覆金属聚酰亚胺薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种覆金属聚酰亚胺薄膜及其制造方法。本发明专利技术的课题在于提供能对应电子电路的细间距化、气孔数量极少，且耐折性高，尺寸稳定性优异的覆金属聚酰亚胺薄膜及其制造方法。为了解决上述课题，是通过连续卷取方式，在聚酰亚胺薄膜表面通过干法电镀法设置由镍－铬合金层和铜层构成的底层金属层，在其上设置铜电镀层时，在聚酰亚胺薄膜表面设置镍－铬合金层后，直到形成有底层金属层的聚酰亚胺薄膜卷取到辊上的期间，所进行的输送与输送装置接触的部分仅作为聚酰亚胺薄膜面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。更详细地，涉及能适应电子电路 要求的细间距，气孔个数极少，而且耐折性高，尺寸稳定性优异的覆金属聚酰亚胺薄膜及其 制造方法。
技术介绍
覆金属聚酰亚胺薄膜作为封装用基板，广泛应用于在液晶画面中显示图像的驱动 用IC基片。近年来，作为封装液晶图像显示用驱动用IC基片的方法，备受关注的是C0F (覆 晶薄膜)。C0F与目前主流的封装法TCP(带载封装)相比，具有下述特征布线可以实现细 间距化，而且封装的驱动用IC基片可以小型化以及容易降低封装成本。作为C0F的一般的制造方法，可以选择下述方法在作为耐热性高且绝缘性高的 树脂的聚酰亚胺薄膜表面设置金属覆膜、将形成的覆金属聚酰亚胺薄膜作为基板使用，通 过照相平版印刷法将该基板上的金属覆膜形成精细图案，形成布线后，对布线所希望的位 置例如进行镀锡，之后，通过阻焊剂覆盖希望的位置的方法。作为进行细间距封装的C0F用覆金属聚酰亚胺薄膜，正成为主流的是不使用粘合 剂层，而直接在聚酰亚胺薄膜表面设置金属覆膜形成的薄膜。这种覆金属聚酰亚胺薄膜例 如通过如下方式得到对聚酰亚胺薄膜表面进行等离子体处理后，通过溅射法沉积镍-铬 合金并使厚度为70 500A而设置溅射层，然后通过电镀法在其上沉积铜，之后进行带有 电解铜厚度的电镀(参照专利文献1第2页)。通过上述溅射法设置溅射层时，例如，通过连续卷取(>」一> — >」一>)* 式连续地输送聚酰亚胺薄膜，在真空中进行溅射。例如，可以使用包括真空槽和安装在该 真空槽中的在薄膜上成膜的溅射单元的连续溅射装置，其中真空槽包括通过卷取机_展开 机在内部驱动，可以将长的薄膜卷取、展开的第1和第2辊安装轴。并且从设置在一个辊 安装轴上的辊展开薄膜，通过和前述真空槽的前述溅射单元面对的区域输送，通过另一个 辊安装轴卷取到辊上，一边输送薄膜，一边在其上连续地成膜(参照专利文献2，日本特开 2006-336029号公报，第2页)。随着目前的液晶显示图像的高精细化、液晶驱动用IC基片的小型化等的快速发 展，即使对使用前述覆金属聚酰亚胺薄膜制造的C0F，也强烈需要高密度的布线，也就是形 成细间距。然而，如果使用上述这种现有的方法得到的覆金属聚酰亚胺薄膜制造细间距 的C0F，则由于存在于覆金属聚酰亚胺薄膜的金属层中的气孔，导致具有缺陷部分的布线变 多，可能无法提高产品收获率，而且所得的布线的耐折性差，在微细电路部分，布线剥落，还 不适合作为细间距的C0F使用。产生气孔的原因包括溅射层材料本身的要求(参照专利文献3)、为了改善和电解 铜电镀覆膜的贴紧性而对溅射层进行活化处理的要求(参照专利文献4)等，采用这样的各 种对策，结果发现可以在一定程度上减少气孔，但是还不足以作为制造细间距的C0F使用。将作为气孔产生的原因认为是在薄膜上设置多个覆膜时，薄膜在成膜装置间暴 露在大气中的状态下移动时，附着了异物，因此提出了具有两个表面处理装置固定在旋转 轴上的多个表面处理装置，通过改变朝向薄膜处理位置的表面处理装置，同时进行多个表 面处理的复合真空表面处理装置(参照专利文献5第1页)。如果使用该装置，处理过程 中，薄膜没有暴露在大气中，所以形成的薄膜中产生气孔以及贴紧性低下等缺陷能够消失。 然而，虽然在实施例中例示了在使用上述装置进行表面处理的聚酰亚胺薄膜上，通过湿法 电镀法形成厚度8 u m的铜层的铜覆盖的聚酰亚胺薄膜，但是并没有具体记载对气孔和贴 紧力改善情况，效果也不明确。另外，对于非金属层，而是堆积半导体层的带状部材的情况，还提出了下述方法。 将表面产生凹凸的产生原因作为在输送带状部件时，带状部件和输送用的转向辊间混入 了异物，由此在带状部件上依次层叠半导体薄膜后，在卷取工序中，为了使带状部件和转向 辊不产生物理接触，在两者间夹入隔离纸，防止产生凹凸的方法(参照专利文献6第3、6 页)。而且，根据该方法，可以高效地制造大量缺陷少的半导体薄膜。然而，如果在制造覆金属聚酰亚胺薄膜的方法中想适用这种通过隔离纸防止带状 部件和转向辊接触的方法，则必须有用于夹入隔离纸的机构，不仅装置复杂化，而且由于隔 离纸本身产生的杂质，还可能在铜层中产生缺陷。此外，使用隔离纸这种特殊的成分时，还 有成本增加的问题。因此，还未提供减少覆金属聚酰亚胺薄膜的气孔数量的方法。尽管如此，目前C0F可以使用具有厚度5 12i!m的铜层的覆金属聚酰亚胺薄膜， 通过消除法形成布线而得到。然而，为了制造近来要求的线宽25 ym以下的细间距的C0F， 使用具有厚度1. 0 3. 0 y m的铜层的覆金属聚酰亚胺薄膜，通过半添加法形成布线的方法 越来越普遍。像这样，在铜层的厚度比现有的情况更薄的覆金属聚酰亚胺薄膜时，仍然强烈要 求前述气孔的减少和高耐折性，除此之外，为了提高产品收获率，还需要蚀刻时和加热时的 尺寸变化率的变化小，也就是尺寸稳定性好。如上所述，要求能够适应电子电路的细间距化的要求、气孔个数极少、耐折性高、 尺寸稳定性优异的。专利文献专利文献1日本特开2002-252257号公报(参照第2页)专利文献2日本特开2006-336029号公报(参照第2页)专利文献3日本特开2006-73766号公报专利文献4日本特开2006-324474号公报专利文献5日本特开2007-063639号公报(参照第1页)专利文献6日本特开平09-082652号公报(参照第3、6页)
