【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种太阳能级晶体硅P型母合金的生产工艺。
技术介绍
目前在生产太阳能级晶体硅材料时，其电阻率的控制是通过特定电阻率的母合金 实现的。比如CZ单晶硅投炉60kg，投入料的电阻率为20 Ω · CM，型号为P型，要生产晶棒 头部电阻率为1.5Ω *CM，型号为P型的硅棒，如投入电阻率为0.0065 Ω *CM的掺硼母合金 需要投入48. 4克。目前行业内生产母合金的方法主要是电阻率分档法。即将P型重掺硅料电阻率分 为若干档，之后测量出重掺电阻率，分到相应的档位。如0. 001-0. 002 Ω · CM0. 002-0. 003 Ω · CM0. 003-0. 004 Ω · CM0. 005-0. 006 Ω · CM........................0· 009-0. 01 Ω · CM0· 011-0. 012 Ω · CM........................由于随着电阻率的增加，分档越来越多，而P型重掺硅料电阻率分布一般较广，这 使采用传统方法生产的母合金电阻率分布广、不准确。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供...
【技术保护点】
一种太阳能级晶体硅Ｐ型母合金的生产工艺，其特征由以下步骤组成：一、将准备制成母合金的不同电阻率的掺硼低阻硅料进行重量Ｗ↓［１］和电阻率ρ↓［１］的测量，根据测量所得的掺硼低阻硅料的电阻率ρ↓［１］和已知目标母合金的电阻率ρ↓［２］，依据ＧＢ／Ｔ１３３８９－１９９２掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程，计算低阻硅料的掺杂剂浓度Ｎ（ρ↓［１］）以及目标母合金掺杂剂浓度Ｎ（ρ↓［２］）；二、依据公式（２）给出的准备制成母合金的低阻硅料与目标母合金达到相同硼含量的重量比，换算出准备制成母合金的低阻硅料等效到目标母合金的重量Ｗ↓［２］，当需要掺杂时，按照Ｗ↓［２］的重量和目标母合...
【技术特征摘要】
一种太阳能级晶体硅P型母合金的生产工艺，其特征由以下步骤组成一、将准备制成母合金的不同电阻率的掺硼低阻硅料进行重量W1和电阻率ρ1的测量，根据测量所得的掺硼低阻硅料的电阻率ρ1和已知目标母合金的电阻率ρ2，依据GB/T 13389 1992掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程，计算低阻硅料的掺杂剂浓度N(ρ1)以及目标母合金掺杂剂浓度N(ρ2)；二、依据公式(2)给出的准备制成母合金的低阻硅料与目标母合金达到相同硼含量的重量比，换算出准备制成母合金的低阻硅料等效到目标母合金的重量W2，当需要掺杂时，按照W2的重量和目标母合金的电阻率掺杂即可，公式(2)如下 <mrow><mfrac> <msub><mi>W</mi><mn>1</mn> </msub> <msub><mi>W</mi><mn>2</mn> </msub></mfrac><mo>=</mo><mfrac> <mrow><mi>N</mi><mrow> &...
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