管内电缆超导导体接头制造技术

本实用新型专利技术公开了管内电缆超导导体接头，包括有铜基体，铜基体的上端面上设有条形的凹槽一，铜基体内设有氦通道，铜基体上端面上固定焊接贴合有上盖板，上盖板的下端面上开有与凹槽一对应的凹槽二，凹槽一和凹槽二对合形成锡通道，上盖板中心开有条形安装槽，条形安装槽内固定有预压盖板；铜基体和上盖板的左端面上固定有下座，下座上开有与氦通道连通的氦入口以及与锡通道连通的灌锡孔；铜基体和上盖板的右端面上固定有上座，上座上开有与氦通道连通的氦出口以及与锡通道连通的锡流道，上座的上端面上开有与锡流道导通的出锡口，上盖板、预压盖板、上座和下座的材质均采用不锈钢。本实用新型专利技术具有减小接触电阻、提高接头传热性能、提高超导导体接头运行稳定性和安全性的特点。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术主要涉及超导领域，尤其涉及一种管内电缆超导导体接头。技术背景管内电缆导体(Cable-in-Conduit Conductor, CICC)以其在机械结构、绝缘性 能、磁体绕制工艺及运行安全性等方面的优势，成为大型超导磁体的首选导体。超导导体接 头技术是CICC导体的关键技术之一，在CICC导体发展的近30年中，开展了多种结构的超 导导体接头的研发。中科院等离子体物理研究所目前正在建设用于ITER计划较正场线圈 (Correction Coil, CC)导体测试装置。为避免使用庞大而昂贵的直流电源以及电流引线 装置，测试装置采用超导变压器来代替传统的电源系统。超导变压器最高可产生50kA的电 流。急需一种能承受大电流要求、且接头电阻小的超导导体接头技术
技术实现思路
本技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种管内电缆超导导体接 头，它能满足超导导体接头技术中大电流、低电阻的要求。本技术是通过以下技术方案实现的管内电缆超导导体接头，其特征在于包括有方形的铜基体，铜基体的上端面上设 有条形的凹槽一，铜基体内设有氦通道，所述铜基体上端面上固定焊接有上盖板，上盖板的 下端面上开有与凹本文档来自技高网...

【技术保护点】
管内电缆超导导体接头，其特征在于：包括有方形的铜基体，铜基体的上端面上设有条形的凹槽一，铜基体内设有氦通道，所述铜基体上端面上固定焊接贴合有上盖板，上盖板的下端面上开有与凹槽一对应的凹槽二，凹槽一和凹槽二对合形成锡通道，所述上盖板中心开有条形安装槽，所述条形安装槽内固定有预压盖板；所述铜基体和上盖板的左端面上固定有下座，下座上开有与氦通道连通的氦入口以及与锡通道连通的灌锡孔；所述铜基体和上盖板的右端面上固定有上座，上座上开有与氦通道连通的氦出口以及与锡通道连通的锡流道，上座的上端面上开有与锡流道导通的出锡口，所述上盖板、预压盖板、上座和下座的材质均采用不锈钢。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘华军，武玉，任志斌，龙风，彭晋卿，
申请(专利权)人：中国科学院等离子体物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：34[中国|安徽]