【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及层压结构体。
技术介绍
为了提高含有层压结构体的电致发光元件或光电转换元件的特性，对在电致 发光元件的发光层与电极之间或光电转换元件的电荷分离层与电极之间插入各种层进 行了研究。例如已知在发光层与电极之间具有包含非共轭高分子化合物的层的电致发 光元件，所述非共轭高分子化合物含有具有阳离子和2个杂原子的取代基(日本特表 2003-530676 号公报)。
技术实现思路
但是，上述电致发光元件的亮度还不充分。本专利技术的目的在于，提供可以提供以高亮度发光的电致发光元件的层压结构 体。S卩，本专利技术第一提供层压结构体，该层压结构体具有第一电极和第二电极，在 该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该 第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层，该共轭高分子化合物具有选自式(1)所 示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元中的1种以上重复单元，
【技术保护点】
层压结构体，具有第一电极和第二电极，在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层，该共轭高分子化合物具有选自式（１）所示的重复单元、式（３）所示的重复单元和式（５）所示的重复单元中的１种以上重复单元， ＊＊＊ （１） （式中，Ａｒ↑［１］表示二价芳基，Ｒ↑［１］表示含有式（２）所示的基团的取代基，该Ａｒ↑［１］可以具有Ｒ↑［１］以外的取代基，ｎ１表示１以上的整数，Ｒ↑［１］存在多个时，它们可以相同或不同）； －（Ｒ↑［２］）↓［ｃ１］－（Ｑ↑［１］）↓［ｎ２］－Ｙ↑［１］（Ｍ↑［１］）↓［ａ１］（Ｚ↑［１］）↓［ｂ１］ （２） （式中，Ｒ↑［２］表示可以具有取代基的二价芳基，Ｑ↑［１］表示可以具有取代基的二价有机基团，Ｙ↑［１］表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子，Ｍ↑［１］表示Ｆ↑［－］、Ｃｌ↑［－］、Ｂｒ↑［－］、Ｉ↑［－］、ＯＨ↑［－］、ＲａＳＯ↓［３］↑［－］、Ｒ↑［ａ］ＣＯＯ↑［－］、ＣｌＯ↑［－］、ＣｌＯ↓［２］↑［－］、ＣｌＯ↓［３］↑［－］、ＣｌＯ↓［４］↑［－］、ＳＣＮ↑［...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-3-7 2008-0575701.层压结构体，具有第一电极和第二电极，在该第一电极与该第二电极之间具有发 光层或电荷分离层，在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化 合物的层，该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元 和式(5)所示的重复单元中的1种以上重复单元，2.如权利要求1所述的层压结构体，其中，Ar1所示的二价芳基为从式1 6、式8、 式14、式27、式28、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，3.如权利要求2所述的层压结构体，其中，Ar1所示的二价芳基为从式1、式38或式 42所示的环除去2个氢原子而得到的基团。4.如权利要求1所述的层压结构体，其中，Ar2所示的二价芳基为从式1 6、式8、 式14、式27、式28、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，5.如权利要求4所述的层压结构体，其中，Ar2所示的二价芳基为从式1、式38或式 42所示的环除去2个氢原子而得到的基团。6.如权利要求1所述的层压结构体，其中，Ar3所示的二价芳基为从式1 6、式8、 式14、式27、式28、式38或式42所示的环除去2个氢原子而得到的基团，7.如权利要求6所述的层压结构体，其中，Ar3所示的二价芳基为从式1、式38或式 42所示的环除去2个氢原子而得到的基团。8.如权利要求3所述的层压结构体，其中，式(1)所示的重复单元为式(15)所示的重复单元，9.如权利要求5所述的层压结构体，其中，式(3)所示的重复单元为式(16)所示的 重复单元，10.如权利要求7所述的层压结构体，其中，式(5)所示的重复单元为式(17)所示的 重复单元，11.如权利要求1 10中任意一项所述的层压结构体，其中，共轭高分子化合物为进 一步具有式(20)所示的重复单元的共轭高分子化合物，12.如权利要求1 11中任意一项所述的层压结构体，其中，共轭高分子化合物中的 式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元的个数的总计， 在该共轭高分子化合物具有的全部重复单元的个数的总计为100摩尔时，为15 100摩 尔ο13.如权利要求1 12中任意一项所述的层压结构体，其中，共轭高分子化合物的数 均分子量为5 X I...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中正信，田中健太，山内掌吾，东村秀之，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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