扁平式封装功率因数校正器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种扁平式封装功率因数校正器，包括电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片、快恢复二极管芯片、连接铝线、门极引线、环氧树脂封装体，所述电极为四个电极，所述绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片设置在第一电极片上且绝缘栅双极功率管芯片的集电极或场效应晶体管芯片的漏极与该电极片电连接，绝缘栅双极功率管芯片的发射极或场效应晶体管芯片的源极通过连接铝线与第三电极片电连接，快恢复二极管芯片设置在第四电极片上且其正极与该电极片电连接，其负极通过连接铝线与第一电极片电连接，绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片的门极通过门极引线与第二电极片电连接。本产品优点：体积小，成本低，生产工艺简单。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种功率因数校正器，尤其涉及一种扁平式封装功率因 数校正器。
技术介绍
目前市场上的同等功率的功率因数校正器都以模块化封装为主，体积较 大，使得安装整机的外形尺寸相对偏大，生产工艺复杂，制作成本比较高，不 适合安装在线路板上使用。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种扁平式封装功率因数校 正器，使其体积小，成本低，生产工艺简单。为了克服
技术介绍
中存在的缺陷，本技术解决其技术问题所采 用的技术方案是 一种扁平式封装功率因数校正器，包括电极、绝缘栅 双极功率管芯片或场效应晶体管芯片、快恢复二极管芯片连接铝线、门极 引线、环氧树脂封装体，每个电极由一个电极片和一个电极引脚组成， 各电极片分开设置且排列在同一平面内，电极、绝缘栅双极功率管芯片 或场效应晶体管芯片、快恢复二极管芯片、连接铝线、门极引线均封装在 环氧树脂封装体内，各电极引脚由环氧树脂封装体的同一侧伸出，其特 征在于所述电极为四个电极，所述绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶 体管芯片设置在第一电极的电极片上且绝缘栅双极功率管芯的集电极或 场效应晶体管芯片的漏极与该电极片电连接，绝缘栅双极功率管芯的发射极或场效应晶体管芯片的源极通过连接铝线与第三电极的电极片电连接， 快恢复二极管芯片设置在第四电极的电极片上且该芯片的正极与该电极 片电连接，其负极通过连接铝线与第一电极的电极片电连接，绝缘栅双 极功率管芯片或场效应晶体管芯片的门极通过门极引线与第二电极的电 极片电连接。所述环氧树脂封装体的外形呈扁平状且其长为(35土3)mm、宽为(23 ±3) mm、厚为(3±2) mm。其特征在于所述环氧树脂封装体的中间留有安装孔。有益效果采用本技术的技术方案能使产品的体积大大减小，生产工艺简化，成本降低，使用方便，适合大批量生产，特别针对线路 板使用来说，安装空间大大减小，性能稳定。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细地说明。附图说明图1是本技术的主视结构示意图； 图2是图1的左视局部剖视图3是不带有环氧树脂封装体的本技术内部结构示意图； 图4是本技术组成的扁平式封装功率因数校正器电路的电路示 意图。其中l为第一电极、2为第二电极、3为第三电极、4为第四电极、 l-l为第一电极片、2-l为第二电极片、3-l为第三电极片、4-l为第四 电极片、1-2为第一电极引脚、2-2为第二电极引脚、3-2为第三电极引 脚、4-2为第四电极引脚、5为绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片、6为快恢复二极管芯片、7为连接铝线、7-1为第一连接铝线、7-2 为第二连接铝线、8为门极引线、9为环氧树脂封装体、10为安装孔、 11为倒角。具体实施方式如图1、 2、 3所示的扁平式绝缘栅双极功率管功率因数校正器包括 电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片5、快恢复二极管芯片 6、连接铝线7、门极引线8、环氧树脂封装体9，所述电极为四个电极， 它们分别是第一电极l、第二电极2、第三电极3、第四电极4，连接铝 线7为两条，分别为第一连接铝线7-1、第二连接铝线7-2，每个电极由 一个电极片和一个电极引脚组成，四个电极片1-1、 2-1、 3-1、 4-1分开 设置且排列在同一平面内，各电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶 体管芯片5、快恢复二极管芯片6、连接铝线7、门极引线8均封装在环 氧树脂封装体9内，四个电极引脚l-2、 2-2、 3-2、 4-2由环氧树脂封装 体9的同一侧伸出，环氧树脂封装体9的外形呈矩形且为扁平状且其长 为(35±3) mm、宽为(23±3) mm、厚为(3±2) mm，其四角中有一角 处设置有起识别作用的倒角11，环氧树脂封装体9的中间留有安装孔10， 所述绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片5设置在第一电极1的电 极片1-1上且绝缘栅双极功率管芯片的集电极或场效应晶体管芯片的漏极 与该电极片1-1电连接，绝缘栅双极功率管芯片的发射极或场效应晶体管 芯片的源极通过连接铝线7与第三电极3的电极片3-1电连接，快恢复 二极管芯片6设置在第四电极4的电极片4-1上且该芯片的正极与该电 极片4-1电连接，其负极通过连接铝线7与第一电极1的电极片卜l电连接，绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片5的门极通过门极引线 8与第二电极2的电极片2-1电连接。