太阳能电池及其制造方法技术

提供一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括半导体单元、电极、以及位于所述半导体单元和所述电极之间的钝化层。所述钝化层包括含有氧化硅（ＳｉＯｘ）的第一层、含有氮化硅（ＳｉＮｘ）的第二层、以及含有氧化硅（ＳｉＯｘ）或氮氧化硅（ＳｉＯｘＮｙ）的第三层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式涉及太阳能电池和制造太阳能电池的方法。
技术介绍
太阳能电池是能够将光转换为电能的元件，并且可以包括ρ型半导体和η型半导 体。太阳能电池的一般操作如下。如果光入射在太阳能电池上，则在太阳能电池的半 导体内形成电子_空穴对。通过在太阳能电池的半导体内产生的电场，使得电子朝向η型 半导体移动，而空穴朝向P型半导体移动。因此，产生电力。
技术实现思路
附图说明图1至图3包括根据本专利技术的实施方式的太阳能电池的示例；图4示出包括钝化层的太阳能电池和不包括钝化层的太阳能电池的电流-电压特 性；图5示出包括钝化层的太阳能电池和不包括钝化层的太阳能电池的效率；图6和图7例示根据本专利技术实施方式的钝化层的示例性结构；图8至图11例示根据本专利技术实施方式的太阳能电池的示例性制造方法；图12和图13例示根据本专利技术另一实施方式的太阳能电池的另一示例性制造方 法；图14例示取决于烘焙处理的太阳能电池的使用寿命；和图15和图16例示根据本专利技术实施方式的太阳能电池的示例性结构。具体实施例方式图1至图3包括根据本专利技术实施方式的太阳能电池的示例。如图1所示，太阳能电池可以包括半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，该太阳能电池包括：包括第一类型半导体和第二类型半导体的半导体单元；电连接到所述半导体单元的电极；以及位于所述半导体单元与所述电极之间的钝化层，该钝化层包括含有氧化硅（ＳｉＯｘ）的第一层、含有氮化硅（ＳｉＮｘ）的第二层、以及含有氧化硅（ＳｉＯｘ）或氮氧化硅（ＳｉＯｘＮｙ）的第三层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2008-4-17 10-2008-0035607;KR 2009-2-25 10-2009-一种太阳能电池，该太阳能电池包括包括第一类型半导体和第二类型半导体的半导体单元；电连接到所述半导体单元的电极；以及位于所述半导体单元与所述电极之间的钝化层，该钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的第一层、含有氮化硅(SiNx)的第二层、以及含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一层接触所述半导体单元，所述第 二层位于所述第一层之上，所述第三层位于所述第二层之上，并且所述第一层的折射率小于所述第二层的折射率。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第三层的折射率小于所述第二层的 折射率，并且等于或大于所述第一层的折射率。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二层包括氢(H2)。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述钝化层位于所述半导体单元的与光 入射表面相反的表面上。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述半导体单元的所 述光入射表面上的防反射层，其中，所述防反射层含有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)中的至少 一种。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述电极的一部分穿过所述钝化层而电 连接到所述半导体单元。8.根据权利要求7所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括后表面场层，该后表面场 层位于所述电极的穿过所述钝化层而电连接到所述半导体单元的所述部分与所述半导体 单元之间。9.一种太阳能电池，该太阳能电池包括包括第一类型半导体和第二类型半导体的半导体单元；电连接到所述半导体单元的电极；以及位于所述半导体单元与所述电极之间的钝化层，该钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的 第一层和含有氮氧化硅(SiOxNy)的第二层。10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述第一层接触所述半导体单元，所述 第二层位于所述第一层之上，并且所述第一层的折射率小于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李大龙，郑智元，李贤镐，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]