【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施方式涉及太阳能电池、用于形成太阳能电池的发射极层的方法和用于制造太 阳能电池的方法。
技术介绍
近来，由于认为如石油和煤这样的现有能源将会枯竭，因此替代这些能源的另选 能源越来越受到关注。在这些另选能源中，太阳能电池尤其受到关注，因为作为从太阳能产 生电能的电池，太阳能电池能够从充足的源吸取能量，并且不会造成环境污染。通常的太阳能电池包括由具有不同的导电类型(如ρ型和η型)的半导体制成的 基板和发射极层、以及分别在基板和发射极层上形成的电极。通常的太阳能电池还包括在 基板和发射极层之间的界面形成的ρ-η结。当光入射在太阳能电池上时，在半导体中产生多个电子-空穴对。通过光电伏打 效应，这些电子-空穴对分别被分成电子和空穴。因此，分离出的电子朝向η型半导体(如， 发射极层)移动，而分离出的空穴朝向P型半导体(如，基板)移动，然后，分别由电连接到 发射极层和基板的电极来收集电子和空穴。电极使用电线而互相连接，从而获得电能。
技术实现思路
技术问题实施方式的动机是通过简化太阳能电池的制造处理来降低太阳能电池的制造成 本。实施方式的另一个动机是通过简化太阳能电池的制造处理...
【技术保护点】
一种太阳能电池的发射极层的形成方法，该方法包括以下步骤：制备包括第一导电类型的第一杂质的基板；在所述基板中扩散与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质，以在所述基板中形成所述发射极层的第一发射极部分；以及选择性地加热所述第一发射极部分的与用于形成至少一个电极的位置相对应的部分，以形成第二发射极部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2008-4-17 10-2008-0035588一种太阳能电池的发射极层的形成方法，该方法包括以下步骤制备包括第一导电类型的第一杂质的基板；在所述基板中扩散与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质，以在所述基板中形成所述发射极层的第一发射极部分；以及选择性地加热所述第一发射极部分的与用于形成至少一个电极的位置相对应的部分，以形成第二发射极部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个电极包括指电极和总线电极，并且 所述第二发射极部分形成在所述指电极的下方。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射极部分的形成步骤包括以下步骤 在扩散炉中提供所述第二导电类型的杂质气体，以使得所述杂质气体中包括的杂质在所述基板中扩散，从而形成所述第一发射极部分；以及 在所述第一发射极部分上产生包括所述杂质的绝缘层。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述绝缘层是PSG(磷硅酸玻璃)。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射极部分的形成步骤包括以下步骤 在所述基板上涂布包括所述第二导电类型的杂质的杂质源，或者在所述基板上印刷包括所述第二导电类型的杂质的掺杂糊；以及加热涂布有所述杂质源或印刷有所述掺杂糊的所述基板，以使得所述杂质在所述基板 中扩散，从而形成所述第一发射极部分，并在所述第一发射极部分上产生包括所述杂质的 绝缘层。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述绝缘层是PSG(磷硅酸玻璃)。7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二发射极部分的形成步骤包括以下步骤 在所述绝缘层上照射激光束，从而加热所述第一发射极部分的位于所述绝缘层的被照射所 述激光束的部分下方的部分。8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二发射极部分的形成步骤包括以下步骤 在所述绝缘层上照射激光束，从而加热所述第一发射极部分的位于所述绝缘层的被照射所 述激光束的部分下方的部分。9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述激光束具有比所述至少一个电极的宽度大 的照射宽度。10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述激光束具有比所述至少一个电极的宽度大 的照射宽度。11.根据权利要求7所述的方法，其中，通过改变所述激光束的发射位置和改变所述基 板的位置中的至少一方，来移动所述激光束的照射位置。12.根据权利要求8所述的方法，其中，通过改变所述激光束的发射位置和改变所述基 板的位置中的至少一方，来移动所述激光束的照射位置。13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二发射极部分具有比所述第一发射极部 分的薄层电阻小的薄层电阻。14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二发射极部分具有比所述第一发射极部 分的杂质浓度大的杂质浓度。15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二发射极部分具有比所述第一发射极部分的杂质掺杂深度大的杂质掺杂深度。16.一种太阳能电池的制造方法，该方法包括以下步骤如权利要求1所述地形成所述太阳能电池的所述发射极层；形成连接到所述第一发射极部分和所述第二发射极部分的...
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