技术实现思路
本专利技术的目的在于根据上述现有技术的问题，提出能够适应电子电路的细间距化 的要求、气孔个数极少、且耐折性高、尺寸稳定性优异的覆金属聚酰亚胺薄膜及其制造方 法。本专利技术人为了解决前述问题，进行各种研究，结果发现铜电镀层的气孔来自底层 金属层的气孔，通过连续卷取方式，由干法电镀法制造底层金属层时，如果在特定的条件下 制作，可以极大地减少底层金属层表面的气孔数量，由此发现如果在底层金属层上设置铜 电镀层，可以解决前述问题，从而完成本专利技术。也就是，根据本专利技术的第1专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方法，该制 造方法包括通过连续卷取方式，在聚酰亚胺薄膜表面通过干法电镀法设置由镍-铬合金层 和铜层构成的底层金属层的工序(a)，和接着使用连续电镀装置，在底层金属层上设置铜电 镀层的工序(b)，其特征在于在工序(a)中，在直到形成有底层金属层的聚酰亚胺薄膜卷 取到辊上的期间，使与输送装置接触的部分仅作为聚酰亚胺薄膜面，由此，在通过观察台观 察底层金属层的表面时，直径10 ym以上的气孔的数量在边长160mm的正方形面积中为20 个以下，而且在工序(b)中，设置厚度为0.5 3.0 ym的铜电镀层。而且，根据本专利技术的第2专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方法，其特征 在于在前述第1专利技术中，聚酰亚胺薄膜的厚度为10 50i!m，而且表面平滑。而且，根据本专利技术的第3专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方法，其特征 在于在前述第1专利技术中，工序(a)中，底层金属层以镍-铬合金层和铜层的顺序形成。而且，根据本专利技术的第4专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方法，其特征 在于在前述第3项记载的专利技术中，前述镍-铬合金层的厚度为5 50nm。而且，根据本专利技术的第5专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方法，该制造方法包括通过连续卷取方式，在聚酰亚胺薄膜表面通过干法电镀法设置由镍－铬合金层和铜层构成的底层金属层的工序（ａ），和接着使用连续电镀装置，在底层金属层上设置铜电镀层的工序（ｂ），其特征在于：在工序（ａ）中，在直到形成有底层金属层的聚酰亚胺薄膜卷取到辊上的期间，使与输送装置接触的部分仅作为聚酰亚胺薄膜面，由此，在通过观察台观察底层金属层的表面时，直径１０μｍ以上的气孔的数量在边长１６０ｍｍ的正方形面积中为２０个以下，而且在工序（ｂ）中，设置厚度为０．５～３．０μｍ的铜电镀层。

【技术特征摘要】
JP 2009-8-18 2009-1888471.一种覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方法，该制造方法包括通过连续卷取方式，在聚酰 亚胺薄膜表面通过干法电镀法设置由镍-铬合金层和铜层构成的底层金属层的工序(a)， 和接着使用连续电镀装置，在底层金属层上设置铜电镀层的工序(b)，其特征在于在工序 (a)中，在直到形成有底层金属层的聚酰亚胺薄膜卷取到辊上的期间，使与输送装置接触的 部分仅作为聚酰亚胺薄膜面，由此，在通过观察台观察底层金属层的表面时，直径ΙΟμπι以 上的气孔的数量在边长160mm的正方形面积中为20个以下，而且在工序(b)中，设置厚度 为0.5 3. Ομπι的铜电镀层。2.根据权利要求1所记载的覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方法，其特征在于聚酰亚胺 薄膜的厚度为10 50 μ m,而且表面平滑。3.根据权利要求1所记载的覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方法，其特征在于工序(a) 中，底层金属层以镍_铬合金层和铜层的顺序形成。4.根据权利要求3所记载的覆金属聚酰亚胺薄膜的制造方法，其特征在于前述 镍_铬合金层的厚度为5 50nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾根博文，小笠原修一，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]