这样组成如图4所示的扁平式封 装功率因数校正器电路。本产品使用时将四个电极引脚分别焊接于线路板四个功能孔，其中 第一电极引脚卜2作为绝缘栅双极功率管芯片的集电极或场效应晶体管 芯片的漏极与快恢复二极管芯片6的阳极，第三电极引脚3-2作为绝缘 栅双极功率管芯片的发射极或场效应晶体管芯片的源极，第二电极引脚 2-2作为绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片5的门极，第二电极 引脚2-2是第一电极引脚1-2和第三电极引脚3-2导通与关闭的控制端。权利要求1、一种扁平式封装功率因数校正器，包括电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片(5)、快恢复二极管芯片(6)、连接铝线(7)、门极引线(8)、环氧树脂封装体(9)，每个电极由一个电极片和一个电极引脚组成，各电极片分开设置且排列在同一平面内，电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片(5)、快恢复二极管芯片(6)、连接铝线(7)、门极引线(8)均封装在环氧树脂封装体(9)内，各电极引脚由环氧树脂封装体(9)的同一侧伸出，其特征在于所述电极为四个电极(1、2、3、4)，所述绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片(5)设置在第一电极(1)的电极片(1-1)上且绝缘栅双极功率管芯片的集电极或场效应晶体管芯片的漏极与该电极片(1-1)电连接，绝缘栅双极功率管芯片的发射极或场效应晶体管芯片的源极通过连接铝线(7)与第三电极(3)的电极片(3-1)电连接，快恢复二极管芯片(6)设置在第四电极(4)的电极片(4-1)上且该芯片的正极与该电极片(4-1)电连接，其负极通过连接铝线(7)与第一电极(1)的电极片(1-1)电连接，绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片(5)的门极通过门极引线(8)与第二电极(2)的电极片(2-1)电连接。2、 根据权利要求1所述的扁平式封装功率因数校正器，其特征在于 所述环氧树脂封装体(9)的外形呈扁平状且其长为35土3mm、宽为23 ±3 mm、厚为3±2 mm。3、 根据权利要求1所述的扁平式封装功率因数校正器，其特征在于 所述环氧树脂封装体(9)的中间留有安装孔(10)。专利摘要本技术涉及一种扁平式封装功率因数校正器，包括电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片、快恢复二极管芯片、连接铝线、门极引线、环氧树脂封装体，所述电极为四个电极，所述绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片设置在第一电极片上且绝缘栅双极功率管芯片的集电极或场效应晶体管芯片的漏极与该电极片电连接，绝缘栅双极功率管芯片的发射极或场效应晶体管芯片的源极通过连接铝线与第三电极片电连接，快恢复二极管芯片设置在第四电极片上且其正极与该电极片电连接，其负极通过连接铝线与第一电极片电连接，绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片的门极通过门极引线与第二电极片电连接。本产品优点体积小，成本低，生产工艺简单。文档编号H01L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扁平式封装功率因数校正器，包括电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片（５）、快恢复二极管芯片（６）、连接铝线（７）、门极引线（８）、环氧树脂封装体（９），每个电极由一个电极片和一个电极引脚组成，各电极片分开设置且排列在同一平面内，电极、绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片（５）、快恢复二极管芯片（６）、连接铝线（７）、门极引线（８）均封装在环氧树脂封装体（９）内，各电极引脚由环氧树脂封装体（９）的同一侧伸出，其特征在于：所述电极为四个电极（１、２、３、４），所述绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片（５）设置在第一电极（１）的电极片（１－１）上且绝缘栅双极功率管芯片的集电极或场效应晶体管芯片的漏极与该电极片（１－１）电连接，绝缘栅双极功率管芯片的发射极或场效应晶体管芯片的源极通过连接铝线（７）与第三电极（３）的电极片（３－１）电连接，快恢复二极管芯片（６）设置在第四电极（４）的电极片（４－１）上且该芯片的正极与该电极片（４－１）电连接，其负极通过连接铝线（７）与第一电极（１）的电极片（１－１）电连接，绝缘栅双极功率管芯片或场效应晶体管芯片（５）的门极通过门极引线（８）与第二电极（２）的电极片（２－１）电连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈富德，
申请(专利权)人：沈富德，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]