅氮烷化合物中的一种或两种以上 处理剂进行表面处理；并进一步将由此表面处理的无机细颗粒用硅油进行表面处理。根据本专利技术，能够提供疏水性无机细颗粒，该疏水性无机细颗粒能够有利地抑 制调色剂熔融粘附至感光构件和接触充电构件的污染，并且即使在高温、高湿环境中长期贮存后仍能够赋予调色剂优异的流动性、优异的带电性能和优异的耐久性，并且不引 起调色剂的滴落和在图像形成设备中调色剂的污染。附图说明图1是示出本专利技术的疏水性无机细颗粒1和6的光透过率相对于甲醇浓度变化的 图。图2是示出适合于用本专利技术的磁性调色剂进行图像形成的图像形成设备的实例 的示意图。图3是示出适合于用本专利技术的磁性调色剂进行图像形成的处理盒的实例的概略 图。附图标记说明1显影设备2显影剂容器3潜像承载构件4转印装置5激光束或类似光束6显影套筒7加热加压定影装置8清洁刮板9弹性刮板11充电器12偏压施加装置13磁性显影剂14清洁装置15磁场产生装置21感光构件22接触充电构件22a芯轴23显影设备23a显影套筒23b弹性刮板24清洁设备24a清洁刮板24b伊片(scooping sheet)25框架26图像曝光用开口具体实施方式 当调色剂在高温、高湿环境(如具有40°C以上温度和超过95%的湿度的环境)中长期贮存一个月以上时，调色剂由于加热而劣化或吸收水分，所以调色剂的带电性能 和流动性会降低。结果，发生图像质量降低，如图像浓度降低、雾化增加、微小点再现 性劣化的问题。此外，当长期贮存的调色剂在高温、高湿环境中长期使用时，与使用没有贮存 历史的调色剂的情况中的那些相比，调色剂的带电性能和流动性会显著降低。这是因为 由于贮存已劣化调色剂的劣化程度通过长期使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种疏水性无机细颗粒，该疏水性无机细颗粒进行下列处理（１）或（２），然后进一步用硅油进行表面处理：　　（１）用硅油、然后用选自由硅烷化合物和硅氮烷化合物组成的组中的一种或两种以上的处理剂表面处理；或　　（２）在硅油存在下，用选自由硅烷化合物和硅氮烷化合物组成的组中的一种或两种以上处理剂表面处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川吉宽，长谷川雄介，西川浩司，冈崎美穗，铃村祯崇，粕谷贵重，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]