【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非水电解质二次电池用正极,特别是涉及正极活性物质层的改进。
技术介绍
近年来,个人电脑、便携式电话等电子设备的可移动化在急速发展。作为这些电子 设备的电源,需要小型、轻量且高容量的二次电池。基于这样的理由,一直在广泛进行可高 能量密度化的非水电解质二次电池的开发。为了实现非水电解质二次电池的进一步的高能量密度化,一直在开发高容量的活 性物质。此外,为了提高电极的活性物质密度(填充率),一直在进行多种努力。例如,为了 提高电极的活性物质密度,提出了不采用导电剂及树脂制的粘结剂,而使活性物质直接沉 积在集电体表面上,形成致密的活性物质层。另外,为了提高高电流密度下的充放电特性, 进行了控制活性物质的结构的研究。专利文献1为得到活性物质密度高的电极,提出了利用电子回旋共振溅射法使正 极活性物质1^&)02直接沉积在集电体表面上的方法,作为全固体电池用的电极,公开了厚 度为2. 6 i! m左右的活性物质层。RF-溅射法的成膜速度为2. 4nm/min,而电子回旋共振溅 射法的成膜速度加快到16. 6nm/min左右。此外,用电子回旋共振溅射法得 ...
【技术保护点】
一种非水电解质二次电池用正极,其包含集电体和活性物质层;所述活性物质层具有包含树枝状的活性物质粒子的第1活性物质层;所述树枝状的活性物质粒子从所述集电体侧的底部朝所述第1活性物质层的表面侧分歧成多个枝部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-6-17 2008-158384一种非水电解质二次电池用正极,其包含集电体和活性物质层;所述活性物质层具有包含树枝状的活性物质粒子的第1活性物质层;所述树枝状的活性物质粒子从所述集电体侧的底部朝所述第1活性物质层的表面侧分歧成多个枝部。2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用正极,其中,在所述第1活性物质层 中,所述底部侧的活性物质密度大于所述表面侧的活性物质密度。3.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用正极,其中,所述枝部的直径为 0.01 Ιμ ο4.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用正极,其中,所述枝部的生长方向与 所述集电体的...
【专利技术属性】
技术研发人员:长田薰,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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